薄膜晶体管及半导体器件制造技术

ＴＦＴ具有由晶体半导体薄膜形成的沟道形成区，所述晶体半导体薄膜通过热处理使包含硅作为主要成分和锗的非晶半导体薄膜结晶而获得，锗的含量不小于０．１原子％但不大于１０原子％同时添加金属元素，其中：通过电子背反射衍射图样方法测定时，相对于半导体薄膜的表面，不少于２０％的晶格面｛１０１｝具有不大于１０度的角度，相对于半导体薄膜的表面，不多于３％的晶格面｛００１｝具有不大于１０度的角度，以及相对于半导体薄膜的表面，不多于５％的晶格面｛１１１｝具有不大于１０度的角度。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及薄膜晶体管，总的来说利用以多晶硅薄膜为代表的、具有各种方位角的结晶的半导体薄膜(以下简称晶体半导体薄膜)形成的薄膜晶体管，以及利用上述薄膜晶体管形成的一种半导体器件。尤其是，本专利技术涉及形成薄膜晶体管的沟道-形成区、源区和漏区的一种半导体薄膜，以及涉及装配有上述薄膜晶体管的一种半导体器件。在本说明书里，半导体器件表示通过利用半导体特性工作的器件，总的来说包括以液晶显示器和半导体集成电路(微处理器、信号处理电路和高频电路)为代表在内的显示设备。现有技术通过在玻璃衬底上或在石英衬底上形成晶体半导体薄膜来制造薄膜晶体管(以下缩写为TFTs)的技术已有阐述。这种技术的应用在以有源矩阵液晶显示器为代表的平板显示器领域中得以促进。TFTs在像素中用作开关元件或用于形成像素的外围的驱动电路中的元件。硅主要用于形成沟道-形成区、源区、漏区或在TFTs的有源区中的低-浓度漏区(轻掺杂漏LLD)的晶体半导体薄膜的一种材料。具有晶体结构的硅薄膜(以下称为晶体硅薄膜)是对通过等离子体CVD方法或低压CVD方法淀积在衬底上的非晶硅薄膜进行热处理或激光束辐照处理(以下在本说明书中称为激光处理)而形成。然而，在执行热处理中，实施加热必须在不低于600℃的温度、不少于10小时下使非晶硅薄膜结晶。上述处理温度和处理时间并不适合于TFTs的生产率的观点。当考虑液晶显示器作为利用TFTs的应用产品时，大尺寸的加热炉是必需的，以便适用于处理衬底增加的面积，不仅在生产步骤中耗费大量的能源而且难以获得大面积的均匀的晶体。在激光处理的情况下，由于在激光振荡器的输出信号中缺乏稳定性，因而难以获得均匀的晶体。晶体质量中的离散度成为薄膜晶体管特性离散的原因，并且导致液晶显示器和场致(EL)发光显示器件的显示质量退化。还建议了一种技术，该技术通过将促进硅结晶的金属元素掺入非晶硅薄膜，然后在迄今为止被介绍的温度还低的温度下进行热处理形成晶体硅薄膜。例如，根据日本专利申请(Kokai)号7-130652和8-78329，通过将金属元素如镍引入到非晶硅薄膜里，在550℃下实施4小时热处理从而获得晶体硅薄膜。然而，在由上述常规方法形成的晶体硅薄膜中，晶体方位的晶面处于无序状态，并且特定的晶体方位的(晶体的)取向(orientation)的比率低。通过热处理或激光处理获得的晶体硅薄膜析出多个晶粒并取向在{111}面。然而，即使限定晶面方位，取向的比率也不超过整体薄膜的20％。当取向的比率低时，在不同方位的晶体彼此邻接的晶粒界面上保持晶格的连续性几乎是不可能的，并且据估计将形成大量未配对的键。在晶界上未配对的键可能成为吸杂载流子(电子/极点)的中心，认为是载流子输送特性下降的原因。也就是说，尽管是通过利用上述晶体半导体薄膜制造出的TFT，但由于载流子被散射和被俘获，不能期望具有高电-场迁移率的TFT。此外，因为晶粒界面处于无序状态，难以利用具有特定的晶体方位的结晶颗粒形成沟道-形成区，导致TFT的电特性变得离散。专利技术概述本专利技术的一个目的是为了提供解决上述提及的问题的方法，以及为了提供利用晶体半导体薄膜的TFTs，所述晶体半导体薄膜是通过使非晶半导体薄膜结晶获得的并且具有高度的取向，以及提供一种装配有上述TFTs的半导体器件。