【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及领域为使用一种新型有机硅源材料，即二(叔丁基氨基)硅烷进行二氧化硅和氧氮化硅膜的化学蒸汽淀积。本专利技术使利用同样的有机硅源、温度和压力，只是改变反应气体就能淀积出不同的介电材料。在制造半导体器件时，化学惰性的介电材料，象二氧化硅、氧氮化硅和氮化硅膜的钝性薄层是很重要的。这些介电膜薄层的功能是作为扩散遮盖层、氧化屏蔽层、具有高介电击穿电压的金属间介电材料和作为钝化层。对于半导体工业的标准二氧化硅和氧氮化硅生长方法是在高于400℃的热壁上进行低压化学蒸汽淀积。使用硅烷和氧在400℃以上，通过在800℃以上用二氯硅烷和N2O，和用四乙氧基硅烷在650℃以上，在大量硅晶片上进行二氧化硅淀积。使用二氯硅烷、N2O和NH3在750℃以上，得到氧氮化硅的淀积物。见葛雷E.麦高列(Gary E.McGuire)编的《半导体和加工技术手册》(Semiconductor and Process technology handbook)新泽西，诺叶斯(Noyes)出版社(1988)289至301页；和沃尔夫(Wolf)、斯塔里(Stanley)和塔白特(Talbe...
【技术保护点】
一种在基底上淀积选自由二氧化硅和氧氮化硅所组成的组的含氧硅化合物膜的方法，该方法通过在高温下让二（叔丁基氨基）硅烷，当所述硅化合物是二氧化硅时与选自由氧、臭氧和其混合物所组成的组的反应气体反应，或者当所述硅化合物是氧氮化硅时与选自由氧化氮、氨和其混合物所组成的组的反应气体反应来进行。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 1998-6-11 09/0958181.一种在基底上淀积选自由二氧化硅和氧氮化硅所组成的组的含氧硅化合物膜的方法，该方法通过在高温下让二(叔丁基氨基)硅烷，当所述硅化合物是二氧化硅时与选自由氧、臭氧和其混合物所组成的组的反应气体反应，或者当所述硅化合物是氧氮化硅时与选自由氧化氮、氨和其混合物所组成的组的反应气体反应来进行。2.按权利要求1所述的方法，其特征在于，基底的温度范围为大约500-800℃。3.按权利要求1所述的方法，其特征在于，压力为20毫乇至1大气压。4.按权利要求1所述的方法，其特征在于，反应气体与硅烷的摩尔比大于大约1∶1。5.按权利要求1所述的方法，其特征在于，基底是硅。6.按权利要求1所述的方法，其特征在于，基底是一电子器件。7.按权利要求1所述的方法，其特征在于，基底是一平板显示器。8.一种用于在一反应区内在一基底上化学蒸汽淀积二氧化硅的方法，该方法包括如下的步骤a)在所述反应区内将所述基底加热至大约500-800℃的温度范围；b)在所述反应区内保持基底在大约20毫乇至1大气压的压力下；c)向所述反应区引入反应气体氧和通式为(t-C4H9NH)2SiH2的硅烷，使所述反应气体与所述硅烷反应；以及d)保持a)至c)的条件...
【专利技术属性】
技术研发人员：RK拉西曼，DA罗伯特斯，AK霍赫伯格，
申请(专利权)人：气体产品与化学公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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