制备半导体器件的方法技术

提供了一种可以确保形成ＤＲＡＭ中的半球形硅晶颗粒的方法，其中ＤＲＡＭ具有堆栈电容器结构，该方法可以将足量的杂质引入半球形硅晶颗粒并防止耗尽引起的电容器退化。第一硅薄膜在具有ＭＯＳ晶体管的衬底上制成预定形状，然后在其表面形成自生氧化层。形成含有杂质的第二硅薄膜和不含杂质的第三硅薄膜，然后在不将其暴露在空气中的条件下进行退火处理，形成半球形硅晶颗粒。将电极分离形成存储电极，最后形成介质薄膜和平板电极，制成电容器。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体器件，具体地讲，涉及制备具有电容器的半导体器件的方法，例如DRAM(动态随机访问存储器)。通过使存储器单元微型化，由一个三极管和一个电容器构成其存储器的DRAM被高度地集成在一起。随着存储器单元面积的减少，电容器占据的面积也随之减小，因此，很难获得软误差阻抗(softerror resistance)所需的电荷储存能力(大约25fF)。现在，称为堆栈类型(stack type)的存储电极得到广泛的应用，在存储电极表面形成微小的半球形硅晶颗粒，即HSG-Si(半球形颗粒硅)，以便增加电极的有效表面积的技术也得到应用。通过在非晶态-晶态转变温度范围内对清洁的非晶硅薄膜表面进行退火处理，使非晶硅薄膜表面上形成晶核，然后利用硅原子的表面迁移作用使晶核生长，进而完成了HSG-Si的制备过程。因此，要求作为母体的非晶硅薄膜表面是一个清洁的、没有自生氧化层和有机杂质的表面，还要求制备HSG-Si的退火环境是高真空环境或者是非氧化环境。此外，结晶硅表面比非晶硅表面更稳定，在结晶硅表面，很少发生硅原子的表面迁移现象，所以不会形成任何HSG-Si。因此，形成HSG-Si的表面必本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制备具有电容器的半导体器件的方法，电容器具有上层电极、介质薄膜和下层电极，其中下层电极通过以下步骤形成：形成第一硅薄膜的步骤，该硅薄膜包含杂质并通过真空化学汽相生长的方法以非晶态或多晶态的形式生长在半导体衬底的一个主表面上；将第一硅薄膜制成预定形状的步骤；在第一硅薄膜表面形成自生氧化层的步骤；形成第二硅薄膜的步骤，该硅薄膜含有杂质并通过真空化学汽相生长的方法以非晶态的形式生长；形成第三硅薄膜的步骤，该硅薄膜不含杂质并通过真空化学汽相生长的方法，在不将同一部分暴露在空气中的条件下，以非晶态的形式生长；在不将同一部分暴露在空气中的非氧化环境里对第三硅薄膜进行退火处理的步骤，使第三硅薄膜结晶，由...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 1997-6-5 148123/971.一种制备具有电容器的半导体器件的方法，电容器具有上层电极、介质薄膜和下层电极，其中下层电极通过以下步骤形成形成第一硅薄膜的步骤，该硅薄膜包含杂质并通过真空化学汽相生长的方法以非晶态或多晶态的形式生长在半导体衬底的一个主表面上；将第一硅薄膜制成预定形状的步骤；在第一硅薄膜表面形成自生氧化层的步骤；形成第二硅薄膜的步骤，该硅薄膜含有杂质并通过真空化学汽相生长的方法以非晶态的形式生长；形成第三硅薄膜的步骤，该硅薄膜不含杂质并通过真空化学汽相生长的方法，在不将同一部分暴露在空气中的条件下，以非晶态的形式生长；在不将同...

【专利技术属性】
技术研发人员：广田俊幸，
申请(专利权)人：日本电气株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]