温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种由Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体构成的晶片（２１）包括由Ⅲ－Ⅴ族化合物构成的衬底（２２）和在衬底（２２）上形成的Ⅲ－Ⅴ族化合物层构成的外延层（２６），半导体衬底的外周边缘部分被这样倒角，使得其截面大体上是半径为Ｒ的弧形。离开衬底（２２）的外周边缘...
该专利属于住友电气工业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过住友电气工业株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。