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本发明提供一种改善工艺中台阶高度均匀性的方法，有源区之间设有STI沟槽；有源区上形成有第一SiN层；在STI沟槽填充氧化物，氧化物覆盖在有源区上的第一SiN层上方；对填充了氧化物的STI沟槽退火；第一次化学机械研磨使STI沟槽上的氧化物平坦...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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