存储寿命的计算方法以及闪存存储器技术

本发明专利技术提供了一种存储寿命的计算方法以及闪存存储器，计算方法包括：分别获取被置于多个测试环境中的多个相同的待测器件的数据保存性能参数在操作时间上的分布曲线，其中，每个测试环境的操作温度不同，待测器件具有预设数据保存性能标准线，之后，根据多条分布曲线与预设数据保存性能标准线，得到每个待测器件在对应的操作温度下的存储寿命，并将每个操作温度与对应的存储寿命作为一个目标数组，最后，根据多个目标数组拟合出存储寿命随操作温度变化的线性函数，并计算得到待测器件的存储寿命与操作温度的经验关系式，利用该经验关系式可以精确地计算出待测器件在任意操作温度下的存储寿命。下的存储寿命。下的存储寿命。

【技术实现步骤摘要】
存储寿命的计算方法以及闪存存储器


[0001]本专利技术涉及存储器
，尤其涉及一种存储寿命的计算方法以及闪存存储器。

技术介绍

[0002]存储器在目标工作温度下的数据保存(Data Retention，DR)寿命(Time to Failure，TTF)能否满足规格要求，是3D NAND闪存存储器的可靠性评估项目之一。
[0003]现有的评估方法是：为了节省评估时间，常常采用“高温加速”的评估思路。将存储器的目标工作温度以及目标工作温度下的目标数据保存寿命带入预设换算公式，以计算出存储器在测试温度下的测试数据保存寿命，然后将存储器置于温度为测试工作温度、且时长为测试数据保存寿命的测试环境中进行测试，若进行测试后的存储器的相关参数能通过评估标准，则认为目标工作温度下的目标数据保存寿命合格。
[0004]但是，现有技术下的评估方法不能精确地计算出存储器在任意温度下的数据保存寿命。

技术实现思路

[0005]本专利技术提供了一种存储寿命的计算方法以及闪存存储器，有效地解决了无法精确地计算出存储器在任意温度下的数本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储寿命的计算方法，其特征在于，所述计算方法包括：分别获取被置于多个测试环境中的多个相同的待测器件的数据保存性能参数在操作时间上的分布曲线，其中，每个所述测试环境的操作温度不同，所述待测器件具有预设数据保存性能标准线；根据多条所述分布曲线与所述预设数据保存性能标准线，得到每个所述待测器件在对应的所述操作温度下的存储寿命，并将每个所述操作温度与对应的所述存储寿命作为一个目标数组；根据多个所述目标数组拟合出所述存储寿命随所述操作温度变化的线性函数，并根据所述线性函数计算得到所述待测器件的所述存储寿命与所述操作温度的经验关系式。2.根据权利要求1所述的计算方法，其特征在于，所述数据保存性能参数为所述待测器件的电压分布间隔总和，所述预设数据保存性能标准线为所述待测器件的最低电压分布间隔总和，所述分布曲线为不同所述操作温度下，所述待测器件的所述电压分布间隔总和随所述操作时间变化的关系。3.根据权利要求1所述的计算方法，其特征在于，所述根据多条所述分布曲线与所述预设数据保存性能标准线，得到每个所述待测器件在对应的所述操作温度下的存储寿命的步骤，具体包括：取得所述分布曲线与所述预设数据保存性能标准线的直接交点；或，取得所述分布曲线的外推线与所述预设数据保存性能标准线的第一外推交点；其中，所述直接交点以及所述第一外推交点表示所述待测器件在对应的所述操作温度下的存储寿命。4.根据权利要求1所述的计算方法，其特征在于，所述数据保存性能参数为所述待测器件的扇区可被纠错误码最大值，所述预设数据保存性能标准线为所述待测器件的纠错码内存最大值，所述分布曲线为不同所述操作温度下，所述待测器件的所述扇区可被纠错误码最大值随所述操作时间变化的关系。5.根据权利要求4所述的计算方法，其特征在于，所述待测器件具有纠错成功概率标准线，在所述拟合出每个所述待测器件的数据保存性能参数在时间上的分布曲线的步骤之前，还包括：在多个所述操作时间对每个所述待测器件以扇区为单位的误码数量进行采样统计...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄淑颖，樊云杰，王志强，杨盛玮，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：