一种TFT阵列基板、显示面板及电子设备制造技术

本公开实施例提供了一种TFT阵列基板、显示面板及电子设备，TFT阵列基板包括：多个GOA模型，一个GOA模型用于驱动一行像素；每个GOA模型包括多对TFT单元，每对TFT单元中的每个TFT单元包括多个TFT，多个TFT的三极组成TFT单元的三极走线，三极为栅极、源极和漏极；其中，每对所述TFT单元的第一TFT单元与第二TFT单元中三极走线排版的形状、大小均相同，第一TFT单元与第二TFT单元的三极走线中具有相同信号的电极走线中的一极或两极配置为共用走线。本公开实施例将每个GOA模型中每对TFT单元内具有相同信号的电极走线中的一极或两极配置为共用走线，进而减小GOA排版区所占空间。进而减小GOA排版区所占空间。进而减小GOA排版区所占空间。

【技术实现步骤摘要】
一种TFT阵列基板、显示面板及电子设备


[0001]本公开涉及显示器领域，特别涉及一种TFT阵列基板、显示面板及电子设备。

技术介绍

[0002]对于新产品而言，THO6090(Temperature(60℃)humidity(90％)Operation)是一个重要评价标准，即在高温高湿的恶劣环境下运行屏幕，评价屏幕正常显示持续时间，正常显示持续时间越长越好，目前厂内的最低标准是大于等于1000小时。THO异常显示的原因是随着评价时间的推移，水汽侵入GOA(Gate on Array，门阵列)区域中的Seal胶腐蚀信号线，导致Seal胶下CLK信号线短接从而屏幕异常显示。目前，对于Oxide(氧化物)产品而言，很多产品都很难达到最低标准，导致量产推迟，客户满意度降低。
[0003]当前厂内为了使Oxide产品满足THO测试标准，厂内采用了多种方法对应，其中之一就是增大GOA区域内Seal胶外边缘与产品CLK信号线距离的方法，但这又会导致产品边框增加，且与市场上产品窄边框化的发展趋势相悖。因此，为了能满足Seal胶与CLK信号线距离要求从而促进解决THO异常显示问题，且跟随符合市场发展趋势，减小GOA排版空间是一个亟待解决的重要问题。
[0004]目前，Oxide产品的GOA模型(即驱动一行像素的GOA)采用A、B两组降噪TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)单元交替工作的方式以延长产品寿命，中A组和B组的形状大小需完全保持一致，避免交替工作时出现不良，每个TFT单元均由多个TFT累加构成，TFT单元呈矩形，导致GOA排版区所占空间较大，不利于实现窄边框。

技术实现思路

[0005]有鉴于此，本公开实施例提出了一种TFT阵列基板、显示面板及电子设备，用以解决现有技术的如下问题：Oxide产品的GOA模型采用A、B两组降噪TFT单元交替工作的方式以延长产品寿命，每个TFT单元均由多个TFT累加构成，TFT单元呈矩形，导致GOA排版区所占空间较大，不利于实现窄边框。
[0006]一方面，本公开实施例提出了一种TFT阵列基板，包括：多个GOA模型，一个所述GOA模型用于驱动一行像素；每个所述GOA模型包括多对TFT单元，每对TFT单元中的每个所述TFT单元包括多个TFT，多个所述TFT的三极组成所述TFT单元的三极走线，所述三极为栅极、源极和漏极；其中，每对所述TFT单元的第一TFT单元与第二TFT单元中所述三极走线排版的形状、大小均相同，所述第一TFT单元与所述第二TFT单元的所述三极走线中具有相同信号的电极走线中的一极或两极配置为共用走线。
[0007]在一些实施例中，在具有相同信号的所述电极走线的数量为两个、且所述电极走线包括源极走线和/或漏极走线时，所述源极走线和/或所述漏极走线配置为共用走线。
[0008]在一些实施例中，在具有相同信号的所述电极走线的数量为一个、且所述电极走线不是所述栅极走线时，所述源极走线或所述漏极走线配置为共用走线。
[0009]在一些实施例中，在所述第一TFT单元与所述第二TFT单元具有相同的源极信号和
漏极信号时，所述第一TFT单元与所述第二TFT单元的所述源极走线配置为共用走线。
[0010]在一些实施例中，在所述第一TFT单元与所述第二TFT单元具有相同的源极信号和漏极信号时，所述第一TFT单元与所述第二TFT单元的所述漏极走线配置为共用走线。
[0011]在一些实施例中，在所述第一TFT单元与所述第二TFT单元具有相同栅极信号和源极信号时，所述第一TFT单元与所述第二TFT单元的所述源极走线配置为共用走线、所述栅极走线配置为共用走线。
[0012]在一些实施例中，在所述第一TFT单元与所述第二TFT单元具有相同的栅极信号和漏极信号时，所述第一TFT单元与所述第二TFT单元的所述漏极走线配置为共用走线、所述栅极走线配置为共用走线。
[0013]另一方面，本公开实施例提出了一种显示面板，至少包括：本公开任一实施例所述的TFT阵列基板。
[0014]另一方面，本公开实施例提出了一种电子设备，至少包括：本公开任一实施例所述的显示面板。
[0015]本公开实施例在设置GOA模型时对两个完全相同的TFT单元进行了改进，通过确定两个TFT单元三极走线中具有相同信号的电极走线来确定共用走线，进而在布线时将每个GOA模型中每对TFT单元内具有相同信号的电极走线中的一极或两极配置为共用走线，节省同一信号的电极走线的占用面积，进而减小GOA排版区所占空间，释放出更多空间进行窄边框设计。
附图说明
[0016]为了更清楚地说明本公开实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0017]图1为现有技术提供的GOA模型的排版示意图一；
[0018]图2为现有技术提供的GOA模型的排版示意图二；
[0019]图3为本公开实施例提供的TFT阵列基板的结构示意图；
[0020]图4为现有技术提供的GOA模型的排版示意图三；
[0021]图5为本公开实施例提供的GOA模型的排版示意图一；
[0022]图6为本公开实施例提供的GOA模型的排版示意图二；
[0023]图7为现有技术提供的GOA模型的排版示意图四；
[0024]图8为本公开实施例提供的GOA模型的排版示意图三。
[0025]附图标记：
[0026]1‑
GOA模型，11
‑
第一TFT单元，12
‑
第二TFT单元。
具体实施方式
[0027]为了使得本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通
技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
[0028]除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
[0029]为了保持本公开实施例的以下说明清本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种TFT阵列基板，其特征在于，包括：多个GOA模型，一个所述GOA模型用于驱动一行像素；每个所述GOA模型包括多对TFT单元，每对TFT单元中的每个所述TFT单元包括多个TFT，多个所述TFT的三极组成每个所述TFT单元的三极走线，所述三极为栅极、源极和漏极；其中，每对所述TFT单元的第一TFT单元与第二TFT单元中所述三极走线排版的形状、大小均相同，所述第一TFT单元与所述第二TFT单元的所述三极走线中具有相同信号的电极走线中的一极或两极配置为共用走线。2.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，在具有相同信号的所述电极走线的数量为两个、且所述电极走线包括源极走线和/或漏极走线时，所述源极走线和/或所述漏极走线配置为共用走线。3.如权利要求1或2所述的TFT阵列基板，其特征在于，在具有相同信号的所述电极走线的数量为一个、且所述电极走线不是所述栅极走线时，所述源极走线或所述漏极走线配置为共用走线。4.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，在所述第一TFT单元与所述第二TF...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘艳，杨国栋，王小元，吴忠山，蒲巡，陈俊明，万彬，滕征远，范志成，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：