显示基板和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种显示基板和显示装置。显示基板包括多个子像素，所述子像素包括多个晶体管；所述显示基板还包括包括基底，以及，依次设置于所述基底上的N个阵列层；N为大于1的整数；所述子像素包括的晶体管被划分为N组，第n组晶体管由第n阵列层形成；n为小于或等于N的正整数。本发明专利技术所述的显示基板占用的布局空间较小，有利于提高显示分辨率，改善显示效果。改善显示效果。改善显示效果。

【技术实现步骤摘要】
显示基板和显示装置


[0001]本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种显示基板和显示装置。

技术介绍

[0002]OLED(有机发光二极管)由于其轻薄、自发光、响应速度快，在显示领域具有广泛的应用。目前，OLED显示产品一般分辨率较低，如果将较低分辨率的产品应用在VR(Virtual Reality，虚拟现实)等近眼显示，由于近眼显示产品特殊的光路结构，在使用过程中容易产生纱窗效应，影响用户体验。为了改善纱窗效应，行之有效的方法是提高显示屏的分辨率。一般来讲，为了消除近眼显示产品的纱窗效应，应提升显示产品的分辨率应。
[0003]由于OLED像素电路较为复杂，需要占用较大的Layout(布局)空间。现有的玻璃基OLED显示产品很难实现高PPI(pixels per inch，每英寸所拥有的像素数目)显示。因此，针对该问题需要寻找相应的技术解决方案。

