驱动基板及其制备方法和显示装置制造方法及图纸

本公开提供了一种驱动基板，包括：柔性基底、位于所述柔性基底上的多个薄膜晶体管和位于所述薄膜晶体管远离所述柔性基底一侧的第一导电图形层；所述柔性基底包括：显示区、可弯折区和绑定区，所述可弯折区位于所述显示区和所述绑定区之间，所述薄膜晶体管位于所述显示区内；所述第一导电图形层包括：多个第一连接端子和多条信号供给引线，所述第一连接端子位于所述显示区内，部分所述第一连接端子与所述薄膜晶体管的第一极电连接，所述信号供给引线位于所述可弯折区内，所述信号供给引线的两端分别延伸至所述显示区和所述绑定区内；所述第一导电图形层与所述柔性基底之间设置有至少一层无机绝缘层，所述无机绝缘层在所述可弯折区内为镂空结构。区内为镂空结构。区内为镂空结构。

【技术实现步骤摘要】
驱动基板及其制备方法和显示装置


[0001]本公开涉及显示
，特别涉及一种驱动基板及其制备方法和显示装置。

技术介绍

[0002]微型/迷你发光二极管(Micro/Mini-LED)显示技术作为新一代显示技术，具有亮度高、发光效率好、功耗低等优点。通常通过转印技术将Micro/Mini-LED芯片转印至显示基板上，由于转印技术的限制，使得无法直接制备大尺寸LED显示基板；因此，现有技术中会通过拼接方式将多块小尺寸的LED显示基板拼接形成大尺寸LED显示基板。在拼接过程中，为减小小尺寸的LED显示基板之间间隙，往往需先将LED显示基板周边进行弯折，以使得小尺寸的LED显示基板的绑定(Bonding)区位于背面，然后再进行拼接固定。
[0003]目前，为实现高画质显示，有源阵列(Active Matrix)驱动是必然选择。在当前技术中，为实现有源阵列驱动一般采用驱动芯片(uIC)直驱和薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)驱动两种方式，由于uIC直驱方式成本大、良率低，难以真正应用到实际产品中，因此各大厂商均将TFT驱动作为主要研究方法。然而，在实际应用中发现，由于TFT制程必然会带来很多无机层，无机层杨氏模量较大，不利于LED显示基板进行弯折。即，薄膜晶体管制程与基板弯折需求无法共存。

