一种减少硅基OLED电学串扰的结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种减少硅基OLED电学串扰的结构，所述结构包括：空穴注入层HIL及在像素间的空穴注入层HIL上设置的用于阻断横向电流的电流横向阻断结构。电流横向阻断槽切断像素在空穴注入层HIL上的电流横向导通路径；降低像素间的电学crosstalk，可以改善产品功耗；有利于提高产品色纯度(色域)和产品对比度。度。度。

【技术实现步骤摘要】
一种减少硅基OLED电学串扰的结构


[0001]本技术属于OLED
，更具体地，本技术涉及一种减少硅基OLED电学串扰的结构。

技术介绍

[0002]与传统的AMOLED显示技术相比，硅基OLED微显示以单晶硅芯片为基底并借助于成熟的CMOS工艺使其像素尺寸更小、集成度更高，可制作成媲美大屏显示的近眼显示产品而受到广泛关注。基于其技术优势和广阔的市场，在军事以及消费电子领域，硅基OLED微显示都将掀起近眼显示的新浪潮，为用户带来前所未有的视觉体验。
[0003]现有的高ppi硅基OLED全彩产品大多数采用WOLED(白光OLED)+CF(彩色滤光片)技术，如图1所示，采用的器件结构一般为二叠层或者单层Single OLED硅基微显示器件。无论是Single OLED硅基微显示器件或者TandemSingle OLED硅基微显示器件都面临着严重的Crosstalk的问题，尤其是Tandem器件由于其中包含CGL存在，电学Crosstalk更为严重。Crosstalk的存在会严重影响产品的对比度和产品的色纯度等光学参数。目前业界一般采用图形化PDL或者增大PDL的角度要来解决这个问题。但是调整PDL虽然会减弱像素间的横向电流导通，但PDL角度过大同样会导致阴极断裂，严重影响产品良率。