本专利技术提供一种具有由晶体半导体薄膜形成的沟道-形成区的TFT，所述晶体半导体薄膜通过热处理并且使包含硅作为主要成分以及锗的非晶半导体薄膜结晶获得，当往所述薄膜中里增添金属元素时，锗的含量不小于0.1原子％但不大于10原子％(最好为不小于1原子％、不大于5原子％)，其中当通过电子背反射衍射图样方法测定时，不少于20％的晶格面{101}相对于半导体薄膜的表面具有不大于10度的角度，不多于3％的晶格面{001}相对于半导体薄膜的表面具有不大于10度的角度，以及不多于5％的晶格面{111}相对于半导体薄膜的表面具有不大于10度的角度。本专利技术进一步地提供一种具有由晶体半导体薄膜形成的沟道-形成区的TFT，所述半导体薄膜通过热处理以及使包含硅作为主要成分和锗的非晶半导体薄膜结晶获得，当往所述薄膜中添加的金属元素时，锗的含量不小于0.1原子％但不大于5原子％(最好为不小于1原子％、不大于5原子％)，其中当通过电子背反射衍射图样方法测定时，不少于20％的晶格面{101}相对于半导体薄膜的表面具有不大于5度的角度，不多于3％的晶格面{001}相对于半导体薄膜的表面具有不大于10度的角度，以及不多于5％的晶格面{111}相对于半导体薄膜的表面具有不大于10度的角度。本专利技术进一步地提供一种具有由高度地取向的晶体半导体薄膜形成的沟道-形成区的TFT，所述晶体半导体薄膜具有从20nm到100nm的厚度并且含有浓度小于5×1018/cm3的氮和碳、包含浓度小于1×1019/cm3的氧、并且包含浓度小于1×1017/cm3的金属元素。本专利技术进一步地提供具有由半导体薄膜形成的沟道-形成区的一种半导体器件，所述半导体薄膜通过热处理以及使包含硅作为主要成分和锗的非晶半导体薄膜结晶获得，当往所述薄膜中添加金属元素时，锗的含量不小于0.1原子％但不大于10原子％(最好为不小于1原子％、不大于5原子％)，其中当通过电子背反射衍射图样方法测定时，不少于5％的晶格面{101}相对于半导体薄膜的表面具有不大于10度的角度，不多于3％的晶格面{001}相对于半导体薄膜的表面具有不大于10度的角度，以及不多于5％的晶格面{111}相对于半导体薄膜的表面具有不大于10度的角度。本专利技术进一步地提供具有由半导体薄膜形成的沟道-形成区的一种半导体器件，所述半导体薄膜通过热处理并且使包含硅作为主要组分和锗的非晶半导体薄膜结晶获得，当往所述薄膜中添加金属元素时，锗的含量不小于0.1原子％但不大于5原子％(最好为不小于1原子％、不大于5原子％)，其中当通过电子背反射衍射图样方法测定时，不少于20％的晶格面{101}相对于半导体薄膜的表面具有不大于5度的角度，不多于3％的晶格面{001}相对于半导体薄膜的表面具有不大于10度的角度，以及不多于5％的晶格面{111}相对于半导体薄膜的表面具有不大于10度的角度。本专利技术进一步地提供具有由高度取向的晶体半导体薄膜形成的具有沟道-形成区的一种半导体器件，所述半导体薄膜具有从20nm到100nm的厚度并且含有浓度小于5×1018/cm3的氮和碳、包含浓度小于1×1019/cm3的氧，以及包含浓度小于1×1017/cm3的金属元素。添加的金属元素是从Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt、Cu以及Au中选择出来的一种或多种。对添加金属元素的非晶硅薄膜的进行热处理，从而形成具有金属元素的硅的化合物(硅化合物)。然后这种化合物扩散以促进结晶。添加入非晶硅的锗不与这种化合物反应却滞留在它的边缘中产生局部应变。因此，应力增加成核的临界半径并且，减少成核密度。应力进一步地限制晶体取向。为了产生上述的作用，通过实验已经获悉添加的锗的量必须不小于0.1原子％但不大于10原子％(最好为不小于1原子％但不大于5原子％)。