一种SiC器件用外延材料的制造装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种SiC器件用外延材料的制造装置，其包括至少两个工位、与工位一一对应的装载腔、与装载腔一一对应的反应腔、至少一平边对准器以及搬运机构；工位上设有晶圆片架；装载腔置于工位和反应腔之间；搬运机构包括至少一第一搬运机构和至少一第二搬运机构，第一搬运机构置于工位和装载腔之间，第二搬运机构置于装载腔和反应腔之间。本实用新型专利技术独立的反应腔设置，可以包含单腔独立运行模式和多腔运行模式，单腔独立运行模式相比于现有的双腔独立运行模式，反应腔腔体增大一倍，产能明显扩大，成本得以降低；而多腔运行模式，由于反应腔独立运行，不存在记忆效应，参数稳定可控，可以高效稳定地制造多层N/P型混合的外延层。可以高效稳定地制造多层N/P型混合的外延层。可以高效稳定地制造多层N/P型混合的外延层。

【技术实现步骤摘要】
一种SiC器件用外延材料的制造装置


[0001]本技术涉及外延材料制造
，尤其涉及一种SiC器件用外延材料的制造装置。

技术介绍

[0002]目前碳化硅（SiC）单极器件在各个领域内，都能成功应用，技术也相对成熟，但由于SiC材料的特点，在双极器件的应用上面受到了很大的制约，特别是受到材料制造技术的制约。例如，对于SiC IGBT用外延材料，其混杂有N型和P型，且为重掺和轻掺并存的多层外延结构。在现有的设备中，一般有两种外延生长模式，一是同机台N/P混合生长，由于有记忆效应，导致实际材料参数无法控制；二是不同机台，N/P分开生长，需要腾挪晶圆（基底），经过测试清洗后再生长，不仅成本昂贵，而且由于清洗会导入更多的缺陷，质量得不到保障。

技术实现思路

[0003]针对现有技术存在的问题，本技术的目的在于提供一种SiC器件用外延材料的制造装置，其参数可控、成本低，制造的外延层质量稳定。
[0004]为实现上述目的，本技术采用的技术方案是：
[0005]一种SiC器件用外延材料的制造装置，其包括至少两个工位、与工位一一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种SiC器件用外延材料的制造装置，其特征在于：包括至少两个工位、与工位一一对应并用于中转传递晶圆的装载腔、与装载腔一一对应并用于晶圆生长外延层的反应腔、至少一用于校验晶圆平边的平边对准器以及用于抓取并搬运晶圆的搬运机构；所述工位上设有晶圆片架；所述装载腔置于工位和反应腔之间；所述搬运机构包括至少一第一搬运机构和至少一第二搬运机构，所述第一搬运机构置于所述工位和装载腔之间，所述第二搬运机构置于所述装载腔和反应腔之间。2.根据权利要求1所述的一种SiC器件用外延材料的制造装置，其特征在于：所述第二搬运机构的数量为一个，所述反应腔以第二搬运机构为圆心作圆周布设。3.根据权利要求1所述的一种SiC器件用外延材料的制造装置，其特征在于：所述第一搬运机构的数量为一个，所述工位和平边对准器以第一搬运机构为圆心作圆周布...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕立平，
申请(专利权)人：希科半导体科技苏州有限公司，
类型：新型
国别省市：