技术实现思路

[0004]本技术提供了一种减少硅基OLED电学串扰的结构，旨在改善上述问题。
[0005]为了实现上述目的，一种减少硅基OLED电学串扰的结构，所述结构包括：
[0006]空穴注入层HIL及在像素间的空穴注入层HIL上设置的用于阻断横向电流的电流横向阻断结构。
[0007]进一步的，Tandem OLED硅基微显示装置包括：
[0008]电荷产生层CGL及在像素间的电荷产生层CGL上设置的用于阻断横向电流的电流横向阻断结构。
[0009]进一步的，Tandem OLED硅基微显示装置包括：
[0010]有机膜层及在像素间的有机膜层上设置的用于阻断横向电流的电流横向阻断结构，有机膜层沿出光方从下之上依次包括：空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、蓝光电子阻挡层EBL、蓝光发光层B
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EML、电子传输层ETL、电荷产生层CGL。
[0011]进一步的，电流横向阻断结构为电流横向阻断槽。
[0012]进一步的，所述结构还包括：
[0013]阴极，阴极由掺Ag的Mg层及IZO层组成，其中，Mg：Ag的厚度比为9：1～1：9，掺Ag的Mg层厚度范围1～15nm，IZO层的厚度范围为50～150nm。
[0014]本技术的电流横向阻断结构能降低像素间的电学crosstalk，可以改善产品功耗；有利于提高产品色纯度(色域)和产品对比度。
附图说明
[0015]图1为本技术实施例提供的WOLED+CF的硅基OLED器件的结构示意图；
[0016]图2为本技术实施例一提供的Single OLED硅基微显示器件中减少硅基电学串扰结构的结构示意图；
[0017]图3为本技术实施例四提供的Tandem OLED硅基微显示器件中减少硅基电学串扰结构的结构示意图。
具体实施方式
[0018]下面对照附图，通过对实施例的描述，对本技术的具体实施方式作进一步详细的说明，以帮助本领域的技术人员对本技术的技术构思、技术方案有更完整、准确和深入的理解。
[0019]图1为本技术实施例一提供的减少硅基电学串扰的Single OLED硅基微显示器件示意图，为了便于说明，仅示出与本技术实施例相关的部分。
[0020]该结构沿出光方向依次包括：
[0021]硅基板上的图形化阳极，空穴注入层HIL，在像素间的空穴注入层HIL上设置的电流横向阻断槽，空穴传输层HTL、蓝光电子阻挡层EBL、蓝光发光层B
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EML、连接层ITL、绿光发光层G
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EML、红光发光层R
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EML、空穴阻挡层HBL、电子传输层ETL、电子注入层EIL及阴极。
[0022]横向阻断槽切断像素在空穴注入层HIL上的电流横向导通路径，降低像素间的电学crosstalk，可以改善产品功耗；有利于提高产品色纯度(色域)和产品对比度。
[0023]本技术实施例二提供的减少硅基电学串扰的Tandem OLED硅基微显示器件包括：
[0024]在硅基板的图形化阳极，空穴注入层HIL，在像素间的空穴注入层HIL上设置的电流横向阻断槽、空穴传输层HTL、蓝光电子阻挡层EBL、蓝光发光层B
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EML、电子传输层ETL、电荷产生层CGL、空穴传输层HTL、绿光发光层G
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EML、红光发光层R
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EML、空穴阻挡层HBL、电子传输层ETL、电子注入层EIL及阴极。
[0025]电流横向阻断槽切断像素在空穴注入层HIL上的电流横向导通路径，降低像素间的电学crosstalk，可以改善产品功耗；有利于提高产品色纯度(色域)和产品对比度。
[0026]本技术实施例三提供的减少硅基电学串扰的Tandem OLED硅基微显示器件包括：
[0027]在硅基板的图形化阳极，空穴注入层HIL，在像素间的空穴注入层HIL上设置的电流横向阻断槽、空穴传输层HTL、蓝光电子阻挡层EBL、蓝光发光层B
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EML、电子传输层ETL、电荷产生层CGL、在像素间的电荷产生层CGL上设置的电流横向阻断槽，空穴传输层HTL、绿光发光层G
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EML、红光发光层R
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EML、空穴阻挡层HBL、电子传输层ETL、电子注入层EIL及阴极。
[0028]电流横向阻断槽切断像素在空穴注入层HIL及电荷产生层CGL上的电流横向导通路径，进一步的降低像素间的电学crosstalk，可以改善产品功耗；有利于提高产品色纯度(色域)和产品对比度。
[0029]图2为本技术实施例四提供的减少硅基电学串扰的Tandem OLED硅基微显示器件示意图，为了便于说明，仅示出与本技术实施例相关的部分。
[0030]在硅基板的图形化阳极，有机膜层及在像素间的有机膜层上设置的用于阻断横向
电流的电流横向阻断槽，空穴传输层HTL、绿光发光层G
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EML、红光发光层R
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EML、空穴阻挡层HBL、电子传输层ETL、电子注入层EIL及阴极，有机膜层沿出光方从下之上依次包括：空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、蓝光电子阻挡层EBL、蓝光发光层B
‑
EML、电子传输层ETL、电荷产生层CGL。
[0031]电流横向阻断槽切断像素在空穴注入层HIL及电荷产生层CGL上的电流横向导通路径，进一步降低像素间的电学crosstalk，可以改善产品功耗，有利于提高产品色纯度(色域)和产本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种减少硅基OLED电学串扰的结构，其特征在于，所述结构包括：空穴注入层HIL及在像素间的空穴注入层HIL上设置的用于阻断横向电流的电流横向阻断结构；电荷产生层CGL及在像素间的电荷产生层CGL上设置的用于阻断横向电流的电流横向阻断结构。2.如权利要求1所述减少硅基OLED电学串扰的结构，其特征在于，减少硅基OLED电学串扰的结构包括：有机膜层及在像素间的有机膜层上设置的用于阻断横向电流的电流横向阻断结构，有机膜层沿出光方从下之上依次包括：空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、蓝...

【专利技术属性】
技术研发人员：李维维，吕磊，许嵩，刘胜芳，赵铮涛，
申请(专利权)人：安徽熙泰智能科技有限公司，
类型：新型
国别省市：