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使用源极区和沟道区的闪存单元擦除方案制造技术
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下载使用源极区和沟道区的闪存单元擦除方案的技术资料
文档序号:3208989
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一种擦除非易失性存储器的方法,包括: 将第一极性的第一电位施加到控制栅极上; 将第二极性的第二电位施加到体区上,第二电位是N幅度;以及 将第二极性的第三电位施加到源极区,第三电位是M幅度, 其中,N和M大致相同。...
该专利属于海力士半导体有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过海力士半导体有限公司授权不得商用。
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