具有在行中连接不同阳极线的存储单元的铁电存储器件制造技术

一种铁电存储器件，包括沿着第一方向延伸的多条平行字线、沿着垂直于第一方向的第二方向延伸的多条平行位线以及沿着第一方向延伸的多条平行阳极线。在沿着对应于第一和第二方向的行和列中，排列多个存储单元，每个存储单元包括一个连接到一条字线和一条位线的晶体管以及一个连接到该晶体管和一条阳极线的铁电电容，由此，将在相应行中的存储单元连接到相应的字线，使得存储单元行的第一和第二子集的铁电电容连接到相应的第一和第二阳极线。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般涉及存储器件，更具体讲，涉及铁电存储器件。
技术介绍
铁电随机存取存储器(FRAM，Ferroelectric Random Access Memory)器件一般包括具有电介质的存储电容，电介质包括铁电材料，如锆酸铅与钛酸铅((lead zirconate and titanate)的化合物。用于FRAM的单元结构包括使用一个晶体管和一个电容的结构(称为“1TC”单元结构)；以及使用两个晶体管和两个电容的结构(称为“2TC”单元结构)。在美国专利No.4,873,664中，对2TC结构进行了描述。在美国专利No.5,978,251中，对1TC结构进行了描述。象DRAM(动态随机存取存储器)一样，FRAM可以被分为具有共享(或公开)位线结构，例如，如美国专利No.6,137,711所描述的；或者是具有折叠(folded)位线结构，例如，如美国专利No.6,151,243和5,880,989所描述的。一般来说，将预定的电压脉冲信号施加到电容的电极上，通过确定电容上的电荷来读出FRAM的数据。为了制造高度集成的FRAM，一般希望将尽可能多的电容连接到一条阳极(plate)本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种铁电存储器件，包括：多条平行字线，沿着第一方向延伸；多条平行位线，沿着垂直于第一方向的第二方向延伸；多条平行阳极线，沿着第一方向延伸；以及多个存储单元，排列在分别沿着第一和第二方向的行和列中，每个所述存储单元包括：一个晶 体管，连接到所述字线中的一条字线和所述位线中的一条位线；以及一个铁电电容，连接到所述晶体管和所述阳极线中的一条阳极线，由此，将相应行中的所述存储单元连接到相应的字线，将一行存储单元的第一和第二子集的电容连接到相应的第一和第二阳极线。

【技术特征摘要】
KR 2001-1-8 00944/011.一种铁电存储器件，包括多条平行字线，沿着第一方向延伸；多条平行位线，沿着垂直于第一方向的第二方向延伸；多条平行阳极线，沿着第一方向延伸；以及多个存储单元，排列在分别沿着第一和第二方向的行和列中，每个所述存储单元包括一个晶体管，连接到所述字线中的一条字线和所述位线中的一条位线；以及一个铁电电容，连接到所述晶体管和所述阳极线中的一条阳极线，由此，将相应行中的所述存储单元连接到相应的字线，将一行存储单元的第一和第二子集的电容连接到相应的第一和第二阳极线。2.如权利要求1所述的存储器件，其中，将所述阳极线排列为多对相邻的阳极线，由此，由一对存储单元行将第一对相邻阳极线与第二对相邻阳极线分开。3.如权利要求2所述的存储器件，其中，将与第一对相邻阳极线相邻的存储单元行中的存储单元交替地连接到沿着第一方向的第一和第二阳极线中的一条。4.如权利要求3所述的存储器件，其中，将相应列的存储单元连接到相应位线。5.如权利要求3所述的存储器件，其中，将在存储单元列中的存储单元交替地连接到沿着第二方向的第一和第二位线。6.如权利要求2所述的存储器件，其中，将第一和第二对相邻阳极线连接到将第一和第二对相邻阳极线分开的一对存储单元行的两行中的存储单元。7.如权利要求6所述的存储器件，其中，将相应列中的存储单元连接到相应的位线。8.如权利要求6所述的存储器件，其中，将存储单元列中的存储单元交替地连接到沿着第二方向的第一和第二位线。9.如权利要求2所述的存储器件，其中，将第一对相邻位线仅连接到位于第一对位线相对侧的第一和第二存储单元行中的存储单元。10.如权利要求1所述的存储器件，其中，由一对相邻行中的存储单元行将所述阳极线彼此分开。11.如权利要求10所述的存储器件，其中，每条阳极线仅连接到在沿着第一方向的每个其他列中的存储单元。12.如权利要求11所述的存储器件，其中，将相应列中的存储单元连接到相应位线。13.如权利要求11所述的存储器件，其中，将一个存储单元列当中的存储单元交替地连接到沿着第二方向的第一和第二位线。14.如权利要求10所述的存储器件，将每条阳极线仅连接到沿着第一方向的每个其它对的相邻列中的存储单元。15.一种铁电存储器件，包括一个阵列单元，被连接到沿着相应的行和列的方向排列的多条字线和多条位线以及沿着行方向延伸的多条阳极线，所述阵列单元包括多个存储单元，其中，所述阵列单元的存储单元行中的m个存储单元中的n(m＞n)个存储单元被连接到一条阳极线。16.如权利要求15所述的器件，其中，将一条阳极线公共地连接到沿着所述列方向的相邻存储单元。17.一种铁电存储器件，包括一个存储单元阵列，包括按照行和列排列的类似的阵列单元，其中，每个阵列单元包括一个第一存储单元，连接到第一字线、第一位线和第一阳极线；一个第二存储单元，连接到第一字线、第二位线和第二阳极线；一个第三存储单元，连接到第二字线、第一位线和第一阳极线；以及一个第四存储单元，连接到第二字线、第二位线和第二阳极线。18.一种铁电存储器件，包括一个存储单元阵列，包括按照行和列排列的重复的阵列单元，其中，每个阵列单元包括一个第一存储单元，连接到第一字线、第一位线和第一阳极线；一个第二存储单元，连接到第一字线、第二位线和第二阳极线；一个第三存储单元，连接到第二字线、第一位线和第一阳极线；一个第四存储单元，连接到第二字线、第二位线和第二阳极线；一个第五存储单元，连接到第三字线、第一位线和第一阳极线；一个第六存储单元，连接到第三字线、第二位线和第二阳极线；一个第七存储单元，连接到第四字线、第一位线和第一阳极线；以及一个第八存储单元，连接到第四字线、第二位线和第二阳极线。19.一种铁电存储器件，包括一个存储单元阵列，包括按照行和列排列的类似的阵列单元，其中，每个阵列单元包括一个第一存储单元，连接到第一字线、第一位线和第一阳极线；一个第二存储单元，连接到第一字线、第三位线和第二阳极线；一个第三存储单元，连接到第二字线、第二位线和第一阳极线；以及一个第四存储单元，连接到第二字线、第四位线和第二阳极线，其中，在与所述阵列单元相邻的列方向的阵列单元中，所述第一和第二阳极线沿着行的方向延伸。20.一种铁电存储器件，包括一个存储单元阵列，包括按照行和列排列的多个阵列单元，其中，每个阵列单元包括一个第一存储单元，连接到第一字线、第一位线和第一阳极线；一个第二存储单元，连接到第一字线、第三位线和第二阳极线；一个第三存储单元，连接到第二字线、第一位线和第一阳极线；一个第四存储单元，连接到第二字...

【专利技术属性】
技术研发人员：田炳吉，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]