显示面板和显示装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种显示面板和显示装置，属于显示技术领域，显示面板包括第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管的第一有源层包含硅；第二晶体管的第二有源层包含氧化物半导体；第一晶体管的沟道区的长度为L1，第一栅极与第一有源层之间的间距为D1，第一面积S1＝L1

【技术实现步骤摘要】
显示面板和显示装置


[0001]本技术涉及显示
，更具体地，涉及一种显示面板和显示装置。

技术介绍

[0002]显示面板目前被广泛的应用于手机、掌上电脑等便携式电子产品中，例如：薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor
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Liquid Crystal Display，TFT
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LCD)、有机发光二极管显示器(Organic Light Emitting Diode，OLED)、低温多晶硅(Low Temperature Poly
‑
silicon，LTPS)显示器以及等离子体显示器(Plasma Display Panel，PDP)等。
[0003]显示器诸如有机发光二极管显示器具有基于发光二极管的显示器像素阵列。在这种类型的显示器中，每个显示器像素包括发光二极管和用于控制向发光二极管施加信号的薄膜晶体管。薄膜显示驱动器电路通常被包括在显示器中。例如，显示器上的栅极驱动器电路和解复用器电路可由薄膜晶体管形成。
[0004]目前随着显示技术的发展，在市场竞争的推动下，显示效果更优越、的显示装置受到了越来越多的追捧。而显示器的像素密度(Pixels Per Inch也叫像素密度，表示每英寸范围所拥有的像素数量)已成为衡量显示器显示效果的一项重要指标，PPI数值越高，即代表显示屏能够以越高的密度显示图像，拟真度就越高。
[0005]因此，如何进一步提升显示面板的PPI，进而使显示效果更优越，使产品更具有优势，是本领域技术人员亟待解决的技术问题。

