显示装置和用于制造显示装置的方法制造方法及图纸

技术编号:32113443 阅读:41 留言:0更新日期:2022-01-29 18:57
本公开涉及一种显示装置和用于制造显示装置的方法,所述显示装置包括:基底;与驱动晶体管重叠的阻光层和开关晶体管的有源层,在所述基底上;缓冲层,在所述阻光层上,所述缓冲层与所述阻光层重叠;所述驱动晶体管的有源层,在所述缓冲层上;第一栅极绝缘层,在所述驱动晶体管的所述有源层和所述开关晶体管的所述有源层上;以及第一栅极电极和第二栅极电极,所述第一栅极电极在所述第一栅极绝缘层上并且与所述驱动晶体管的所述有源层重叠,并且所述第二栅极电极与所述开关晶体管的所述有源层重叠,其中,所述阻光层和所述开关晶体管的所述有源层在同一层上。所述有源层在同一层上。所述有源层在同一层上。

【技术实现步骤摘要】
显示装置和用于制造显示装置的方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年7月9日在韩国知识产权局提交的第10

2020

0084618号韩国专利申请的优先权和权益,该韩国专利申请的全部内容通过引用合并于此。


[0003]本公开的实施例的各方面涉及一种显示装置和一种用于制造显示装置的方法。

技术介绍

[0004]随着信息导向社会的发展,越来越多的要求定位于用于以各种方式显示图像的显示装置。因此,近年来已经研究的显示装置包括液晶显示(LCD)装置、等离子显示面板(PDP)装置、有机发光显示(OLED)装置和微发光二极管(微LED)显示装置。
[0005]OLED装置和微LED显示装置可以包括发光二极管、用于根据栅极电极的电压来调节从电源线供应给发光二极管的驱动电流的量的第一晶体管和用于响应于扫描线的扫描信号而将数据线的数据电压施加到第一晶体管的栅极电极的扫描晶体管。
[0006]第一晶体管的驱动电压表示施加到第一晶体管的栅极电极以使驱动电流流动的电压。第一晶体管的驱动电压范围表示第一电压至第二电压的电压范围,该第一电压可以允许预定的最小驱动电流流过,该第二电压可以允许预定的最大驱动电流流过。
[0007]在该
技术介绍
部分中公开的以上信息仅用于增强对
技术介绍
的理解,并且因此,在该
技术介绍
部分中讨论的信息不一定构成现有技术。

