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本发明的目的是提供能够在具备半导体元件的结构中抑制静电破坏的半导体装置的制造方法，半导体元件具有感测单元部。本发明涉及的半导体装置的制造方法具有以下工序：(a)将各半导体元件(1)及中继基板(2)接合于导体板(3)之上；(b)通过导线(17...
该专利属于三菱电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三菱电机株式会社授权不得商用。

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