III-V族化合物半导体晶片制造技术

一种由Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体构成的晶片（２１）包括由Ⅲ－Ⅴ族化合物构成的衬底（２２）和在衬底（２２）上形成的Ⅲ－Ⅴ族化合物层构成的外延层（２６），半导体衬底的外周边缘部分被这样倒角，使得其截面大体上是半径为Ｒ的弧形。离开衬底（２２）的外周边缘距离为Ｌ的衬底（２２）的一部分被去掉，所述距离Ｌ满足下面的表达式Ｒ≤Ｌ≤３Ｒ。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及III-V族化合物半导体晶片，更准确地说，本专利技术涉及有以汽相外延法生长的外延层的III-V族化合物半导体晶片。近来光通信的进展使得光电二极管或类似的产品的产量增加。例如，InP的光电二极管(此后称为pin-PD)以氯化物汽相外延法在磷化铟衬底(此后称为InP)上生长外延层来制备。为了制备pin-PD，通过把InP晶锭切割成薄片，并把每一薄片倒角、研磨和抛光来形成InP衬底。然后，在这衬底上外延生长III-V族化合物层来制备InP晶片，从而能在这InP晶片上形成Zn扩散层、保护膜等等。虽然生长成直径为两英寸的InP晶片通常被切割成矩形，此后进行形成Zn扩散层等等的器件工艺过程，但近来晶片以两英寸直径的园形来进行器件工艺过程，以便减少成本。通常镊子要夹的或者机器支承以便输送的InP晶片的端部会在器件工艺过程中破裂。为了防止出现这种情况，衬底的端部通常被倒角。例如，公开让公众审查的日本技术No.58-103144(1983)描述了在GaAs衬底上形成规定的倒角部分的技术，以便防止在镜面研磨中裂开或在阶跃移动中破裂。另一方面，公开让公众审查的日本专利No.6-6120本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体晶片（１０），它包括包含Ⅲ－Ⅴ族化合物的半导体衬底（１）和在所述半导体衬底（１）上形成的Ⅲ－Ⅴ族化合物层（２），其特征在于： 从所述Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体晶片（１０）的外周边缘部分去除外延反常生长部分。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 1997-5-22 132033/971.一种III-V族化合物半导体晶片(10)，它包括包含III-V族化合物的半导体衬底(1)和在所述半导体衬底(1)上形成的III-V族化合物层(2)，其特征在于从所述III-V族化合物半导体晶片(10)的外周边缘部分去除外延反常生长部分。2.根据权利要求1的III-V族化合物半导体晶片(10)，其特征在于所述III-V族化合物半导体晶片(10)的一部分被削去到这样的位置，即，离开III-V族化合物半导体晶片(10)的外周边缘部分有L的距离。3.根据权利要求1的III-V族化合物半导体晶片(10)，其特征在于去掉所述部分后所形成的所述III-V族化合物半导体晶片的所述外周边缘的表面粗糙度Rmax不大于2μ...

【专利技术属性】
技术研发人员：三浦祥纪，森本俊之，
申请(专利权)人：住友电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]