半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术的目的是提供能够在具备半导体元件的结构中抑制静电破坏的半导体装置的制造方法，半导体元件具有感测单元部。本发明专利技术涉及的半导体装置的制造方法具有以下工序：(a)将各半导体元件(1)及中继基板(2)接合于导体板(3)之上；(b)通过导线(17)将各半导体元件的各信号焊盘与中继基板的各控制焊盘连接；(c)将第1电极材料(18)接合于各半导体元件之上；(d)将具有短接部(21)的第2电极材料(19)接合于中继基板之上，短接部将各控制焊盘短接；(e)通过封装树脂(23)将导体板、各半导体元件、中继基板、第1电极材料及第2电极材料进行封装；以及(f)对封装树脂进行磨削而将短接部去除，使第2电极材料的一部分露出。电极材料的一部分露出。电极材料的一部分露出。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置的制造方法


[0001]本专利技术涉及具有半导体元件的半导体装置的制造方法，该半导体元件具有感测单元部。

技术介绍

[0002]当前，公开了经过以下工序进行制作的半导体装置，即，将配线用元件(中继基板)和多个半导体元件接合于导体板之上，通过在配线用元件之上形成的内部配线(配线图案)将各半导体元件的控制焊盘并联连接，在配线用元件之上安装由铜构成的导体片(信号端子)后通过封装树脂进行封装，对该封装树脂进行磨削而使各导体片露出至表面(例如，参照专利文献1)。
[0003]专利文献1：国际公开第2020/110170号
[0004]在专利文献1中存在以下问题，即，例如在通过封装树脂对具有主单元部和与该主单元部相比分流比小的感测单元部(例如，电流感测单元等)的半导体元件进行了封装的情况下，如果将半导体元件的周边覆盖的封装树脂带电，则在进行处理时，特别地，在对封装树脂的上表面进行磨削而使各导体片露出时，在感测单元部产生静电破坏，半导体装置的成品率下降。感测单元部例如具有栅极氧化膜以及层间膜等薄的绝缘膜，由于由静电引起的过电压，这样本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置的制造方法，该半导体装置具有：多个半导体元件，它们包含具有主单元部和至少1个感测单元部并设置有与所述主单元部以及所述感测单元部各自对应的多个信号焊盘的半导体元件；以及中继基板，其设置有多个控制焊盘，该半导体装置的制造方法具有以下工序：工序(a)，将各所述半导体元件以及所述中继基板接合于导体板之上；工序(b)，通过导线将各所述半导体元件的各所述信号焊盘与所述中继基板的各所述控制焊盘进行连接；工序(c)，将第1电极材料接合于各所述半导体元件之上；工序(d)，将具有短接部的第2电极材料接合于所述中继基板之上，该短接部将各所述控制焊盘短接；工序(e)，通过树脂将所述导体板、各所述半导体元件、所述中继基板、所述第1电极材料以及所述第2电极材料进行封装；以及工序(f)，对所述树脂进行磨削而将所述短接部去除，使所述第2电极材料的一部分露出。2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，所述半导体元件由SiC构成，所述中继基板由Si构成。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其中，所述中继基板具有与各所述控制焊盘电连接的多个控制端子，所述第2电极材料具有与各所述控制端子对应的多个连接部和将各所述连接部连接的所述短接部。4.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其中，各所述连接部与所述短接部一体地形成。5.根据权利要求3所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：中田洋辅，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：