用于表征微电子特征部件质量的方法和装置制造方法及图纸

揭示了一种用于利用宽带白光表征微电子特征部件的质量的方法。一个高度准直的光源使用宽带多光谱光照射一个第一晶片的一个区域。然后测量从第一晶片散射的光的角分布。通常，改变光源、检测器、或二者的角度，并在每个角度进行角分布测量，产生第一晶片的散射特征标记。最后，把第一晶片的散射特征标记与一个具有良好质量的第二晶片的已知散射特征标记进行比较以确定第一晶片的质量。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体集成电路(IC)的制造。本专利技术具体涉及用于表征IC上的微电子特征部件质量的方法和装置。
技术介绍
集成电路的制造需要各种构成器件的材料被构图为所需电路元件。这种构图操作通常是通过淀积所需材料的一个均匀膜层完成的。然后利用光敏材料在该膜上形成“掩模”，并最终把暴露的材料蚀刻掉以留下希望的电路元件。集成电路的生产率和性能决定性地取决于所蚀刻的电路元件或特征部件的细微特征性质。这些重要的特征性质中的一些是线宽损失(底切或“偏置”)，侧壁角(斜度)，表面粗糙度，台阶边沿处存在的残余材料(“栅栏”或“纵梁”)，和所蚀刻的特征部件的基部的接触角(“基脚”)。这些蚀刻性质来自于蚀刻化学性质、等离子体物理性质、和蚀刻系统设计和维护的复杂相互作用。半导体设备制造的作用是研究硬件、工艺和控制系统，使得能够可靠地、可再现地产生特定条件组以产生希望的蚀刻特征性质。研究和优化蚀刻工艺和硬件的能力决定性地取决于能够测量这些重要性质的传感器和仪器的可用性。对于不能测量的性质，也就不能被优化或可靠地再现。此外，在蚀刻发生时的时间与在测量蚀刻性质时的时间之间的时延是非常大的。在执行蚀刻时本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于监测所蚀刻晶片的特征性质的方法，包括以下操作：利用一个高度准直的光源照射一个第一晶片的一个区域，其中该光源是宽带多光谱光；测量从第一晶片散射的光的角分布；和把第一晶片的散射特征标记与一个第二晶片的已知散射特征标记进行比较 。

【技术特征摘要】
US 1999-9-29 09/408,4191.一种用于监测所蚀刻晶片的特征性质的方法，包括以下操作利用一个高度准直的光源照射一个第一晶片的一个区域，其中该光源是宽带多光谱光；测量从第一晶片散射的光的角分布；和把第一晶片的散射特征标记与一个第二晶片的已知散射特征标记进行比较。2.根据权利要求1所述的方法，其中该光源是在约200nm到900nm范围内的宽带光。3.根据权利要求1所述的方法，其中被照射区域的直径不小于晶片上的一个重复单元尺寸的50％。4.根据权利要求1所述的方法，其中该光源设置在一个固定角度，该固定角度在约垂直于表面的0°到70°的范围内。5.根据权利要求4所述的方法，其中在约-70°到+70°的范围内的多个角度处收集散射强度的测量数据。6.根据权利要求1所述的方法，其中该光源从约0°到+70°的范围内的多个角度照射晶片。7.根据权利要求6所述的方法，其中在约垂直于表面的0°到70°的范围内的一个固定角度收集散射强度的测量数据。8.根据权利要求6所述的方法，其中在约-70°到+70°的范围内的多个角度处收集散射强度的测量数据。9.根据权利要求6所述的方法，其中在一个与光源角具有固定偏角的可变角度收集散射强度的测量数据。10.根据权利要求9所述的方法，其中该固定偏角是0°。11.一种用于监测所蚀刻晶片的特征性质的装置，包括宽带准直光源，适...

【专利技术属性】
技术研发人员：兰德尔S穆特，阿尔伯特J拉姆，麦克维兰，安德鲁维柯斯库尼，
申请(专利权)人：拉姆研究公司，威利蒂器械公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]