当添加的锗的数量大于上述范围时、自发地并且显著地形成核(晶核不取决于添加金属元素的化合物)，作为硅和锗的合金，使提高所获得的晶体半本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，包括：在包括硅的晶体半导体薄膜中的至少一个沟道形成区，其中：通过电子背反射衍射图方法测定，相对于晶体半导体薄膜的表面、晶体半导体薄膜的不少于２０％的晶格面｛１０１｝具有不大于１０度的角度，相对于晶体半导体薄膜的表面、晶体半导体薄膜的不多于３％的晶格面｛００１｝具有不大于１０度的角度，相对于半导体薄膜的表面、晶体半导体薄膜的不多于５％的晶格面｛１１１｝具有不大于１０度的角度。

【技术特征摘要】
JP 2000-6-13 177641/00;JP 2000-6-12 176188/00;JP 21.一种薄膜晶体管，包括在包括硅的晶体半导体薄膜中的至少一个沟道形成区，其中通过电子背反射衍射图方法测定，相对于晶体半导体薄膜的表面、晶体半导体薄膜的不少于20％的晶格面{101}具有不大于10度的角度，相对于晶体半导体薄膜的表面、晶体半导体薄膜的不多于3％的晶格面{001}具有不大于10度的角度，相对于半导体薄膜的表面、晶体半导体薄膜的不多于5％的晶格面{111}具有不大于10度的角度。2.一种薄膜晶体管，包括在包括硅的晶体半导体薄膜中的至少一个沟道形成区，其中通过电子背反射衍射图方法测定，相对于晶体半导体薄膜的表面、晶体半导体薄膜的不少于5％的晶格面{101}具有不大于5度的角度，相对于晶体半导体薄膜的表面、晶体半导体薄膜的不多于3％的晶格面{001}具有不大于5度的角度，相对于晶体半导体薄膜的表面、晶体半导体薄膜的不多于5％的晶格面{111}具有不大于5度的角度。3.一种薄膜晶体管，包括在包括硅的晶体半导体薄膜中的至少一个沟道形成区，其中通过电子背反射衍射图方法测定，相对于晶体半导体薄膜的表面、晶体半导体薄膜的不少于20％的晶格面{101}具有不大于10度的角度，相对于晶体半导体薄膜的表面、晶体半导体薄膜的不多于3％的晶格面{001}具有不大于10度的角度，相对于晶体半导体薄膜的表面、晶体半导体薄膜的不多于5％的晶格面{111}具有不大于10度的角度。其中晶体半导体薄膜含有每种的浓度小于5×1018/cm3的氮和碳，以及浓度小于1×1019/cm3的氧。4.一种薄膜晶体管，包括在包括硅的晶体半导体薄膜中的至少一个沟道形成区，其中通过电子背反射衍射图方法测定，相对于晶体半导体薄膜的表面、晶体半导体薄膜的不少于5％的晶格面{101}具有不大于5度的角度，相对于晶体半导体薄膜的表面、晶体半导体薄膜的不多于3％的晶格面{001}具有不大于10度的角度，相对于晶体半导体薄膜的表面、晶体半导体薄膜的不多于5％的晶格面{111}具有不大于10度的角度。其中晶体半导体薄膜含有每种的浓度小于5×1018/cm3的氮和碳，以及浓度小于1×1019/cm3的氧。5.一种薄膜晶体管，包括在包括硅的晶体半导体薄膜中的至少一个沟道形成区，其中晶体半导体薄膜含有浓度不小于0.1原子％但不大于10原子％的锗，其中通过电子背反射衍射图方法测定，相对于晶体半导体薄膜的表面、晶体半导体薄膜的不少于20％的晶格面{101}具有不大于10度的角度，相对于晶体半导体薄膜的表面、晶体半导体薄膜的不多于3％的晶格面{001}具有不大于10度的角度，相对于晶体半导体薄膜的表面、晶体半导体薄膜的不多于5％的晶格面{111}具有不大于10度的角度。6.一种薄膜晶体管，包括在包括硅的晶体半导体薄膜中的至少一个沟道形成区，其中晶体半导体薄膜含有浓度不小于0.1原子％但不大于10原子％的锗，其中通过电子背反射衍射图方法测定，相对于晶体半导体薄膜的表面、晶体半导体薄膜的不少于5％的晶格面{101}具有不少于5度的角度，相对于晶体半导体薄膜的表面、晶体半导体薄膜的不多于3％的晶格面{001}具有不大于10度的角度，相对于晶体半导体薄膜的表面、晶体半导体薄膜的不多于5％的晶格面{111}具有不大于10度的角度。