复层板、半导体装置用内插器以及它们的制造方法制造方法及图纸

目的在于提供可廉价制造且具有良好特性的用于形成半导体装置用内插器的复层板，半导体装置用内插器及其制造方法。为此，通过形成用于形成半导体装置用内插器的复层板（３４），该复层板是通过把形成导体层（１０，１７，１８）等的铜箔材料（１９，２４，３３）和形成蚀刻停止层（１１，１２）的镀镍层（２０，２１）层叠起来一起进行压接而形成的；对该复层板（３４）选择性蚀刻，形成柱状导体（１７）；在形成布线层（１０）的铜箔材料上形成绝缘层（１３）；以及在该复层板的与柱状导体（１７）形成面相反的一侧上形成与半导体芯片连接用的凸点（１８）和布线层（１０），制造半导体装置用内插器。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用来形成用于作为搭载半导体芯片的衬底的半导体装置的内插器的复层板、用该复层材料制造的用于半导体装置的内插器(interposer)、以及它们的制造方法。日本专利特开平10-74807号公报披露了这样了半导体装置的制造方法，其示意图示于附图说明图12。在内插器100(衬底)的一个表面上搭载半导体芯片101，与衬底上的布线图案102相连接。另外，布线通过在衬底厚度方向上形成的通孔103与安装衬底侧导通，在通孔的安装衬底侧形成外部连接用的焊点104。在上述构成的半导体装置中，内插器的两个表面的导通是在通孔形成之后用电镀等填充导电物质而实现的。但是，有形成微小的通孔和向其电镀的工序，存在技术上的困难，而且由于进行比较厚的电镀，成本也增加的问题。本专利技术正是鉴于上述问题而提出的，其目的在于提供可廉价制造且具有良好特性的形成半导体装置用内插器的复层板、用它制造的半导体装置用内插器以及它们的制造方法。本专利技术的用于形成半导体装置用内插器的复层板，其特征在于是通过把其单面或双面上镀镍的铜箔材料、和其它铜箔材料或其单面上镀镍的铜箔材料以0.1～3％的轧制率压接而制成的。本专利技本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于形成半导体装置用内插器的复层板，其特征在于是通过把铜箔材料和镍箔材料以０．１～３％的轧制率压接而制成的。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 1999-6-10 164454/991.一种用于形成半导体装置用内插器的复层板，其特征在于是通过把铜箔材料和镍箔材料以0.1～3％的轧制率压接而制成的。2.一种用于形成半导体装置用内插器的复层板，其特征在于是通过把其单面或双面上镀镍的铜箔材料、和其它铜箔材料或其单面上镀镍的铜箔材料以0.1～3％的轧制率压接而制成的。3.如权利要求1或2所述的复层板，其特征在于上述复层板是铜/镍/铜/镍/铜的五层结构。4.一种半导体装置用内插器，其特征在于对如权利要求1～3中任一项所述的复层板选择性蚀刻，形成与半导体芯片连接用的凸点、布线层，使用各向异性导电粘接剂通过半导体芯片连接用凸点实现半导体芯片与布线层的连接，借助于通过蚀刻形成的柱状导体实现内插器厚度方向上的导通。5.一种半导体装置用内插器的制造方法，其特征在于包括下列工序形成用于形成半导体装置用内插器的复层板，该复层板是通过把形成导体层等的铜箔材料和形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：西条谨二，吉田一雄，冈本浩明，大泽真司，
申请(专利权)人：东洋钢钣株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]