一种阻变存储器制造方法及阻变存储器技术

本发明专利技术提供了一种阻变存储器的制造方法，包括：在衬底上制备底电极层，底电极层材料为铝；通过氧等离子处理方法在底电极层上制备缓冲层，缓冲层材料为氧化铝；在缓冲层上制备阻变层；在阻变层上制备顶电极层。该阻变存储器的制造方法既能提升器件性能，也足够简单。本发明专利技术还提供了一种阻变存储器，通过上述阻变存储器制造方法获得。储器制造方法获得。储器制造方法获得。

【技术实现步骤摘要】
一种阻变存储器制造方法及阻变存储器


[0001]本专利技术涉及半导体领域，尤其涉及一种阻变存储器制造方法及阻变存储器。

技术介绍

[0002]随着5G通信技术的快速发展和信息全球化的步伐加快，信息传输的速度大大提高，同时伴随而来的是移动数据的爆炸式增长。但是，信息化的快速发展也给其他领域带来了挑战。比如存储器领域，技术的发展意味着对存储器的性能：读写速度、存储容量都提出了更高的要求。与此同时，传统半导体存储器却逐步逼近其物理极限，小型化的发展难以为继。因此，作为新型非易失性存储器的阻变存储器(RRAM)成为业界和科研工作者关注的热点。
[0003]目前报道的RRAM存储器，通常存储窗口较小，对于多级存储来说，一个足够大的存储窗口是先决条件。此外，人们还研究了紫外(UV)辐照、微波辐照和元素掺杂等较为复杂的手段对材料进行各种处理以提高器件性能。未来，如何使用简单有效的制备方法来提升器件的性能，将会是人们最关注的问题之一。
[0004]因此，有必要开发一种新型阻变存储器制造方法及阻变存储器，以避免现有技术中存在的问题。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阻变存储器的制造方法，其特征在于，包括：在衬底上制备底电极层，底电极层材料为铝；通过氧等离子处理方法在底电极层上制备缓冲层，缓冲层材料为氧化铝；在缓冲层上制备阻变层；在阻变层上制备顶电极层。2.根据权利要求1所述的阻变存储器的制造方法，其特征在于，所述氧等离子处理方法在底电极层上制备缓冲层，包括使用氧等离子体清洗机在金属铝表面形成氧化铝薄膜，所述氧等离子清洗机的功率为15
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20W。3.根据权利要求1所述的阻变存储器的制造方法，其特征在于，所述在缓冲层上制备阻变层，包括采用射频磁控溅射法形成铟镓锌氧薄膜作为阻变层。4.根据权利要求3所述的阻变存储器的制造方法，其特征在于，所述射频磁控溅射法形成铟镓锌氧薄膜时，采用的靶材成分为In2O3:Ga2O3:ZnO＝1:1:1mol％。5.根据权利要求4所述的阻变存储器的制造方法，其特征在于，所述射频磁控溅射法形成铟镓锌氧薄膜时，采用的混合气体气氛成分为...

【专利技术属性】
技术研发人员：周鹏，张卫，朱宝，尹睿，奚晶晶，
申请(专利权)人：上海集成电路制造创新中心有限公司，
类型：发明
国别省市：