技术实现思路

[0004]本专利技术的主要目的在于提供一种显示基板和显示装置，解决现有的显示基板占用的布局空间大，不利于实现高PPI(pixels per inch，每英寸所拥有的像素数目)显示和提高显示分辨率的问题。
[0005]为了达到上述目的，本专利技术实施例提供了一种显示基板，包括多个子像素，所述子像素包括多个晶体管；所述显示基板还包括包括基底，以及，依次设置于所述基底上的N个阵列层；N为大于1的整数；
[0006]所述子像素包括的晶体管被划分为N组，第n组晶体管由第n阵列层形成；n为小于或等于N的正整数。
[0007]可选的，第n阵列层包括依次设置于所述基底上的第n半导体层、第n栅金属层，以及，设置于所述第n半导体层与所述第n栅金属层之间的栅绝缘层；
[0008]所述第n组晶体管的栅极由所述第n栅金属层形成，所述第n组晶体管的有源层图形由所述第n半导体层形成。
[0009]可选的，所述第n阵列层还包括第n源漏金属层，以及，设置于所述第n栅金属层与第n源漏金属层之间的第n层间介质层。
[0010]可选的，本专利技术至少一实施例所述的显示基板还包括设置于相邻的两阵列层之间的隔离层；
[0011]所述隔离层包括绝缘层。
[0012]可选的，所述隔离层还包括电场屏蔽层；
[0013]所述电场屏蔽层接入恒定电位，用于避免相邻的阵列层之间的信号干扰。
[0014]可选的，所述子像素还包括发光元件，所述显示基板还包括阳极层；所述N个阵列层设置于所述基底与所述阳极层之间；
[0015]所述发光元件的阳极由所述阳极层形成。
[0016]可选的，本专利技术至少一实施例所述的显示基板还包括转接导电图形；不同的阵列层中的连接膜层之间通过过孔和所述转接导电图形耦接；所述阵列层中的连接膜层包括所述阵列层中的金属层和半导体层中的至少一个；
[0017]所述显示基板还包括阳极层，所述阳极层与至少一所述阵列层中的半导体层之间通过过孔和所述转接导电图形耦接。
[0018]可选的，所述转接导电图形由所述阵列层中的至少一金属层形成；或者，
[0019]所述显示基板还包括转接导电层，所述转接导电图形由所述转接导电层形成。
[0020]可选的，所述N个阵列层中的一部分阵列层中的半导体层由多晶硅制成，所述N个阵列层中的另一部分阵列层中的半导体层由氧化物制成；或者，所述N个阵列层中的半导体层都由多晶硅制成。
[0021]可选的，所述子像素包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、复位控制线、初始电压线、数据线、栅线和发光控制线；
[0022]所述第一晶体管的栅极与所述复位控制线耦接，所述第一晶体管的第一电极与所述初始电压线耦接，所述第一晶体管的第二电极与第一节点耦接；
[0023]所述第二晶体管的栅极与所述栅线耦接，所述第二晶体管的第一电极与所述第一节点耦接，所述第二晶体管的第二电极与所述第三晶体管的第二电极耦接；
[0024]所述第三晶体管的栅极与所述第一节点耦接，所述第三晶体管的第一电极与所述第四晶体管的第二电极耦接；
[0025]所述第四晶体管的栅极与所述栅线耦接，所述第四晶体管的第一电极与数据线耦接；
[0026]所述第五晶体管的栅极与所述发光控制线耦接，所述第五晶体管的第一电极与电源电压线耦接，所述第五晶体管的第二电极与所述第四晶体管的第二电极耦接；
[0027]所述第六晶体管的栅极与所述发光控制线耦接，所述第六晶体管的第一电极与所述第二晶体管的第二电极耦接，所述第六晶体管的第二电极与所述发光元件的阳极耦接；
[0028]所述显示基板包括依次设置于所述基底上的第一阵列层、第二阵列层和第三阵列层；
[0029]所述第三晶体管、所述第五晶体管和所述第六晶体管由所述第一阵列层形成；
[0030]所述第四晶体管由所述第二阵列层形成；
[0031]所述第一晶体管和所述第二晶体管由所述第三阵列层形成。
[0032]可选的，所述子像素还包括存储电容；所述第三晶体管的栅极与所述存储电容的第一极板耦接，所述电源电压线与所述存储电容的第二极板耦接。
[0033]可选的，所述第一晶体管、所述第二晶体管和所述第四晶体管都为双栅晶体管；
[0034]所述第一晶体管包括的第一栅极和所述第一晶体管包括的第二栅极之间耦接，所述第二晶体管包括的第一栅极和所述第二晶体管包括的第二栅极之间耦接，所述第四晶体管包括的第一栅极和所述第四晶体管包括的第二栅极之间耦接；
[0035]所述第一栅极为顶栅，所述第二栅极为底栅。
[0036]可选的，所述第一阵列层包括的半导体层由多晶硅制成，所述第二阵列层包括的半导体层和所述第三阵列层包括的半导体层都由氧化物制成；或者，
[0037]所述所述第一阵列层包括的半导体层、所述第二阵列层包括的半导体层和所述第
三阵列层包括的半导体层都由多晶硅制成。
[0038]可选的，所述第一阵列层包括依次设置于所述基底上的第一半导体层、第一个第一栅绝缘层、第一个第一栅金属层、第二个第一栅绝缘层和第二个第二栅金属层；
[0039]所述显示基板还包括设置于所述第一阵列层与所述第二阵列层之间的第一隔离层；
[0040]所述第二阵列层包括依次设置于所述第一隔离层远离所述基底的一侧的第二半导体层、第二栅绝缘层、第二栅金属层、第二层间介质层和第二源漏金属层；
[0041]所述显示基板还包括设置于所述第二阵列层与所述第三阵列层之间的第二隔离层；
[0042]所述第三阵列层包括依次设置于所述第二隔离层远离所述第二阵列层的一侧的第三半导体层、第三栅绝缘层、第三栅金属层、第三层间介质层和第三源漏金属层；
[0043]所述显示基板还包括设置于所述第三阵列层远离所述基底的一侧的阳极层，以及，设置于所述阳极层与所述第三阵列层之间的第一平坦层；所述子像素包括的发光元件的阳极形成于所述阳极层。