7.一种薄膜晶体管，包括在包括硅的晶体半导体薄膜中的至少一个沟道形成区，其中晶体半导体薄膜包含浓度不小于0.1原子％但不大于10原子％的锗，其中通过电子背反射衍射图方法测定，相对于晶体半导体薄膜的表面、晶体半导体薄膜的不少于20％的晶格面{101}具有不大于10度的角度，相对于晶体半导体薄膜的表面、不多于3％的晶格面{001}具有不大于10度的角度，相对于晶体半导体薄膜的表面、晶体半导体薄膜的不多于5％的晶格面{111}具有不大于10度的角度。其中晶体半导体薄膜含有每种的浓度小于5×1018/cm3的氮和碳，以及浓度小于1×1019/cm3的氧。8.一种薄膜晶体管，包括在包括硅的晶体半导体薄膜中的至少一个沟道形成区，其中晶体半导体薄膜含有浓度不小于0.1原子％但不大于10原子％的锗，其中通过电子背反射衍射图方法测定，相对于晶体半导体薄膜的表面、晶体半导体薄膜的不少于5％的晶格面{101}具有不大于5度的角度，相对于晶体半导体薄膜的表面、晶体半导体薄膜的不多于3％的晶格面{001}具有不大于10度的角度，相对于晶体半导体薄膜的表面、晶体半导体薄膜的不多于5％的晶格面{111}具有不大于10度的角度，其中晶体半导体薄膜含有每种的浓度小于5×1018/cm3的氮和碳，以及浓度小于1×1019/cm3的氧。9.根据权利要求1的晶体管，其中晶体半导体薄膜含有浓度小于1×1017/cm3的金属元素。10.根据权利要求1的晶体管，其中晶体半导体薄膜含有从由Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt、Cu以及Au组成的组中选择出来的至少一种或多种金属元素。11.根据权利要求1的晶体管，其中晶体半导体薄膜具有20至100nm范围的厚度。12.一种薄膜晶体管，包括；在晶体半导体薄膜中的至少一个沟道形成区，其中通过加热已添加金属元素的包括硅的非晶半导体薄膜形成的晶体半导体薄膜，其中非晶半导体薄膜薄膜含有浓度不小于0.1原子％但不大于10原子％的锗，其中通过电子背反射衍射图方法测定，相对于晶体半导体薄膜的表面、晶体半导体薄膜的不少于20％的晶格面{101}具有不大于10度的角度，相对于晶体半导体薄膜的表面、晶体半导体薄膜的不多于3％的晶格面{001}具有不大于10度的角度，相对于半导体薄膜的表面、晶体半导体薄膜的不多于5％的晶格面{111}具有不大于10度的角度。13.一种薄膜晶体管，包括在晶体半导体薄膜中的至少一个沟道形成区，其中通过加热已添加金属元素的包括硅的非晶半导体薄膜形成的晶体半导体薄膜，其中非晶半导体薄膜薄膜含有浓度不小于0.1原子％但不大于10原子％的锗，其中通过电子背反射衍射图方法测定，相对于晶体半导体薄膜的表面、晶体半导体薄膜的不少于5％的晶格面{101}具有不大于5度的角度，相对于晶体半导体薄膜的表面、晶体半导体薄膜的不多于3％的晶格面{001}具有不大于10度的角度，相对于半导体薄膜的表面、晶体半导体薄膜的不多于5％的晶格面{111}具有不大于10度的角度。14.一种薄膜晶体管，包括在晶体半导体薄膜中的至少一个沟道形成区，其中通过加热已添加金属元素的包括硅的非晶半导体薄膜形成的晶体半导体薄膜，其中非晶半导体薄膜薄膜包含浓度不小于0.1原子％但不大于10原子％的锗，其中通过电子背反射衍射图方法测定，相对于晶体半导体薄膜的表面、晶体半导体薄膜的不少于20％的晶格面{101}具有不大于10度的角度，相对于晶体半导体薄膜的表面、晶体半导体薄膜的不多于3％的晶格面{001}具有不大于10度的角度，相对于晶体半导体薄膜的表面、晶体半导体薄膜的不多于5％的晶格面{111}具有不大于10度的角度。其中晶体半导体薄膜包含每种的浓度小于5×1018/cm3的氮和碳，以及浓度小于1×1019/cm3的氧。15.