具有跨芯板层凹槽的基板的制作方法技术

本发明专利技术公开了一种具有跨芯板层凹槽的基板的制作方法，双面板标记为N+1和N+2层，制作出第N+1层的表面图形，覆盖保护层，保持第N+2层的整板铜面；第N+1层棕化处理，寻找预开槽位置并贴胶层面朝向第N+1层的胶带，选取铜箔作为N层，介质层处于N、N+1层之间，介质层加工定位标靶，在N+1层上叠合已开缝介质层以及N层铜箔，压合形成三层板；进行盲孔制作、图形制作，第N+2层覆盖保护层，保持整板铜面；第N层棕化，寻找预开槽位置并贴胶层面朝向第N层的胶带，取铜箔作为N

【技术实现步骤摘要】
具有跨芯板层凹槽的基板的制作方法


[0001]本专利技术涉及电路板领域，尤其涉及一种具有跨芯板层凹槽的基板的制作方法。

技术介绍

[0002]目前，随着电子电路技术发展，电子电路板趋向于轻、薄、短、小。为了充分利用空间，部分HDI板和封装基板，将原来安装在基板表面的部分元器件，改成嵌入或放入到基板的凹槽中，这样可以极大地节省元器件安装的空间，增加安装密度，所以含凹槽的电子电路板出现了。
[0003]但是，现有的含凹槽的电子电路板存在以下缺陷：
[0004]HDI板和封装基板，都是在芯板制作的基础上，往两端不断进行增层制作而成，其板上面的凹槽，如果采用成品后机械钻机锣槽，或者激光钻机烧蚀的方式，受到设备深度控制的缺陷，均无法有效地将槽底层控制在想要的铜层与介质层的交界面。如要将凹槽深度精确地控制在预想的铜层，只能采用预贴胶带开盖工艺，但这种预贴胶带开盖工艺制作的凹槽，只能出现在芯板的一侧，凹槽深度无法跨过芯板层。但随着电子电路板变薄的发展趋势，如凹槽只出现在芯板一侧，其深度受限制，无法满足部分元器件埋放在凹槽内的要求。

