一种取代GPP工艺的新芯片的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种取代GPP工艺的新芯片的制备方法，经过扩散、一次匀胶、一次光刻、蚀刻、一次去光刻胶、清洗、匀PI胶、PI胶预固化、二次匀胶、二次光刻、去除PI胶、二次去光刻胶、PI胶固化、点测、划片和裂片工序，完成取代GPP工艺的新芯片的制备；本发明专利技术制备得到的产品替换玻璃钝化保护的GPP芯片，其具有很低的漏电流、较强的机械性能以及耐化学腐蚀性能，同时，PI胶在扩散片表面形成的PI膜可以有效的阻挡潮气，增加器件抗潮湿能力，改善了芯片电学性能，提高了芯片可靠性，而且本发明专利技术制备工艺简单，生产成本低，热处理温度、能耗低且产出率也得到了大大提升。了大大提升。了大大提升。

【技术实现步骤摘要】
一种取代GPP工艺的新芯片的制备方法


[0001]本专利技术涉及芯片加工领域，具体涉及一种取代GPP工艺的新芯片的制备方法。

技术介绍

[0002]在半导体芯片制作的过程中，现有的主要采用GPP芯片工艺，其步骤经过扩散、一次光刻、蚀刻沟槽、Sipos/Sin钝化保护、玻璃钝化保护、LTO钝化保护、三次光刻、去氧化、镀镍金、切割，然后封装测试。这种传统的GPP芯片工艺工序繁多，生产流程长，破片率高，生产成本也高。芯片的漏电流是不可避免的，目前所销售的GPP芯片多为方形，部分为六角形，芯片的漏电流会随着芯片的温度提高而增加放大，随着漏电流的增加放大会导致芯片的损坏失效或是严重的炸管，抗反向浪涌电流能力差，可靠性能差。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种取代GPP工艺的新芯片的制备方法，以解决上述
技术介绍
提出的目前的玻璃钝化保护的GPP芯片漏电流、生产成本高、工序繁多、能耗高的问题。
[0004]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种取代GPP工艺的新芯片的制备方法，经过扩散、一次匀胶、一次光刻、蚀刻、一次去光刻胶、清洗、匀PI胶、PI胶预固化、二次匀胶、二次光刻、去除PI胶、二次去光刻胶、PI胶固化、点测、划片和裂片工序，完成取代GPP工艺的新芯片的制备；具体步骤如下：（1）扩散：在晶片表面沉积一层磷和硼，形成P+
‑
N
‑
N+结构，得到扩散片，然后将扩散片放入脱水烘干机中进行脱水烘干处理；（2）一次匀胶：将光刻胶用旋转涂胶机涂布在扩散片的表面，然后将涂胶后的扩散片放入烘箱中进行烘烤；（3）一次光刻：将烘烤后的扩散片以对位光刻机进行图形转移；再以显影液将所需图形显现出来，转入烘箱90
‑
140℃的烘箱内进行烘烤30
‑
50分钟；（4）蚀刻：用混合酸将裸露出来的扩散片进行蚀刻，蚀刻深度为110
‑
160μm；（5）一次去光刻胶：用剥离液将蚀刻后的扩散片表面的光刻胶去除；（6）清洗：将去完光刻胶扩散片放置于碱溶液a中进行碱洗，去除沟槽里的杂质；（7）匀PI胶：将PI胶用旋转涂胶机涂布在清洗后的扩散片沟槽里及表面；（8）PI胶预固化：将匀好PI胶扩散片放置于烘箱里进行烘烤；（9）二次匀胶：将光刻胶用旋转涂胶机涂布在PI胶预固化后的扩散片表面及沟槽里，然后放入80
‑
130℃的烘箱内进行烘烤20
‑
40分钟；（10）二次光刻：将烘烤后的二次匀胶的扩散片用对位光刻机进行图形转移，再用显影液将所需图形显现出来后，转入温度为90
‑
140℃的烘箱内进行烘烤30
‑
50分钟；（11）去除PI胶：将二次光刻后的扩散片放入碱溶液b中进行浸泡，去除扩散片沟槽里的PI胶；（12）二次去光刻胶：用剥离液将扩散片表面的光刻胶去除；
（13）PI胶固化：将去完二次光刻胶的扩散片放置于150
‑
300℃的烘箱里进行固化10
‑
20h；（14）点测：从PI胶固化烘箱里取出扩散片放置于点测机上进行电性测试；（15）划片：将点测后的扩散片放置于激光划片机上，按对应尺寸进行划片；（16）裂片：将划好的扩散片放置在工作台上，用裂片工具将芯片裂开，合格芯片进行清洗包装处理。
[0005]优选的，所述步骤（1）中的脱水烘干温度为100
‑
120℃，所述脱水时间为20
‑
40min。
[0006]优选的，所述步骤（2）中的烘箱内的温度为80
‑
130℃，所述烘烤时间为20
‑
40分钟。
[0007]优选的，所述步骤（4）中的混合酸选用硝酸、氢氟酸和冰乙酸的混合溶液，所述硝酸、氢氟酸和冰乙酸的混合体积比为3：5：1。
[0008]优选的，所述步骤（5）中的剥离液选用RBL
‑
2304负性光刻胶配套剥离液。
[0009]优选的，所述步骤（6）中的碱溶液a采用质量浓度为2
‑
20%的KOH溶液，碱洗时间为60
‑
