【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种工艺参数分析方法,特别涉及一种圆片测试参数的分析方法。
技术介绍
在半导体制造技术中,要完成一半导体产品通常要经过许多个工艺,例如微影工艺、蚀刻工艺、离子注入工艺等;亦即在半导体制造过程中必须应用到庞大数量的机台,以及许多繁琐的程序。因此,本领域技术人员均致力于确保机台运作正常、维持或提高产品成品率、检测确认问题点以及机台维修等作业,以期使半导体产品的生产速度及品质能够合乎客户需求。一般而言,要探讨半导体工艺的问题可以从下列数项数据着手进行分析,包括工艺参数数据、线上品质测试(In-line QC)数据、缺陷检测(defect inspection)数据、样品测试(sample test)数据、圆片测试(wafer test)数据以及封装后测试(final test)数据。其中,圆片测试数据是对圆片进行特性测试(pause refresh test)、功能测试(functiontest)及电源供应电流测试(IDDQ test)所得到的测试值。在原有技术中,请参照图1所示,首先进行步骤101,此时技术人员会针对每一圆片进行各项圆片测试项目的测试,如特性测试、功能测试及电源供应电流测试。接着,在步骤102中,技术人员会观察每一圆片的各项圆片测试项目的结果,以便找出圆片测试结果有偏差的产品;如图2所示,在一片圆片2中会切割成多个小片(die),其中包括有多个次品小片21(以黑色显示)以及多个合格的小片22(以白色显示),而图2即表示圆片测试参数值的分布图。在步骤103,由技术人员根据经验,以及自步骤102中所选出的异常产品的圆片测试参数值分 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种圆片测试参数分析方法,其系用以分析多批分别具有一批号的产品,该多批产品经过多个机台所制得,而每批产品中的每一个圆片至少经过一圆片测试项目的检测而产生一圆片测试参数值,该圆片测试项目及与该圆片测试项目相关的一样品测试项目、一线上品质检测项目以及一工艺流程站别储存于一数据库中,该数据库亦储存有该圆片测试参数值,所述圆片测试参数分析方法包含依据成品率将该多批产品区分为至少二产品组,该产品组包含一高成品率产品组及一低成品率产品组;依据该高成品率产品组的各批产品的圆片测试参数值,以统计分析方式产生一第一标准值;对比该低成品率产品组的各批产品的圆片测试参数值与该第一标准值,以自该低成品率产品组的各批产品的批号中删除等于或优于该第一标准值的该批产品的批号;于删除操作之后,判断该低成品率产品组的剩余批号的数量是否为零;当判断该低成品率产品组的剩余批号的数量不为零时,自该数据库中搜索以下内容的至少其中一项内容与该圆片测试项目相关的该样品测试项目、该线上品质检测项目及该工艺流程站别;以及当判断该低成品率产品组的剩余批号的数量为零时,停止搜索操作。2.如权利要求1所述的圆片测试参数分析方法,其中当该数据库的搜索操作的结果显示该圆片测试项目与该样品测试项目相关时,该圆片测试参数分析方法进一步包含依据该高成品率产品组的各批产品的样品测试项目的结果,以统计分析方式产生一第二标准值;对比该低成品率产品组中剩余批号的产品的样品测试项目的结果与该第二标准值,以自该低成品率产品组的剩余批号中删除等于或优于该第二标准值的该批产品的批号;于删除操作之后,判断该低成品率产品组的剩余批号的数量是否为零;当判断该低成品率产品组的剩余批号的数量不为零时,自该数据库中搜索以下内容的至少其中一项内容与该样品测试项目相关的该线上品质检测项目及该工艺流程站别;以及当判断该低成品率产品组的剩余批号的数量为零时,停止搜索操作。3.如权利要求2所述的圆片测试参数分析方法,其中当该数据库的搜索操作的结果显示该样品测试项目与该线上品质测试项目相关时,该圆片测试参数分析方法进一步包含依据该高成品率产品组的各批产品的线上品质测试项目的结果,以统计分析方式产生一第三标准值;对比该低成品率产品组中剩余批号的产品的线上品质测试项目的结果与该第三标准值,以自该低成品率产品组的剩余批号中删除等于或优于该第三标准值的该批产品的批号;于删除操作之后,判断该低成品率产品组的剩余批号的数量是否为零;当判断该低成品率产品组的剩余批号的数量不为零时,自该数据库中搜索与该线上品质测试项目相关的该工艺流程站别的其中至少一个站别;以及当判断该低成品率产品组的剩余批号的数量为零时,停止搜索操作。