一种取代GPP工艺的新芯片的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种取代GPP工艺的新芯片的制备方法，经过扩散、一次匀胶、一次光刻、蚀刻、一次去光刻胶、清洗、匀PI胶、PI胶预固化、二次匀胶、二次光刻、去除PI胶、二次去光刻胶、PI胶固化、点测、划片和裂片工序，完成取代GPP工艺的新芯片的制备；本发明专利技术制备得到的产品替换玻璃钝化保护的GPP芯片，其具有很低的漏电流、较强的机械性能以及耐化学腐蚀性能，同时，PI胶在扩散片表面形成的PI膜可以有效的阻挡潮气，增加器件抗潮湿能力，改善了芯片电学性能，提高了芯片可靠性，而且本发明专利技术制备工艺简单，生产成本低，热处理温度、能耗低且产出率也得到了大大提升。了大大提升。了大大提升。

【技术实现步骤摘要】
一种取代GPP工艺的新芯片的制备方法


[0001]本专利技术涉及芯片加工领域，具体涉及一种取代GPP工艺的新芯片的制备方法。

技术介绍

[0002]在半导体芯片制作的过程中，现有的主要采用GPP芯片工艺，其步骤经过扩散、一次光刻、蚀刻沟槽、Sipos/Sin钝化保护、玻璃钝化保护、LTO钝化保护、三次光刻、去氧化、镀镍金、切割，然后封装测试。这种传统的GPP芯片工艺工序繁多，生产流程长，破片率高，生产成本也高。芯片的漏电流是不可避免的，目前所销售的GPP芯片多为方形，部分为六角形，芯片的漏电流会随着芯片的温度提高而增加放大，随着漏电流的增加放大会导致芯片的损坏失效或是严重的炸管，抗反向浪涌电流能力差，可靠性能差。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种取代GPP工艺的新芯片的制备方法，以解决上述
技术介绍
提出的目前的玻璃钝化保护的GPP芯片漏电流、生产成本高、工序繁多、能耗高的问题。
[0004]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种取代GPP工艺的新芯片的制备方法，经过扩散、一次匀胶、一次光刻、本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种取代GPP工艺的新芯片的制备方法，其特征在于：经过扩散、一次匀胶、一次光刻、蚀刻、一次去光刻胶、清洗、匀PI胶、PI胶预固化、二次匀胶、二次光刻、去除PI胶、二次去光刻胶、PI胶固化、点测、划片和裂片工序，完成取代GPP工艺的新芯片的制备；具体步骤如下：（1）扩散：原晶片在高温下进行磷、硼扩散，形成P+
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N
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N+结构，根据产品特性不同，可选择进行铂扩散，然后进行晶片表面金属化，得到扩散片，将扩散片脱水烘干；（2）一次匀胶：将光刻胶用旋转涂胶机涂布在扩散片的表面，然后将涂胶后的扩散片放入烘箱中进行烘烤；（3）一次光刻：将烘烤后的扩散片以对位光刻机进行图形转移；再以显影液将所需图形显现出来，转入烘箱90
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140℃的烘箱内进行烘烤30
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50分钟；（4）蚀刻：用混合酸将裸露出来的扩散片进行蚀刻，蚀刻深度为110
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160μm；（5）一次去光刻胶：用剥离液将蚀刻后的扩散片表面的光刻胶去除；（6）清洗：将去完光刻胶扩散片放置于碱溶液a中进行碱洗，去除沟槽里的杂质；（7）匀PI胶：将PI胶用旋转涂胶机涂布在清洗后的扩散片沟槽里及表面；（8）PI胶预固化：将匀好PI胶扩散片放置于烘箱里进行烘烤；（9）二次匀胶：将光刻胶用旋转涂胶机涂布在PI胶预固化后的扩散片表面及沟槽里，然后放入80
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130℃的烘箱内进行烘烤20
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40分钟；（10）二次光刻：将烘烤后的二次匀胶的扩散片用对位光刻机进行图形转移，再用显影液将所需图形显现出来后，转入温度为90
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140℃的烘箱内进行烘烤30
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50分钟；（11）去除PI胶：将二次光刻后的扩散片放入碱溶液b中进行浸泡，去除扩散片沟槽里的PI胶；（12）二次去光刻胶：用剥离液将扩散片表面的光刻胶去除；（13）PI胶固化：将去完二次光刻胶的扩散片放置于150
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300℃的烘箱里进行固化10
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20h；（14）点测：从PI胶固化烘箱里取出扩散片放置于点测机上进行电性测试；（15）划片：将点测后的扩散片放置于激光划片机上，按对应尺寸进行划片；...

【专利技术属性】
技术研发人员：王志敏，
申请(专利权)人：如皋市大昌电子有限公司，
类型：发明
国别省市：