技术实现思路

[0004]本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种驱动基板及其制备方法和显示装置。
[0005]第一方面，本公开实施例提供了一种驱动基板，其中，包括：柔性基底、位于所述柔性基底上的多个薄膜晶体管和位于所述薄膜晶体管远离所述柔性基底一侧的第一导电图形层；
[0006]所述柔性基底包括：显示区、可弯折区和绑定区，所述可弯折区位于所述显示区和所述绑定区之间，所述薄膜晶体管位于所述显示区内；
[0007]所述第一导电图形层包括：多个第一连接端子和多条信号供给引线，所述第一连接端子位于所述显示区内，部分所述第一连接端子与所述薄膜晶体管的第一极电连接，所述信号供给引线位于所述可弯折区内，所述信号供给引线的两端分别延伸至所述显示区和所述绑定区内；
[0008]所述第一导电图形层与所述柔性基底之间设置有至少一层无机绝缘层，所述无机绝缘层在所述可弯折区内为镂空结构。
[0009]在一些实施例中，驱动基板还包括：位于所述柔性基底与所述薄膜晶体管之间的隔离阻挡层，所述隔离阻挡层位于所述显示区的部分的厚度大于位于所述可弯折区的部分的厚度。
[0010]在一些实施例中，所述隔离阻挡层位于所述显示区的部分的厚度包括：
[0011]所述隔离阻挡层位于所述可弯折区的部分的厚度包括：
[0012]在一些实施例中，所述第一导电图形层还包括：位于所述绑定区的第二连接端子，所述第二连接端子与所述信号供给引线电连接。
[0013]在一些实施例中，驱动基板还包括：位于所述第一导电图形层远离所述柔性基底一侧的第一平坦化层；
[0014]所述第一平坦化层上在所述第一连接端子所处区域形成有连通至所述第一连接端子的第一过孔；
[0015]所述第一平坦化层上在所述第二连接端子所处区域形成有连通至所述第二连接端子的第二过孔。
[0016]在一些实施例中，所述薄膜晶体管包括：有源层图形、第一栅极、第一极和第二极；
[0017]所述有源层图形与所述第一栅极之间形成有栅绝缘层，所述第一极和所述第二极与所述有源层图形之间形成有层间介质层，所述第一极和所述第二极通过所述有层间介质层上的过孔与所述有源层图形连接；
[0018]所述无机绝缘层包括所述栅绝缘层和所述层间介质层。
[0019]在一些实施例中，所述薄膜晶体管还包括：第二栅极；
[0020]所述第二栅极位于所述有源层图形靠近所述柔性基底的一侧，所述第二栅极与所述有源层图形之间形成有缓冲层；
[0021]所述第一栅极位于所述有源层图形远离所述柔性基底的一侧，所述第一极和第二极位于所述第一栅极远离所述柔性基底的一侧，所述第一栅极与所述第二栅极电连接；
[0022]所述无机绝缘层还包括所述缓冲层。
[0023]在一些实施例中，驱动基板还包括：位于所述第一导电图形层和所述柔性基底之间的第二导电图形层；
[0024]所述第二导电图形层包括：多条信号传输走线，未与所述薄膜晶体管的第一极电连接的各所述第一连接端子分别通过对应的所述信号传输走线与对应的所述信号供给引线电连接。
[0025]在一些实施例中，所述第二导电图形层与所述第一极、所述第二极同层设置。
[0026]在一些实施例中，所述第一极和所述第二极远离所述柔性基底的一侧形成有第二平坦化层，所述第二平坦化层远离所述柔性基底的一侧形成有第一钝化层，所述第二平坦化层在所述可弯折区为镂空结构；
[0027]所述第一导电图形层位于所述第一钝化层远离所述柔性基底的一侧；
[0028]所述无机绝缘层包括所述第一钝化层。
[0029]在一些实施例中，所述绑定区远离所述显示区的一侧设置有外扩区；
[0030]所述可弯折区、所述绑定区和所述外扩区沿预设方向排布；
[0031]所述可弯折区在所述预设方向上的宽度包括：15mm～25mm；
[0032]所述绑定区在所述预设方向上的宽度包括：3.5mm～4.5mm；
[0033]所述外扩区在所述预设方向上的宽度包括：4.5mm～5.5mm。
[0034]第二方面，本公开实施例还提供了一种显示装置，其中，包括：发光元件和如第一方面提供的驱动基板，所述发光元件位于所述第一导电图形层远离所述柔性基底的一侧；
[0035]所述发光元件具有第一引脚和第二引脚，所述第一引脚和所述第二引脚分别与对
应的所述第一连接端子电连接。
[0036]第三方面，本公开实施例还提供了一种驱动基板的制备方法，可用于制备第一方面中的驱动基板，包括：