180s，所述碱洗温度控制在60
‑
100℃。
[0010]优选的，所述步骤（8）中的烘箱内的温度为80
‑
140℃，所述烘烤时间为30
‑
60分钟。
[0011]优选的，所述步骤（11）中的碱溶液b采用四甲基氢氧化氨溶液，所述碱溶液b温度为60
‑
100℃，所述浸泡时间为60
‑
180s。
[0012]优选的，所述步骤（13）中的固化温度为150
‑
300℃，固化时间为10
‑
20h。
[0013]优选的，所述步骤（15）中的划片深度为10
‑
50μm。
[0014]与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：本专利技术制备得到的产品替换玻璃钝化保护的GPP芯片，其具有很低的漏电流、较强的机械性能以及耐化学腐蚀性能，同时，PI胶在扩散片表面形成的PI膜可以有效的阻挡潮气，增加器件抗潮湿能力，改善了芯片电学性能，提高了芯片可靠性，而且本专利技术制备工艺简单，生产成本低，热处理温度、能耗低且产出率也得到了大大提升。
附图说明
[0015]图1为本专利技术的制备工艺流程图。
具体实施方式
[0016]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0017]实施例1一种取代GPP工艺的新芯片的制备方法，经过扩散、一次匀胶、一次光刻、蚀刻、一次去光刻胶、清洗、匀PI胶、PI胶预固化、二次匀胶、二次光刻、去除PI胶、二次去光刻胶、PI胶固化、点测、划片和裂片工序，完成取代GPP工艺的新芯片的制备；具体步骤如下：（1）扩散：原晶片在高温下进行磷、硼扩散，形成P+
‑
N
‑
N+结构，根据产品特性不同，可选择进行铂扩散，然后进行晶片表面金属化，得到扩散片，将扩散片脱水烘干。脱水烘干温度为100℃，时间为20min。
[0018]（2）一次匀胶：将光刻胶用旋转涂胶机涂布在扩散片的表面，然后将涂胶后的扩散片放入烘箱中进行烘烤，烘箱内的温度为80℃，烘烤时间为20分钟。
[0019]（3）一次光刻：将烘烤后的扩散片以对位光刻机进行图形转移；再以显影液将所需图形显现出来，转入烘箱90℃的烘箱内进行烘烤30分钟；（4）蚀刻：用混合酸将裸露出来的扩散片进行蚀刻，蚀刻深度为110μm，混合酸选用硝酸、氢氟酸和冰乙酸的混合溶液，所述硝酸、氢氟酸和冰乙酸的混合体积比为3：5：1。
[0020]（5）一次去光刻胶：用剥离液将蚀刻后的扩散片表面的光刻胶去除本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种取代GPP工艺的新芯片的制备方法，其特征在于：经过扩散、一次匀胶、一次光刻、蚀刻、一次去光刻胶、清洗、匀PI胶、PI胶预固化、二次匀胶、二次光刻、去除PI胶、二次去光刻胶、PI胶固化、点测、划片和裂片工序，完成取代GPP工艺的新芯片的制备；具体步骤如下：（1）扩散：原晶片在高温下进行磷、硼扩散，形成P+
‑
N
‑
N+结构，根据产品特性不同，可选择进行铂扩散，然后进行晶片表面金属化，得到扩散片，将扩散片脱水烘干；（2）一次匀胶：将光刻胶用旋转涂胶机涂布在扩散片的表面，然后将涂胶后的扩散片放入烘箱中进行烘烤；（3）一次光刻：将烘烤后的扩散片以对位光刻机进行图形转移；再以显影液将所需图形显现出来，转入烘箱90
‑
140℃的烘箱内进行烘烤30
‑
50分钟；（4）蚀刻：用混合酸将裸露出来的扩散片进行蚀刻，蚀刻深度为110
‑
160μm；（5）一次去光刻胶：用剥离液将蚀刻后的扩散片表面的光刻胶去除；（6）清洗：将去完光刻胶扩散片放置于碱溶液a中进行碱洗，去除沟槽里的杂质；（7）匀PI胶：将PI胶用旋转涂胶机涂布在清洗后的扩散片沟槽里及表面；（8）PI胶预固化：将匀好PI胶扩散片放置于烘箱里进行烘烤；（9）二次匀胶：将光刻胶用旋转涂胶机涂布在PI胶预固化后的扩散片表面及沟槽里，然后放入80
‑
130℃的烘箱内进行烘烤20
‑
40分钟；（10）二次光刻：将烘烤后的二次匀胶的扩散片用对位光刻机进行图形转移，再用显影液将所需图形显现出来后，转入温度为90
‑
140℃的烘箱内进行烘烤30
‑
50分钟；（11）去除PI胶：将二次光刻后的扩散片放入碱溶液b中进行浸泡，去除扩散片沟槽里的PI胶；（12）二次去光刻胶：用剥离液将扩散片表面的光刻胶去除；（13）PI胶固化：将去完二次光刻胶的扩散片放置于150
‑
300℃的烘箱里进行固化10
‑
20h；（14）点测：从PI胶固化烘箱里取出扩散片放置于点测机上进行电性测试；（15）划片：将点测后的扩散片放置于激光划片机上，按对应尺寸进行划片；...

【专利技术属性】
技术研发人员：王志敏，
申请(专利权)人：如皋市大昌电子有限公司，
类型：发明
国别省市：