一种薄膜晶体管，包括在晶体半导体薄膜中的至少一个沟道形成区，其中通过加热已添加金属元素的包括硅的非晶半导体薄膜形成的晶体半导体薄膜。其中非晶半导体薄膜薄膜包含浓度不小于0.1原子％但不大于10原子％的锗，其中通过电子背反射衍射图方法测定，相对于晶体半导体薄膜的表面、晶体半导体薄膜的不少于5％的晶格面{101}具有不大于5度的角度，相对于晶体半导体薄膜的表面、晶体半导体薄膜的不多于3％的晶格面{001}具有不大于10度的角度，相对于晶体半导体薄膜的表面、晶体半导体薄膜的不多于5％的晶格面{111}具有不大于10度的角度。其中晶体半导体薄膜包含每种的浓度小于5×1018/cm3的氮和碳，以及浓度小于1×1019/cm3的氧。16.根据权利要求12的晶体管，其中金属元素的浓度小于1×1017/cm317.根据权利要求12的晶体管，其中金属元素是从由Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt、Cu以及Au组成的组中选择出来的至少一种。18.根据权利要求12的晶体管，其中晶体半导体薄膜具有在20至100nm范围的厚度。19.根据权利要求1的晶体管，其中晶体半导体薄膜包含氢或者卤族元素。20.一种半导体器件，包括在包括硅的晶体半导体薄膜中的至少一个沟道形成区，其中通过电子背反射衍射图方法测定，相对于晶体半导体薄膜的表面、晶体半导体薄膜的不少于20％的晶格面{101}具有不大于5度的角度，相对于晶体半导体薄膜的表面、晶体半导体薄膜的不多于3％的晶格面{001}具有不大于10度的角度，相对于晶体半导体薄膜的表面、晶体半导体薄膜的不多于5％的晶格面{111}具有不大于10度的角度。21.一种半导体器件，包括在包括硅的晶体半导体薄膜中的至少一个沟道形成区，其中通过电子背反射衍射图方法测定，相对于晶体半导体薄膜的表面、晶体半导体薄膜的不少于5％的晶格面{101}具有不大于5度的角度，相对于晶体半导体薄膜的表面、晶体半导体薄膜的不多于3％的晶格面{001}具有不大于10度的角度，相对于晶体半导体薄膜的表面、晶体半导体薄膜的不多于5％的晶格面{111}具有不大于10度的角度。22.一种半导体器件，包括在包括硅的晶体半导体薄膜中的至少一个沟道形成区，其中通过电子背反射衍射图方法测定，相对于晶体半导体薄膜的表面、晶体半导体薄膜的不少于20％的晶格面{101}具有不大于10度的角度，相对于晶体半导体薄膜的表面、晶体半导体薄膜的不多于3％的晶格面{001}具有不大于10度的角度，相对于晶体半导体薄膜的表面、晶体半导体薄膜的不多于5％的晶格面{111}具有不大于10度的角度。其中晶体半导体薄膜包含每种的浓度小于5×1018/cm3的氮和碳，以及浓度小于1×1019/cm3的氧。23.一种半导体器件，包括在包括硅的晶体半导体薄膜中的至少一个沟道形成区，其中通过电子背反射衍射图方法测定，相对于晶体半导体薄膜的表面、晶体半导体薄膜的不少于5％的晶格面{101}具有不大于5度的角度，相对于晶体半导体薄膜的表面、晶体半导体薄膜的不多于3％的晶格面{001}具有不大于5度的角度，相对于晶体半导体薄膜的表面、晶体半导体薄膜的不多于5％的晶格面{111}具有不大于5度的角度。其中晶体半导体薄膜包含每种的浓度小于5×1018/cm3的氮和碳，以及浓度小于1×1019/cm3的氧。24.一种半导体器件，包括在包括硅的晶体半导体薄膜中的至少一个沟道形成区，其中晶体半导体薄膜包含浓度不小于0.1原子％但不大于10原子％的锗，其中通过电子背反射衍射图方法测定，相对于晶体半导体薄膜的表面、晶体半导体薄膜的不少于20％的晶格面{101}具有不大于10度的角度，相对于晶体半导体薄膜的表面、晶体半导体薄膜的不多于3％的晶格面{001}具有不大于10度的角度，相对于半导体薄膜的表面、晶体半导体薄膜的不多于5％的晶格面{111}具有不大于10度的角度。25.