[0044]可选的，所述第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示基板，包括多个子像素，所述子像素包括多个晶体管；其特征在于，所述显示基板还包括包括基底，以及，依次设置于所述基底上的N个阵列层；N为大于1的整数；所述子像素包括的晶体管被划分为N组，第n组晶体管由第n阵列层形成；n为小于或等于N的正整数。2.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，第n阵列层包括依次设置于所述基底上的第n半导体层、第n栅金属层，以及，设置于所述第n半导体层与所述第n栅金属层之间的栅绝缘层；所述第n组晶体管的栅极由所述第n栅金属层形成，所述第n组晶体管的有源层图形由所述第n半导体层形成。3.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第n阵列层还包括第n源漏金属层，以及，设置于所述第n栅金属层与第n源漏金属层之间的第n层间介质层。4.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，还包括设置于相邻的两阵列层之间的隔离层；所述隔离层包括绝缘层。5.如权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述隔离层还包括电场屏蔽层；所述电场屏蔽层接入恒定电位，用于避免相邻的阵列层之间的信号干扰。6.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述子像素还包括发光元件，所述显示基板还包括阳极层；所述N个阵列层设置于所述基底与所述阳极层之间；所述发光元件的阳极由所述阳极层形成。7.如权利要求1至6中任一权利要求所述的显示基板，其特征在于，还包括转接导电图形；不同的阵列层中的连接膜层之间通过过孔和所述转接导电图形耦接；所述阵列层中的连接膜层包括所述阵列层中的金属层和半导体层中的至少一个；所述显示基板还包括阳极层，所述阳极层与至少一所述阵列层中的半导体层之间通过过孔和所述转接导电图形耦接。8.如权利要求7所述的显示基板，其特征在于，所述转接导电图形由所述阵列层中的至少一金属层形成；或者，所述显示基板还包括转接导电层，所述转接导电图形由所述转接导电层形成。9.如权利要求1至6中任一权利要求所述的显示基板，其特征在于，所述N个阵列层中的一部分阵列层中的半导体层由多晶硅制成，所述N个阵列层中的另一部分阵列层中的半导体层由氧化物制成；或者，所述N个阵列层中的半导体层都由多晶硅制成。10.如权利要求1至6中任一权利要求所述的显示基板，其特征在于，所述子像素包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、复位控制线、初始电压线、数据线、栅线和发光控制线；所述第一晶体管的栅极与所述复位控制线耦接，所述第一晶体管的第一电极与所述初始电压线耦接，所述第一晶体管的第二电极与第一节点耦接；所述第二晶体管的栅极与所述栅线耦接，所述第二晶体管的第一电极与所述第一节点耦接，所述第二晶体管的第二电极与所述第三晶体管的第二电极耦接；所述第三晶体管的栅极与所述第一节点耦接，所述第三晶体管的第一电极与所述第四晶体管的第二电极耦接；
所述第四晶体管的栅极与所述栅线耦接，所述第四晶体管的第一电极与数据线耦接；所述第五晶体管的栅极与所述发光控制线耦接，所述第五晶体管的第一电极与电源电压线耦接，所述第五晶体管的第二电极与所述第四晶体管的第二电极耦接；所述第六晶体管的栅极与所述发光控制线耦接，所述第六晶体管的第一电极与所述第二晶体管的第二电极耦接，所述第六晶体管的第二电极与所述发光元件的阳极耦接；所述显示基板包括依次设置于所述基底上的第一阵列层、第二阵列层和第三阵列层；所述第三晶体管、所述第五晶体管和所述第六晶体管由所述第一阵列层形成；所述第四晶体管由所述第二阵列层形成；所述第一晶体管和所述第二晶体管由所述第三阵列层形成。11.如权利要求10所述的显示基板，其特征在于，所述子像素还包括存储电容；所述第三晶体管的栅极与所述存储电容的第一极板耦接，所述电源电压线与所述存储电容的第二极板耦接。12.如权利要求10所述的显示基板，其特征在于，所述第一晶体管、所述第二晶体管和所述第四晶体管都为双栅晶体管；所述第一晶体管包括的第一栅极和所述第一晶体管包括的第二栅极之间耦接，所述第二晶体管包括的第一栅极和所述第二晶体管包括的第二栅极之间耦接，所述第四晶体管包括的第一栅极和所述第四晶体管包括的第二栅极之间耦接；所述第一栅极为顶栅，所述第二栅极为底栅。13.如权利要求10所述的显示基板，其特征在于，所述第一阵列层包括的半导体层由多晶硅制成，所述第二阵列层包括的半导体层和所述第三阵列层包括的半导体层都由氧化物制成；或者，所述所述第一阵列层包括的半导体层、所述第二阵列层包括的半导体层和所述第三阵列层包括的半导体层都由多晶硅制成。14.如权利要求10所述的显示基板，其特征在于，所述第一阵列层包括依次设置于所述基底上的第一半导体层、第一个第一栅绝缘层、第一个第一栅金属层、第二个第一栅绝缘层和第二个第二栅金属层；所述显示基板还包括设置于所述第一阵列层与所述第二阵列层之间的第一隔离层；所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：史鲁斌，赵梦，杨明，张振宇，王洪润，李付强，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：