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本发明提供了一种阻变存储器的制造方法，包括：在衬底上制备底电极层，底电极层材料为铝；通过氧等离子处理方法在底电极层上制备缓冲层，缓冲层材料为氧化铝；在缓冲层上制备阻变层；在阻变层上制备顶电极层。该阻变存储器的制造方法既能提升器件性能，也足够...
该专利属于上海集成电路制造创新中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路制造创新中心有限公司授权不得商用。

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