[0037]提供柔性基底，所述柔性基底包括：显示区、可弯折区和绑定区，所述可弯折区位于所述显示区和所述绑定区之间；
[0038]在所述柔性基底上形成多个薄膜晶体管和至少一层无机绝缘层，所述无机绝缘层在所述可弯折区内为镂空结构；
[0039]在所述薄膜晶体管远离所述柔性基底的一侧形成第一导电图形层，所述第一导电图形层包括：多个第一连接端子和多条信号供给引线，所述第一连接端子位于所述显示区内，部分所述第一连接端子与所述薄膜晶体管的第一极电连接，所述信号供给引线位于所述可弯折区内，所述信号供给引线的两端分别延伸至所述显示区和所述绑定区内。
[0040]在一些实施例中，所述制备方法还包括：在所述第一导电图形层远离所述柔性基底的一侧形成第一平坦化层；
[0041]形成第一平坦化层的步骤包括：
[0042]在所述第一导电图形层远离所述柔性基底的一侧形成第一平坦化材料薄膜，所述信号供给引线的厚度为H1,所述第一平坦本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种驱动基板，其中，包括：柔性基底、位于所述柔性基底上的多个薄膜晶体管和位于所述薄膜晶体管远离所述柔性基底一侧的第一导电图形层；所述柔性基底包括：显示区、可弯折区和绑定区，所述可弯折区位于所述显示区和所述绑定区之间，所述薄膜晶体管位于所述显示区内；所述第一导电图形层包括：多个第一连接端子和多条信号供给引线，所述第一连接端子位于所述显示区内，部分所述第一连接端子与所述薄膜晶体管的第一极电连接，所述信号供给引线位于所述可弯折区内，所述信号供给引线的两端分别延伸至所述显示区和所述绑定区内；所述第一导电图形层与所述柔性基底之间设置有至少一层无机绝缘层，所述无机绝缘层在所述可弯折区内为镂空结构。2.根据权利要求1所述的驱动基板，其特征在于，还包括：位于所述柔性基底与所述薄膜晶体管之间的隔离阻挡层，所述隔离阻挡层位于所述显示区的部分的厚度大于位于所述可弯折区的部分的厚度。3.根据权利要求1所述的驱动基板，其特征在于，所述隔离阻挡层位于所述显示区的部分的厚度包括：所述隔离阻挡层位于所述可弯折区的部分的厚度包括：4.根据权利要求1所述的驱动基板，其中，所述第一导电图形层还包括：位于所述绑定区的第二连接端子，所述第二连接端子与所述信号供给引线电连接。5.根据权利要求4所述的驱动基板，其中，还包括：位于所述第一导电图形层远离所述柔性基底一侧的第一平坦化层；所述第一平坦化层上在所述第一连接端子所处区域形成有连通至所述第一连接端子的第一过孔；所述第一平坦化层上在所述第二连接端子所处区域形成有连通至所述第二连接端子的第二过孔。6.根据权利要求1-5中任一所述的驱动基板，其中，所述薄膜晶体管包括：有源层图形、第一栅极、第一极和第二极；所述有源层图形与所述第一栅极之间形成有栅绝缘层，所述第一极和所述第二极与所述有源层图形之间形成有层间介质层，所述第一极和所述第二极通过所述有层间介质层上的过孔与所述有源层图形连接；所述无机绝缘层包括所述栅绝缘层和所述层间介质层。7.根据权利要求6所述的驱动基板，其中，所述薄膜晶体管还包括：第二栅极；所述第二栅极位于所述有源层图形靠近所述柔性基底的一侧，所述第二栅极与所述有源层图形之间形成有缓冲层；所述第一栅极位于所述有源层图形远离所述柔性基底的一侧，所述第一极和第二极位于所述第一栅极远离所述柔性基底的一侧，所述第一栅极与所述第二栅极电连接；所述无机绝缘层还包括所述缓冲层。8.根据权利要求6所述的驱动基板，其中，驱动基板还包括：位于所述第一导电图形层和所述柔性基底之间的第二导电图形层；
所述第二导电图形层包括：多条信号传输走线，未与所述薄膜晶体管的第一极电连接的各所述第一连接端子分别通过对应的所述信号传输走线与对应的所述信号供给引线电连接。9.根据权利要求8所述的驱动基板，其中，所述第二导电图形层与所述第一极、所述第二极同层设置。10.根据权利要求9所述的驱动基板，其中，所述第一极和所述第二极远离所述柔性基底的一侧形成有第二平坦化层，所述第二平坦化层远离所述柔性基底的一侧形成有第一钝化层，所述第二平坦化层在所述可弯折区为镂空结构；所述第一导电图形层位于所...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢鑫泓，张方振，袁广才，曹占锋，王久石，王珂，朱小研，齐琪，周靖上，强朝辉，梁志伟，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：