【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及太阳能太池、光传感器等用的光电元件、及其制造方法。
技术介绍
应用光电元件的太阳能电池，有可能作为一种替代能源，替代现存火力发电站和水力发电站，以解决这些常规发电站的问题。特别是，对非晶硅太阳能电池已做了各种研究，因为能制成价格低的电池，并能制成其面积比用结晶太阳能电池元件的太阳能电池的面积大的元件。改善非晶硅太阳能电池的光电转换效率，是非晶硅太阳能电池能商品化的重要问题，以下将说明为解决这些问题所作过的各种研究。已知的非晶硅太阳能电池的结构是，在导电衬底上，如不锈钢板上，顺序叠置背电极，半导体层和入射表面电极。入射表面电极用例如透明导电氧化物制成。而且，集电极包括放在上述入射表面电极上的细金属丝，以收集产生的电能。上述集电极放在入射表面；随之而产生的问题是，它减小了太阳能电池的有效发生面积。这种面积损失称为阴暗损失。为此，上述集电极通常制成细的梳形。因此，集电极的形状通常倾向于细长形，并要求所选择的材料和截面形状的设计应使其电阻值小。在上述集电极的表面上构成称作汇流条电极的电极，以收集由集电极收集的电流。用比集电极丝粗的金属丝制造汇流条电极。...
【技术保护点】
一种光电元件的集电极，该光电元件具有半导体光电层，其特征是，该集电极包括金属丝，该金属丝上涂有导电树脂从而不直接接触光电元件，防止所述金属丝的金属离子扩散进所述光电元件的半导体层中。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 1994-11-4 295887/1994;JP 1994-12-27 324880/19941.一种光电元件的集电极，该光电元件具有半导体光电层，其特征是，该集电极包括金属丝，该金属丝上涂有导电树脂从而不直接接触光电元件，防止所述金属丝的金属离子扩散进所述光电元件的半导体层中。2.按权利要求1的集电极，其特征是，即使加于所述金属丝上的电压不低于所述光电元件的电动力时，所述导电树脂层防止所述金属离子扩散。3.按权利要求1的集电极，其特征是，平均分子量不小于500并不大于50,000的聚合物树脂用作形成所述导电树脂层的所述导电树脂的粘接剂。4.按权利要求1的集电极，其特征是，具有不低于20％并不高于100％的凝胶组分的聚合物树脂用于形成所述导电树脂层的粘接剂。5.按权利要求1的集电极，其特征是，所述导电树脂层的孔隙率不大于0.04cc/g。6.按权利要求3的集电极，其特征是，所述导电树脂层包括至少两层膜，并且至少构成最里层或最外层的多层的导电树脂包括权利要求12所述的聚合物树脂。7.按权利要求6的集电极，其特征是，至少构成最外层的导电树脂是未硫化的热固性聚合物树脂。8.按权利要求3的集电极，其特征是，所述聚合物树脂是从氨基甲酸乙酯树脂，环氧树脂和酚树脂中选出的至少一种。9.按权利要求3的集电极，其特征是，所述聚合物树脂的固化剂是块状异氰酸酯。10.一种光电元件，包括一个至少包含一个Pin结或pn结的半导体层，和一个设置在所述半导体层的光入射边中的集电极，其特征是，所述集电极包括权利要求10所述集电极。11.按权利要求10的光电元件，其特征是，在所述半导体层的入射边设置有透明电极，所述集电极设置在所述透明电极上。12.按权利要求10的光电元件，其特征是，所述半导体层包括单晶硅，多晶硅，薄膜多晶硅，非晶硅，非晶硅锗和非晶硅碳中的至少一种。13.按权利要求10的光电元件，其特征是，包括所述Pin结的所述半导体层是有三层叠层的三层电池。14.一种光电元件的制造方法，所述光电元件的结构在入射边有集电极，它包括将权利要求1所述的集电极用加热，加压或加热并加压方式，粘接到所述光电元件的入射边。15.按权利要求14的光电元件制造方法，其特征是，加于所述集电极上的热升高的温度不低于所述块状异氰酸酯的分解温度。16.按权利要求14的光电元件制造方法，其特征是，加热所述集电极，直至所述未硫化的热固性聚合物树脂的凝胶部分不小于20％并不大于100％。17.一种集电极，具有含导电粘接剂的涂层的金属丝通过所述涂层粘接形成在光电元件上，其特征是，所述涂层防止所述金属丝的金属离子扩散所述光电元件的半导体层内。18.按权利要求17的集电极，其特征是，即使不低于所述光电元件的电动力的电压加于所述金属丝时，所述涂层也有防止所述金属离子扩散的功能。19.按权利要求17的集电极，其特征是，所述导电粘接剂包括导电颗粒和聚合物树脂。20.按权利要求17的集电极，...
【专利技术属性】
技术研发人员：一之濑博文，长谷部明男，村上勉，新仓谕，上野雪绘，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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