使用源极区和沟道区的闪存单元擦除方案制造技术

一种擦除非易失性存储器的方法，包括：　　　　将第一极性的第一电位施加到控制栅极上；　　　　将第二极性的第二电位施加到体区上，第二电位是Ｎ幅度；以及　　　　将第二极性的第三电位施加到源极区，第三电位是Ｍ幅度，　　　　其中，Ｎ和Ｍ大致相同。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及集成电路非易失性存储器，尤其涉及闪存。闪存是可电擦除非易失性存储器，其中，可以在单个操作中擦除多组单元。
技术介绍
现在已熟知多种类型的集成电路存储器，以及制造它们的工艺。一种特殊类型的集成电路存储器是非易失性存储器。之所以称为非易失性存储器，是因为它在存储器断电时，不丢失存储在存储器中的信息。非易失性存储器在可中断供电的产品有许多应用。例如，一种采用闪存的熟知产品是PCMCIA或PC卡。PC卡是小型信用卡大小的插件，包括非易失性存储器，在非易失性存储器内存储有计算机程序或其它信息。这种器件允许用户将存储卡连接到计算机或其它电子设备，或者从计算机或其它电子设备断开，而不丢失存储在存储卡内的程序。非易失性存储器件包括只读存储器(ROM)、可编程只读存储器(PROM)、可电擦除只读存储器(EEPROM)及其它各种类型。在可电擦除可编程存储器的领域中，已知某类器件为闪存或闪速EEPROM。这种存储器可选择性地为可编程和可擦除，通常在单个操作中可擦除多组单元。在传统的闪存中，每个存储单元由具有源极、漏极、控制栅极极和浮置栅极的晶体管形成。浮置栅极形成在控制栅极与衬底之间。可本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种擦除非易失性存储器的方法，包括将第一极性的第一电位施加到控制栅极上；将第二极性的第二电位施加到体区上，第二电位是N幅度；以及将第二极性的第三电位施加到源极区，第三电位是M幅度，其中，N和M大致相同。2.根据权利要求1所述的方法，其中，N与M之间的差不大于约0.6V。3.根据权利要求1所述的方法，其中，N与M之间的差不大于约0.3V。4.根据权利要求1所述的方法，其中，N与M之间的差不大于约0.1V。5.根据权利要求1所述的方法，其中，第一电位是约-8V，第二电位是约8V，而第三电位是约8V。6.根据权利要求1所述的方法，其中，沟道区和源极区用于擦除非易失性存储器。7.根据权利要求1所述的方法，其中，存储器是闪存。8.根据权利要求1所述的方法，其中，将第二和第三电位几乎同时分别施加到体区和源极区上。9.根据权利要求1所述的方法，其中，体区是硅衬底。10.根据权利要求1所述的方法，其中，体区是形成在N阱区内的P阱区。11.一种用于擦除闪存器件的方法，包括将第一幅度的第一负电位施加到控制栅极；以及将第二幅度的第二正电位施加到源极区，其中第二幅度的绝对值不少于第一幅度。12.根据权利要求11所述的方法，还包括将第三幅度...

【专利技术属性】
技术研发人员：辛亚·A·王，周开诚，彼德·拉布金，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：