温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明专利公开了一种操作电压可调控的阻变存储器及制备方法，包括自下而上依次设置的衬底、底电极、阻变层和顶电极，阻变层是掺杂有W的Ta2O5薄膜，其厚度为40
...
该专利属于河南工程学院所有，仅供学习研究参考，未经过河南工程学院授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。