技术实现思路

[0008]本公开的实施例的各方面可以包括一种显示装置,其中相对改善了每个像素的驱动晶体管和开关晶体管的元件特性。
[0009]本公开的实施例的各方面还可以包括一种用于制造显示装置的方法,其中相对改善了每个像素的驱动晶体管和开关晶体管的元件特性。
[0010]然而,根据本公开的实施例的各方面不限于本文阐述的那些。通过参照下面给出的本公开的详细描述,根据本公开的实施例的以上和其他方面对于本公开所属领域的普通技术人员将变得更加显而易见。
[0011]根据实施例,一种显示装置,包括:基底;与驱动晶体管重叠的阻光层和开关晶体管的有源层,在所述基底上;缓冲层,在所述阻光层上,所述缓冲层与所述阻光层重叠;所述驱动晶体管的有源层,在所述缓冲层上;第一栅极绝缘层,在所述驱动晶体管的所述有源层和所述开关晶体管的所述有源层上;以及第一栅极电极和第二栅极电极,第一栅极电极在所述第一栅极绝缘层上并且与所述驱动晶体管的所述有源层重叠,并且所述第二栅极电极与所述开关晶体管的所述有源层重叠,其中,所述阻光层和所述开关晶体管的所述有源层在同一层上。
[0012]根据实施例,一种用于制造显示装置的方法,包括:在基底上顺序地堆叠有源层和
第一缓冲层,在所述基底上限定第一晶体管区域和与所述第一晶体管区域分离的第二晶体管区域;根据各个晶体管区域,通过蚀刻已经顺序地堆叠的所述有源层和所述第一缓冲层,形成所述第一晶体管区域中的阻光层和所述第二晶体管区域中的用于第二晶体管的第二有源层;以及在所述第一缓冲层上形成第二缓冲层,其中,所述第一缓冲层具有高于所述第二缓冲层的氢浓度的氢浓度。
[0013]根据实施例的显示装置和用于制造显示装置的方法,可以改善每个像素的驱动晶体管和开关晶体管的元件特性。
[0014]根据本公开的实施例的特征不限于前述特征,并且各种其他特征包括在本说明书中。
附图说明
[0015]通过参照附图更详细地描述本公开的实施例的各方面,本公开的以上和其他方面以及特征将变得更加显而易见,在附图中:
[0016]图1是根据实施例的显示装置的透视图;
[0017]图2是示出根据实施例的显示面板的示例的平面图;
[0018]图3是示出图2的子像素的示例的电路图;
[0019]图4是示出图3的第一晶体管和第二晶体管的示例的截面图;
[0020]图5和图6是表示第一缓冲层和第二缓冲层的材料和氢浓度的表;
[0021]图7是根据实施例的用于制造显示装置的方法的流程图;
[0022]图8至图16是示出根据实施例的用于制造显示装置的方法的步骤的截面图;以及
[0023]图17是示出根据实施例的第一晶体管和第二晶体管的截面图。
具体实施方式
[0024]本文公开的本专利技术的实施例的具体结构和功能描述仅出于本专利技术的实施例的说明性目的。在不脱离根据本专利技术的实施例的精神和范围的情况下,本专利技术可以以许多不同的形式实施。因此,仅出于说明性目的公开了本专利技术的实施例,并且不应将其解释为对本专利技术的限制。即,本专利技术仅由权利范围及其等同范围来限定。
[0025]将理解的是,当元件被称为与另一元件相关,诸如“耦接到”或者“连接到”另一元件时,该元件可以直接耦接到或连接到所述另一元件,或者可以在其间存在中间元件。相比之下,应当理解的是,当元件被称为与另一元件相关,诸如“直接耦接到”或者“直接连接到”另一元件时,可能不存在中间元件。解释元件之间的关系的诸如“在
……
之间”、“直接在
……
之间”、“邻近”或“直接邻近”的其他表达应该以相同的方式理解。
[0026]在整个说明书中,相同的附图标记将指代相同或相似的部件。
[0027]将理解的是,尽管在本文可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分,但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。因而,在不脱离本文的教导的情况下,下面讨论的“第一元件”、“第一组件”、“第一区域”、“第一层”或“第一部分”可以被称为第二元件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分。
[0028]本文使用的术语仅是为了描述特定实施例的目的,并非旨在进行限制。如本文所使用的,除非上下文另有明确指示,否则“一(一个)”、“一种”、“所述(该)”和“至少一个(种)”不表示数量的限制,并且意图包括单数和复数形式。例如,除非上下文另有明确指示,否则“(一/一个)元件”具有与“至少一个元件”相同的含义。“至少一个(种)”不被解释为限于“一个”或“一种”。“或”表示“和/或”。如本文所使用的,术语“和/或”包括一个或多个相关所列项的任何组合和所有组合。将进一步理解的是,当在本说明书中使用术语“包括”和/或“包含”或者“含有”和/或“具有”时,说明存在所陈述的特征、区域、整体、步骤、操作、元件和/或组件,但不排除存在或添加一个或多个其它特征、区域、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
[0029]此外,本文可以使用诸如“下”或“底部的”以及“上”或“顶部的”的相对术语以描述如附图所示的一个元件与另一元件的关系。将理解的是,除了附图中描绘的方位之外,相对术语还旨在涵盖装置的不同方位。例如,如果在一幅附图中装置被翻转,则描述为在其他元件“下”侧的元件随后将被定位为在其他元件“上”侧。因此,根据附图的具体方位,示例本文档来自技高网
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示装置,其中,所述显示装置包括:基底;与驱动晶体管重叠的阻光层和开关晶体管的有源层,在所述基底上;缓冲层,在所述阻光层上,所述缓冲层与所述阻光层重叠;所述驱动晶体管的有源层,在所述缓冲层上;第一栅极绝缘层,在所述驱动晶体管的所述有源层和所述开关晶体管的所述有源层上;以及第一栅极电极和第二栅极电极,所述第一栅极电极在所述第一栅极绝缘层上并且与所述驱动晶体管的所述有源层重叠,并且所述第二栅极电极与所述开关晶体管的所述有源层重叠,其中,所述阻光层和所述开关晶体管的所述有源层在同一层上。2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述阻光层和所述开关晶体管的所述有源层包括相同的材料。3.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述缓冲层的侧表面分别比所述阻光层的侧表面更向内定位。4.根据权利要求3所述的显示装置,其中,所述驱动晶体管的所述有源层的侧表面在厚度方向上与所述缓冲层的侧表面对准。5.根据权利要求4所述的显示装置,其中,与所述驱动晶体管的所述有源层重叠的所述第一栅极绝缘层的侧表面在所述厚度方向上与所述第一栅极电极的侧表面对准。6.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述缓冲层包括在所述阻光层上的第一缓冲层和在所述第一缓冲层上的第二缓冲层,并且所述第一缓冲层具有高于所述第二缓冲层的氢浓度的氢浓度。7.根据权利要求6所述的显示装置,其中,所述第二缓冲层包括氧化硅,并且所述第一缓冲层包括氮化硅或氮氧化硅。8.根据权利要求7所述的显示装置,其中,所述显示装置还包括在所述基底和所述阻光层之间以及在所述基底和所述开关晶体管的所述有源层之间的阻挡层。9.根据权利要求8所述的显示装置,其中,所述阻挡层具有低于所述第一缓冲层的氢浓度的氢浓度。10.根据权利要求9所述的显示装置,其中,所述阻挡层包括氧化硅。11.根据权利要求6所述的显示装置,其中,所述第一栅极绝缘层具有低于所述第一缓冲层的氢浓度的氢浓度。12.根据权利要求6所述的显示装置,其中,所述显示装置还包括在所述第一栅极电极和所述第二栅极电极上的层间绝缘层,其中,所述层间绝缘层具有高于所述第二缓冲层的氢浓度的氢浓度。13.根据权利要求12所述的显示装置,其中,所述显示装置还包括:作为在所述层间绝缘层上的电极,所述电极包括:第一源极电极,连接到所述驱动晶体管的所...

【专利技术属性】
技术研发人员:朴晙晳吴塞伦特林俊亨金秀贤崔荣峻
申请(专利权)人:汉阳大学校ERICA产学协力团
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1