【技术实现步骤摘要】
半导体结构的键合方法和半导体设备
[0001]本公开涉及半导体
，尤其涉及一种半导体结构的键合方法和半导体设备。
技术介绍
[0002]在半导体制造过程中，通常需要对半导体结构的各个表面进行各种工艺处理。随着半导体行业的发展，对半导体结构的集成度和功能的要求越来越高封装技术在半导体产品中扮演着越来越重要的角色。在电子设备的内部结构中，半导体结构例如芯片、功能元器件等的密集度不断增加，而器件关键尺寸不断较小，这给半导体封装行业带来极大挑战。
[0003]相关技术中，半导体结构的封装工艺制程中，具有键合面的半导体结构会被多次翻转，从而不可避免的造成半导体结构的键合面被污染，降低了半导体结构的键合效率和键合质量。
技术实现思路
[0004]以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
[0005]本公开提供一种半导体结构的键合方法和半导体设备。
[0006]本公开实施例的第一方面提供了一种半导体结构的键合方法，包括：
[0007]提供第一半导体结...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的键合方法，其特征在于，包括：提供第一半导体结构，所述第一半导体结构具有相对设置的第一面和第二面；对所述第一面或所述第二面进行处理，使所述第一面或所述第二面上形成至少一个第一单体，其中，所述第一单体具有第一键合面；对所述第一半导体结构进行扩片处理；提供具有至少一个第二单体的第二半导体结构，所述第二单体具有第二键合面，所述第二半导体结构固定；整体翻转所述第一半导体结构，使所述至少一个第一单体的第一键合面与所述至少一个第二单体的第二键合面相对；对所述至少一个第一单体和所述至少一个第二单体进行对准处理，使所述第一键合面与所述第二键合面对准；所述第一键合面和所述第二键合面键合连接。2.根据权利要求1所述的半导体结构的键合方法，其特征在于，在整体翻转所述第一半导体结构，使所述第一键合面与所述第二键合面相对中，包括：以所述第一半导体结构的任意一条中轴线为旋转轴，所述第一半导体结构旋转第一预设角度，以使所述第一键合面与所述第二键合面相对；或者，所述第一半导体结构具有曲线边缘，以所述第一半导体结构的任意一条边缘切线，或者，与所述边缘切线相互平行的平行线为翻转轴，所述第一半导体结构整体翻转第二预设角度，以使所述第一键合面与所述第二键合面相对。3.根据权利要求1所述的半导体结构的键合方法，其特征在于，在对所述第一半导体结构和所述第二半导体结构进行对准处理中，包括：获取所述第一单体的第一中心点和第一标志；获取所述第二单体的第二中心点和第二标志；使所述第一中心点与所述第二中心点重合、所述第一标志与所述第二标志重合。4.根据权利要求3所述的半导体结构的键合方法，其特征在于，在获取所述第一单体的第一中心点和第一标志中，包括：在所述第一键合面上进行第一标记处理，其中，所述第一标记处理包括在所述第一键合面上添加第一标记点和第二标记点，所述第一标记点的形状与所述第二标记点的形状不同，且所述第一标记点与所述第二标记点斜对角设置；在获取所述第二单体的第二中心点和第二标志中，包括：在所述第二键合面上进行第二标记处理，其中，所述第二标记处理包括在所述第二键合面上添加第三标记点和第四标记点，所述第三标记点的形状与所述第四标记点的形状不同，且所述第三标记点与所述第四标记点斜对角设置。5.根据权利要求4所述的半导体结构的键合方法，其特征在于，所述第一单体为方形，所述第一标记点的个数为一个，所述第二标记点的个数为大于等于1的奇数个；在所述第一键合面上进行第一标记处理中，包括：将所述第一标记点布置于所述第一键合面的多个顶角中的一个顶角处，将奇数个所述第二标记点布置于所述第一键合面的多个顶角中的其余顶角处；
其中，所述第一标记点同与其呈对对角的顶角处的所述第二标记点之间形成第一虚拟连线，剩余的所述第二标记点之间形成第二虚拟连线，所述第一虚拟连线与所述第二虚拟连线的交点形成所述第一中心点；所述第二单体为方形，所述第三标记点和所述第四标记点的个数均为一个；在所述第二键合面上进行第二标记处理中，包括：将所述第三标记点布置于所述第二键合面的多个顶角中的一个顶角处，所述第四标记点布置于与所述第三标记点呈对对角的顶角处；其中，所述第三标记点和所述第四标记点之间形成第三虚拟连线，所述第三虚拟连线的中点为所述第二...
【专利技术属性】
技术研发人员：任小亮，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。