选择元件、存储器单元和存储装置制造方法及图纸

在本发明专利技术中，关于设有多个开关层并根据施加的电压执行选择控制的选择元件，延长了选择元件的可能使用时段。该选择元件设有第一和第二电极、多个开关层和中间电极。第一和第二电极被设为彼此对置。中间电极设置在第一和第二电极之间。多个开关层被设置为夹着中间电极。多个开关层夹着中间电极的方向是第一和第二电极彼此对置的方向。电极彼此对置的方向。电极彼此对置的方向。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】选择元件、存储器单元和存储装置


[0001]本技术涉及选择元件。具体地，本技术涉及响应于施加的电压执行选择控制的选择元件、存储器单元和存储装置。

技术介绍

[0002]近年来，已经开发出以诸如电阻随机存取存储器(ReRAM)和相变随机存取存储器(PRAM)之类的电阻变化型存储器为代表的用于数据存储的非易失性存储器。在使用这种非易失性存储器作为存储装置时，关注交叉点存储器型的配置以减小每单位单元的占地面积以实现大容量。在交叉点型存储器中，存储器元件和选择元件设置在相交线的交点(交叉点)处。选择元件的示例包括使用金属氧化物配置的选择元件、电阻值在特定电压下切换并且因此电流迅速增加(snapback)的选择元件、使用硫属化物材料的选择元件(双向阈值开关(OTS))等。例如，已经提出了使用两个层叠层作为开关层的选择元件(例如，参见专利文献1)。
[0003]引用列表
[0004]专利文献
[0005]专利文献1WO2016/158429

技术实现思路

[0006]技术问题
[0007]在以上提及的传统技术本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种选择元件，包括：彼此对置的第一电极和第二电极；设置在第一电极和第二电极之间的中间电极；和多个开关层，所述多个开关层被配置为在所述对置的方向上夹着所述中间电极。2.根据权利要求1所述的选择元件，其中，所述多个开关层中的每一个当被施加高于预定阈值电压的电压时切换到低电阻状态，并且在其它情况下处于高电阻状态。3.根据权利要求1所述的选择元件，其中所述多个开关层中的至少一个能够双向操作。4.根据权利要求1所述的选择元件，其中所述多个开关层中的至少一个包括负电阻分量。5.根据权利要求1所述的选择元件，其中所述多个开关层中的至少一个包含氧(O)、硫(S)、硒(Se)和碲(Te)中的至少一种。6.根据权利要求1所述的选择元件，其中所述多个开关层中的至少一个包括双向二极管。7.根据权利要求1所述的选择元件，其中所述多个开关层中的至少一个包括MIM二极管和穿通二极管中的至少任何一个。8.根据权利要求1所述的选择元件，其中所述多个开关层中的至少一个包括PN二极管、PIN二极管、PIP二极管、肖特基二极管、雪崩二极管和齐纳二极管中的至少任何一个。9.根据权利要求1所述的选...

【专利技术属性】
技术研发人员：紫牟田雅之，椎本恒则，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：