技术实现思路

[0006]有鉴于此，本技术提供了一种显示面板和显示装置，以解决现有技术中显示器的像素密度得不到进一步提高，显示效果有待改进的问题。
[0007]本技术公开了一种显示面板包括衬底基板；第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管与第二晶体管形成于衬底基板上，第一晶体管包括第一有源层、第一栅极、第一源极和第一漏极，第一有源层包含硅；第二晶体管包括第二有源层、第二栅极、第二源极和第二漏极，第二有源层包含氧化物半导体；第一晶体管的沟道区的长度为L1，在垂直于衬底基板的方向上，第一栅极与第一有源层之间的间距为D1，第一面积S1＝L1
×
D1；第二晶体管的沟道区的长度为L2，在垂直于衬底基板的方向上，第二栅极与第二有源层之间的间距为D2，第二面积S2＝L2
×
D2；其中，S1＜S2；显示面板包括像素电路和为像素电路提供驱动信号的驱动电路，其中，驱动电路包括第二晶体管，像素电路包括第一晶体管或者驱动电路包括第一晶体管。
[0008]基于同一技术构思，本技术还公开了一种显示装置，该显示装置包括上述显示面板。
[0009]与现有技术相比，本技术提供的显示面板和显示装置，至少实现了如下的有益效果：
[0010]本技术提供的显示面板，设置在垂直于衬底基板的方向上，第一晶体管的第
一栅极与第一有源层之间的间距为D1，第一面积S1＝L1
×
D1；第二晶体管的第二栅极与第二有源层之间的间距为D2，第二面积S2＝L2
×
D2；且S1＜S2，由于硅晶体管的第一晶体管具有较好的响应能力，因此为了充分提升显示面板的PPI，本技术利用硅晶体管和氧化物半导体晶体管各自的优势，将两种类型的晶体管的沟道区的长度也尽可能设计得小，从而有利于节省电路空间，进而有利于提升显示面板的PPI。本技术设置在垂直于显示面板的衬底基板的方向上，第一面积S1＜第二面积S2，其中，第一面积S1＝L1
×
D1，第二面积S2＝L2
×
D2，硅晶体管的第一晶体管的第一栅极与第一有源层之间的间距为D1，氧化物半导体晶体管的第二晶体管的第二栅极与第二有源层之间的间距为D2，从而可以充分利用硅晶体管与氧化物半导体晶体管各自的特点和优势，在保证晶体管稳定性和正常工作的同时，节省显示面板的空间，提升显示面板的PPI，进而有利于提升显示面板的显示品质，使显示效果更优越，使产品更具有竞争优势。
[0011]当然，实施本技术的任一产品不必特定需要同时达到以上所述的所有技术效果。
[0012]通过以下参照附图对本技术的示例性实施例的详细描述，本技术的其它特征及其优点将会变得清楚。
附图说明
[0013]被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本技术的实施例，并且连同其说明一起用于解释本技术的原理。
[0014]图1是本技术实施例提供的显示面板的平面结构示意图；
[0015]图2是图1中A区域的局部膜层剖面结构图；
[0016]图3是图1中B区域的局部膜层剖面结构图；
[0017]图4是本实施例提供的驱动电路的一种电路连接框图；
[0018]图5是图2中第一晶体管和第二晶体管的俯视结构示意图；
[0019]图6是图3中第一晶体管和第二晶体管的俯视结构示意图；
[0020]图7是图1中A区域的另一种局部膜层剖面结构图；
[0021]图8是本技术实施例提供的一种像素电路的结构示意图；
[0022]图9是图8中的像素电路的工作时序图；
[0023]图10是图1中A区域的另一种局部膜层剖面结构图；
[0024]图11是图1中B区域的另一种局部膜层剖面结构图；
[0025]图12是图1中A区域的另一种局部膜层剖面结构图；
[0026]图13是图1中B区域的另一种局部膜层剖面结构图；
[0027]图14是本技术实施例提供的显示面板的另一种平面结构示意图；
[0028]图15是图14中的C区域的局部膜层剖面结构图；
[0029]图16是图14中的C区域的另一种局部膜层剖面结构图；
[0030]图17是图14中的C区域的另一种局部膜层剖面结构图；
[0031]图18是图14中的C区域的另一种局部膜层剖面结构图；
[0032]图19是图14中的C区域的另一种局部膜层剖面结构图；
[0033]图20是图14中的C区域的另一种局部膜层剖面结构图；
[0034]图21是图14中的C区域的另一种局部膜层剖面结构图；
[0035]图22是本技术实施例提供的显示面板的另一种平面结构示意图；
[0036]图23是图22中的D区域的局部膜层剖面结构图；
[0037]图24是本技术实施例提供的显示面板的另一种平面结构示意图；
[0038]图25是图24中的E区域的局部放大图；
[0039]图26是图24中的E区域的另一种局部放大图；
[0040]图27是本技术实施例提供的一种显示装置的平面结构示意图。
具体实施方式
[0041]现在将参照附图来详细描述本技术的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示面板，其特征在于，包括：衬底基板；第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管与所述第二晶体管形成于所述衬底基板上，所述第一晶体管包括第一有源层、第一栅极、第一源极和第一漏极，所述第一晶体管为硅晶体管；所述第二晶体管包括第二有源层、第二栅极、第二源极和第二漏极，所述第二晶体管为氧化物半导体晶体管；所述第一晶体管的沟道区的长度为L1，在垂直于所述衬底基板的方向上，所述第一栅极与所述第一有源层之间的间距为D1，第一面积S1＝L1
×
D1；所述第二晶体管的沟道区的长度为L2，在垂直于所述衬底基板的方向上，所述第二栅极与所述第二有源层之间的间距为D2，第二面积S2＝L2
×
D2；其中，S1＜S2；所述显示面板包括像素电路和为所述像素电路提供驱动信号的驱动电路，其中，所述驱动电路包括所述第二晶体管，所述像素电路包括所述第一晶体管或者所述驱动电路包括所述第一晶体管。2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述驱动电路包括输入模块、逻辑传输模块和输出模块，所述输入模块连接于输入端与所述逻辑传输模块之间，所述输出模块连接于所述逻辑传输模块与输出端之间；所述逻辑传输模块连接于高电平信号端或者低电平信号端，所述输出端与所述像素电路连接；其中，所述逻辑传输模块包括第二晶体管或者所述输入模块包括所述第二晶体管，且所述输出模块包括所述第一晶体管。3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第一晶体管的沟道区的宽度为W1，所述第二晶体管的沟道区的宽度为W2，第一体积V1＝S1
×
W1，第二体积V2＝S2
×
W2；其中，V1＞V2。4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述像素电路包括所述第一晶体管，所述第一晶体管为所述像素电路的驱动晶体管，其中，D1/D2＜L1/L2。5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第二晶体管还包括第四栅极，在垂直于所述衬底基板的方向上，所述第四栅极与所述第二有源层之间的间距为D4，D2＜D4；所述第二栅极所限定的所述第二晶体管的沟道区为第二沟道区，所述第二沟道区的长度为L2；所述第四栅极所限定的所述第二晶体管的沟道区为第四沟道区，所述第四沟道区的长度为L4；其中，第四面积S4＝L4
×
D4，S2＜S4。6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，S4+S1＞2S2。
7.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述第一晶体管还包括第三栅极，在垂直于所述衬底基板的方向上，所述第三栅极与所述第一有源层之间的间距为D3，D1＜D3；所述第一栅极所限定的所述第一晶体管的沟道区为第一沟道区，所述第一沟道区的长度为L1；所述第三栅极所限定的所述第一晶体管的沟道区为第三沟道区，所述第三沟道区的长度为L3；其中，第三面积S3＝L3
×
D3，S1＜S3。8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述第三栅极包括氢化非晶硅层。9.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述第一晶体管为所述像素电路的驱动晶体管，其中，S3
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S1＜S4
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S2。10.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述像素电路包括第三晶体管，所述第三晶体管包括第五栅极、第三有源层、第三源极和第三漏极，所述第三晶体管为氧化物半导体晶体管；在垂直于所述衬底基板的方向上，所述第五栅极与所述第三有源层之间的间距为D5，所述第五栅极所限定的所述第三晶体管的沟道区为第五沟道区，所述第五沟道区的长度为L5，第五面积S5＝L5
×
D5；其中，S1＜S5。11.根据权利要求10...

【专利技术属性】
技术研发人员：赖青俊，朱绎桦，袁永，安平，曹兆铿，
申请(专利权)人：厦门天马微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：