一种半导体器件，包括在包括硅的晶体半导体薄膜中的至少一个沟道形成区，其中晶体半导体薄膜包含浓度不小于0.1原子％但不大于10原子％的锗，其中通过电子背反射衍射图方法测定，相对于晶体半导体薄膜的表面、晶体半导体薄膜的不少于5％的晶格面{101}具有不大于5度的角度，相对于晶体半导体薄膜的表面、晶体半导体薄膜的不多于3％的晶格面{001}具有不大于10度的角度，相对于晶体半导体薄膜的表面、晶体半导体薄膜的不多于5％的晶格面{111}具有不大于10度的角度。26.一种半导体器件，包括在包括硅的晶体半导体薄膜中的至少一个沟道形成区，其中晶体半导体薄膜含有浓度不小于0.1原子％但不大于10原子％的锗，其中通过电子背反射衍射图方法测定，相对于晶体半导体薄膜的表面、晶体半导体薄膜的不少于20％的晶格面{101}具有不大于10度的角度，相对于晶体半导体薄膜的表面、晶体半导体薄膜的不多于3％的晶格面{001}具有不大于10度的角度，相对于晶体半导体薄膜的表面、晶体半导体薄膜的不多于5％的晶格面{111}具有不大于10度的角度。其中晶体半导体薄膜含有每种的浓度小于5×1018/cm3的氮和碳，以及浓度小于1×1019/cm3的氧。27.一种半导体器件，包括在包括硅的晶体半导体薄膜中的至少一个沟道形成区，其中晶体半导体薄膜含有浓度不小于0.1原子％但不大于10原子％的锗，其中通过电子背反射衍射图方法测定，相对于晶体半导体薄膜的表面、晶体半导体薄膜的不少于5％的晶格面{101}具有不大于5度的角度，相对于晶体半导体薄膜的表面、晶体半导体薄膜的不多于3％的晶格面{001}具有不大于10度的角度，相对于晶体半导体薄膜的表面、晶体半导体薄膜的不多于5％的晶格面{111}具有不大于10度的角度，其中晶体半导体薄膜含有每种的浓度小于5×1018/cm3的氮和碳，以及浓度小于1×1019/cm3的氧。28.根据权利要求20的器件，其中晶体半导体薄膜含有浓度小于1×1017/cm3的金属元素。29.根据权利要求20的器件，其中晶体半导体薄膜包括从由Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt、Cu以及Au组成的组中选择出来的至少一种或多种金属元素。30.根据权利要求20的器件，其中晶体半导体薄膜具有20至100nm范围的厚度。31.一种半导体器件，包括在晶体半导体薄膜中的至少一个沟道形成区，其中晶体半导体薄膜通过加热已添加金属元素的包括硅的非晶半导体薄膜形成，其中非晶半导体薄膜薄膜含有浓度不小于0.1原子％但不大于10原子％的锗，其中通过电子背反射衍射图方法测定，相对于晶体半导体薄膜的表面、晶体半导体薄膜的不少于20％的晶格面{101}具有不大于10度的角度，相对于晶体半导体薄膜的表面、晶体半导体薄膜的不多于3％的晶格面{001}具有不大于10度的角度，相对于半导体薄膜的表面、晶体半导体薄膜的不多于5％的晶格面{111}具有不大于10度的角度。32.一种半导体器件，包括在晶体半导体薄膜中的至少一个沟道形成区，其中晶体半导体薄膜通过加热已添加金属元素的包括硅的非晶半导体薄膜形成，其中非晶半导体薄膜薄膜含有浓度不小于0.1原子％但不大于10原子％的锗，其中通过电子背反射衍射图方法测定，相对于晶体半导体薄膜的表面、晶体半导体薄膜的不少于5％的晶格面{101}具有不大于5度的角度，相对于晶体半导体薄膜的表面、晶体半导体薄膜的不多于3％的晶格面{001}具有不大于10度的角度，相对于晶体半导体薄膜的表面、晶体半导体薄膜的不多于5％的晶格面{111}具有不大于10度的角度。33一种半导体器件，包括在晶体半导体薄膜中的至少一个沟道形成区，其中晶体半导体薄...

【专利技术属性】
技术研发人员：山崎舜平，三津木亨，笠原健司，浅见勇臣，高野圭惠，志知武司，小久保千穗，荒井康行，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]