一种高可靠柔性有机神经形态器件及其制备方法技术

本发明专利技术公开一种高可靠柔性有机神经形态器件及其制备方法。该高可靠柔性有机神经形态器件包括：柔性衬底；底电极，形成在所述柔性衬底上；有机功能层，其为有机物薄膜，形成在所述底电极上；钝化保护层，其为高K氧化物介质，形成在所述有机功能层上；顶电极，形成在所述钝化保护层上。在利用有机功能层保持优异弯曲特性的前提下与空气中的水氧隔离，可以获得更为稳定可靠的神经形态性能。稳定可靠的神经形态性能。稳定可靠的神经形态性能。

【技术实现步骤摘要】
一种高可靠柔性有机神经形态器件及其制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体涉及一种高可靠柔性有机神经形态器件及其制备方法。

技术介绍

[0002]有机神经形态器件由于具有存算一体的功能，可以有效地解决传统计算架构中存储单元与计算单元分离的问题，实现类似人脑的并行计算。由于具有优异的柔韧性和易于掺杂的特点，有机神经形态忆阻器在可穿戴类脑计算电子方面具有广阔的应用前景。
[0003]现存的有机神经形态忆阻器相比于传统的氧化物型神经突触器件更易受到环境湿度等因素的影响，特别是空气中的水容易与有机薄膜反应，从而影响有机器件的性能，表现出较差的可靠性。另一方面，在光刻等集成电路工艺过程中需要用到丙酮等有机溶剂，有机材料功能层非常容易溶解在其中，从而导致有机器件失效。因此，为了实现其在集成电路领域的大面积应用，有机神经形态器件的可靠性问题与CMOS工艺兼容性问题急需解决。
[0004]氧化铪等high
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k材料作为集成电路45nm制程下的关键栅介质材料，具有优异的CMOS工艺兼容性以及环境稳定性，具有应用于本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高可靠柔性有机神经形态器件，其特征在于，包括：柔性衬底；底电极，形成在所述柔性衬底上；有机功能层，其为有机物薄膜，形成在所述底电极上；钝化保护层，其为高K氧化物介质，形成在所述有机功能层上；顶电极，形成在所述钝化保护层上。2.根据权利要求1所述的高可靠柔性有机神经形态器件，其特征在于，所述柔性衬底为PEN、PI、PET或PDMS。3.根据权利要求1所述的高可靠柔性有机神经形态器件，其特征在于，所述高K氧化物介质为HfO2，ZrO2，TiO2或Ta2O5。4.根据权利要求1所述的高可靠柔性有机神经形态器件，其特征在于，所述有机物薄膜为并五苯，聚(3
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己基)噻吩或聚乙烯吡咯烷酮。5.根据权利要求1所述的高可靠柔性有机神经形态器件，其特征在于，所述钝化保护层的厚度为5nm。6.一种高可靠柔性有机神经形态器件制备方...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈琳，王天宇，孟佳琳，孙清清，张卫，
申请(专利权)人：复旦大学，
类型：发明
国别省市：