【技术实现步骤摘要】
一种操作电压可调控的阻变存储器及制备方法
[0001]
：本专利技术涉及存储器
，特别是涉及一种操作电压可调控的阻变存储器及制备方法。
[0002]
技术介绍
：人脑神经能够摆脱传统冯诺依曼计算机瓶颈限制，并行处理大量的实时数据任务，在模式识别、图像思维、联想记忆等方面显示出巨大的优势。如何从人脑神经系统中得到启发，构造新型电子神经器件，搭建类人脑神经系统电路，成为首要解决的任务和当前研究热点。目前基于忆阻器的类脑神经模拟研究还处于初始阶段，国际上研究人员主要是将具有存储功能的忆阻器作为电子突触器件并实现突触可塑性这一人脑认知的关键功能，并取得了一系列开创性进展。
[0003]RRAM通过电压使器件的高阻态和低阻态这两个状态发生改变，这个电压称为状态操作电压。使RRAM从高阻态向低阻态转变的电压称为设置电压，使低阻态向高阻态转变的电压称为重置电压。目前，RRAM应用面临的重要问题之一是操作电压不可调控，操作电压不可调控将会导致器件阻态出现大幅度的变化，出现数据的误读，进而影响RRAM寿命，使器件提前失效。
[0004]专利技术...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种操作电压可调控的阻变存储器，包括自下而上依次设置的衬底、底电极、阻变层和顶电极，其特征是：所述阻变层是掺杂有W的Ta2O5薄膜。2.根据权利要求1所述的操作电压可调控的阻变存储器，其特征是：所述阻变层的厚度为40nm
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120nm。3.根据权利要求1所述的操作电压可调控的阻变存储器，其特征是：所述顶电极和底电极分别为金属W和Pt，金属W的厚度为100~300nm，金属Pt的厚度为10~50nm。4.根据权利要求3所述的操作电压可调控的阻变存储器，其特征是：所述阻变层薄膜是通过溶胶
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凝胶制备的W掺杂Ta2O5薄膜。5.根据权利要求1所述的操作电压可调控的阻变存储器，其特征是：所述阻变层中W的摩尔掺杂浓度为1%
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10%。6.一种操作电压可调控的阻变存储器制备方法，其步骤是：步骤一、Ti/SiO2/Si衬底清洗；步骤二、使用电子束蒸发一层Pt薄膜，形成底电极；步骤三、通过乙醇钽、WCl6和2
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乙氧基乙醇制备旋涂溶液，将溶液通过0.2mm超滤膜过滤器过滤并静置16小时形成以进行薄膜旋涂的溶胶，将溶胶在3000~4500 rpm持续30~45秒旋涂，然后在60℃下退火30~60分钟，形成阻变层；步骤四、使...
【专利技术属性】
技术研发人员：武兴会，崔娜娜，陈朝阳，张秋慧，王治骁，黄文祥，
申请(专利权)人：河南工程学院，
类型：发明
国别省市：
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