技术实现思路

[0005]为了克服现有技术的不足，本专利技术的目的之一在于提供一种具有跨芯板层凹槽的基板的制作方法，其能解决加工不便的问题。
[0006]本专利技术的目的之一采用如下技术方案实现：
[0007]一种具有跨芯板层凹槽的基板的制作方法，包括以下步骤：
[0008]S10步骤：取一张双面板，分别标记为N+1和N+2层，按照单面板流程制作出第N+1层的表面图形，覆盖保护层，保持第N+2层的整板铜面；
[0009]S11步骤：将图形化后的第N+1层进行棕化处理，寻找预开槽位置，在预开槽位置处贴合保护胶带，将保护胶带的胶层面朝向第N+1层；
[0010]S12步骤：选取铜箔作为N层，介质层处于N层与N+1层之间，将介质层预先加工出用于对齐的定位标靶，在N+1层上叠合已开缝介质层以及N层铜箔，压合形成N、N+1、N+2的三层板；
[0011]S13步骤：完成三层板的N层与N+1层之间盲孔制作、第N层的图形制作，第N+2层依然覆盖保护层，保持整板铜面；
[0012]S14步骤：将第N层的表面棕化处理，寻找预开槽位置，在预开槽位置处贴合保护胶带，将保护胶带的胶层面朝向第N层，PI面露在外面；
[0013]S15步骤：取铜箔作为N
‑
1层，以及N
‑
1与N层之间的介质层，重复上述加工步骤，将介质层预先加工出用于对齐的定位标靶，将N
‑
1层铜箔、介质层、上述三层板压合形成四层板；
[0014]S16步骤：重复S12
‑
S15的步骤，往N
‑
1层依此叠加N
‑
2、N
‑
3层的次外层，直至达到要
求层数，揭掉第N+2层表面的保护层，按照普通HDI板流程加工次外层盲孔以及次外层图形制作，进行外层的压合制作，形成N+3层板；
[0015]S17步骤：进行外层图形和阻焊制作，采用激光烧蚀，进行凹槽位置开盖，分别将第N层、第N+1层的凹槽盖子揭掉，露出处于第N层、第N+1层界面的凹槽，这些凹槽均跨过了整板的中间层第N
‑
1和N层，形成跨芯板凹槽；其中，N为≥3的自然数。
[0016]进一步地，在所述S11步骤或S14步骤中，贴合保护胶带时，胶带尺寸相比凹槽尺寸单边内缩0.15mm。
[0017]进一步地，在所述S11步骤或S14步骤中，检验胶带贴合是否满足要求，若是，执行下一步，若否，返工处理。
[0018]进一步地，在所述S12步骤中，在凹槽对应位置进行刀模预开缝，将介质层中间的玻纤切断。
[0019]进一步地，在所述S13步骤中，加工盲孔之前，检验盲孔位置是否正确，若是，执行加工指令，若否，停止加工。
[0020]进一步地，在所述S14步骤中，贴合保护胶带之前，检验预开槽位置是否符合要求。
[0021]进一步地，在所述S15步骤中，在凹槽对应位置进行刀模预开缝，将介质层中间的玻纤切断。
[0022]进一步地，在所述S17步骤中：采用CO2或UV激光烧蚀进行凹槽位置开盖。
[0023]进一步地，在所述S11步骤中，保护胶带为PI、胶层、离型膜三层结构。
[0024]进一步地，在所述S11步骤中，采用粘力大小为2.4
‑
3.2g/mm、胶带厚度27.5μm的保护胶带。
[0025]相比现有技术，本专利技术的有益效果在于：
[0026]取一张双面板，分别标记为N+1和N+2层，按照单面板流程制作出第N+1层的表面图形，覆盖保护层，保持第N+2层的整板铜面；将图形化后的第N+1层进行棕化处理，寻找预开槽位置，在预开槽位置处贴合保护胶带，将保护胶带的胶层面朝向第N+1层；选取铜箔作为N层，介质层处于N层与N+1层之间，将介质层预先加工出用于对齐的定位标靶，在N+1层上叠合已开缝介质层以及N层铜箔，压合形成N、N+1、N+2的三层板；完成三层板的N层与N+1层之间盲孔制作、第N层的图形制作，第N+2层依然覆盖保护层，保持整板铜面；将第N层的表面棕化处理，寻找预开槽位置，在预开槽位置处贴合保护胶带，将保护胶带的胶层面朝向第N层，PI面露在外面；取铜箔作为N
‑
1层，以及N
‑
1与N层之间的介质层，重复上述加工步骤，将介质层预先加工出用于对齐的定位标靶，将N
‑
1层铜箔、介质层、上述三层板压合形成四层板；重复S12
‑
S15的步骤，往N
‑
1层依此叠加N
‑
2、N
‑
3层的次外层，直至达到要求层数，揭掉第N+2层表面的保护层，按照普通HDI板流程加工次外层盲孔以及次外层图形制作，进行外层的压合制作，形成N+3层板；进行外层图形和阻焊制作，采用激光烧蚀，进行凹槽位置开盖，分别将第N层、第N+1层的凹槽盖子揭掉，露出处于第N层、第N+1层界面的凹槽，这些凹槽均跨过了整板的中间层第N
‑
1和N层，形成跨芯板凹槽；其中，N为≥3的自然数。整体工艺操作方便，解决了凹槽跨芯板层制作的问题，凹槽底部能精准实现在铜层与介质层的交界面，既可以凹槽底部铜层制作图形，也增加了凹槽深度，扩大了能埋置元件的选择范围。
[0027]上述说明仅是本专利技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本专利技术的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本专利技术的上述和其他目的、特征和优点能够
更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。
附图说明
[0028]图1为本专利技术具有跨芯板层凹槽的基板的制作方法中一较佳实施例的流程图；
[0029]图2为图1所示具有跨芯板层凹槽的8层电路板的制作图。
具体实施方式
[0030]下面，结合附图以及具体实施方式本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有跨芯板层凹槽的基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：S10步骤：取一张双面板，分别标记为N+1和N+2层，按照单面板流程制作出第N+1层的表面图形，覆盖保护层，保持第N+2层的整板铜面；S11步骤：将图形化后的第N+1层进行棕化处理，寻找预开槽位置，在预开槽位置处贴合保护胶带，将保护胶带的胶层面朝向第N+1层；S12步骤：选取铜箔作为N层，介质层处于N层与N+1层之间，将介质层预先加工出用于对齐的定位标靶，在N+1层上叠合已开缝介质层以及N层铜箔，压合形成N、N+1、N+2的三层板；S13步骤：完成三层板的N层与N+1层之间盲孔制作、第N层的图形制作，第N+2层依然覆盖保护层，保持整板铜面；S14步骤：将第N层的表面棕化处理，寻找预开槽位置，在预开槽位置处贴合保护胶带，将保护胶带的胶层面朝向第N层；S15步骤：取铜箔作为N
‑
1层，以及N
‑
1与N层之间的介质层，重复S12的步骤，将介质层预先加工出用于对齐的定位标靶，将N
‑
1层铜箔、介质层、上述三层板压合形成四层板；S16步骤：重复S12
‑
S15的步骤，往N
‑
1层依此叠加N
‑
2、N
‑
3层的次外层，直至达到要求层数，揭掉第N+2层表面的保护层，按照普通HDI板流程加工次外层盲孔以及次外层图形制作，进行外层的压合制作，形成N+3层板；S17步骤：进行外层图形和阻焊制作，采用激光烧蚀，进行凹槽位置开盖，分别将第N层、第N+1层的凹槽盖子揭掉，露出处于第N层、第N+1层界面的凹槽，这些凹...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴少晖，郭沐杰，
申请(专利权)人：广州美维电子有限公司，
类型：发明
国别省市：