4.如权利要求3所述的圆片测试参数分析方法,其中当该数据库的搜索操作的结果显示该线上品质测试项目与该工艺流程站别相关时,所述圆片测试参数分析方法进一步包含搜索该高成品率产品组在该工艺流程站别所经过的机台;搜索该低成品率产品组中剩余批号的产品在该工艺流程站别所经过的机台;以及判断该低成品率产品组中剩余批号的产品经过机率高于该高成品率产品组经过机率的机台。5.如权利要求4所述的圆片测试参数分析方法,其系利用共通性分析方法来判断该低成品率产品组中剩余批号的产品经过机率高于该高成品率产品组经过机率的机台。6.如权利要求1所述的圆片测试参数分析方法,其中当该数据库的搜索操作的结果显示该圆片测试项目与该线上品质测试项目相关时,所述圆片测试参数分析方法进一步包含依据该高成品率产品组的各批产品的线上品质测试项目的结果,以统计分析方式产生一第三标准值;对比该低成品率产品组中剩余批号的产品的线上品质测试项目的结果与该第三标准值,以自该低成品率产品组的剩余批号中删除等于或优于该第三标准值的该批产品的批号;于删除操作之后,判断该低成品率产品组的剩余批号的数量是否为零;当判断该低成品率产品组的剩余批号的数量不为零时,自该数据库中搜索与该线上品质测试项目相关的该工艺流程站别;以及当判断该低成品率产品组的剩余批号的数量为零时,停止搜索操作。7.如权利要求6所述的圆片测试参数分析方法,其中当该数据库的搜索操作的结果显示该线上品质测试项目与该工艺流程站别相关时,所述圆片测试参数分析方法进一步包含搜索该高成品率产品组在该工艺流程站别所经过的机台;搜索该低成品率产品组中剩余批号的产品在该工艺流程站别所经过的机台;以及判断该低成品率产品组中剩余批号的产品经过机率高于该高成品率产品组经过机率的机台。8.如权利要求7所述的圆片测试参数分析方法,其系利用共通性分析方法来判断该低成品率产品组中剩余批号的产品经过机率高于该高成品率产品组经过机率的机台。9.如权利要求1所述的圆片测试参数分析方法,其中当该数据库的搜索操作的结果显示该圆片测试项目与该工艺流程站别相关时,所述圆片测试参数分析方法进一步包含搜索该高成品率产品组在该工艺流程站别所经过的机台;搜索该低成品率产品组中剩余批号的产品在该工艺流程站别所经过的机台;以及判断该低成品率产品组中剩余批号的产品经过机率高于该高成品率产品组经过机率的机台。10.如权利要求9所述的圆片测试参数分析方法,其系利用共通性分析方法来判断该低成品率产品组中剩余批号的产品经过机率高于该高成品率产品组经过机率的机台。11.如权利要求1所述的圆片测试参数分析方法,其中当判断该低成品率产品组的剩余批号的数量不为零时,所述圆片测试参数分析方法进一步包含判断该低成品率产品组中剩余批号的产品是否有缺陷;当判断该低成品率产品组中剩余批号的产品无缺陷时,停止搜索操作;当判断该低成品率产品组中剩余批号的产品有缺陷时,取得具有缺陷的产品的批号;于具有缺陷的该批产品中,取得缺陷所在的各圆片上的多个层别,其中各层别分别具有一缺陷分布图;分析具有缺陷的该批产品的各圆片的圆片测试参数值分布图;将该多个层别的缺陷分布图与该圆片测试参数值分布图进行叠图操作,以依据重叠比率而自该多个层别中取得至少一重叠比率较高的目标层别;以及自该数据库中搜索与该目标层别相关的工艺流程站别。12.如权利要求11所述的圆片测试参数分析方法,其中当该数据库的搜索操作的结果显示该目标层别与该工艺流程站别相关时,所述圆片测试参数分析方法进一步包含搜索该高成品率产品组在该工艺流程站别所经过的机台;搜索该低成品率产品组中剩余批号的产品在该工艺流程站别所经过的机台;以及判断该低成品率产品组中剩余批号的产品经过机率高于该高成品率产品组经过机率的机台。13.如权利要求12所述的圆片测试参数分析方法,其系利用共通性分析方法来判断该低成品率产品组中剩余批号的产品经过机率高于该高成品率产品组经过机率的机台。14.如权利要求11所述的圆片测试参数分析方法,进一步包含依据该目标层别的缺陷数目,以统计分析方式产生一作为该目标层别的缺陷控制标准的第四标准值。15.如权利要求14所述的圆片测试参数分析方法,进一步包含依据该第四标准值而预测在后续工艺中,进行至该目标层别的产品的成品率。16.如权利要求1所述的圆片测试参数分析方法,其中当判断该低成品率产品组的剩余批号的数量不为零时,所述圆片测试参数分析方法进一步包含判断该低成品率产品组中剩余批号的产品是否有缺陷;当判断该低成品率产品组中剩余批号的产品无缺陷时,停止搜索操作;当判断该低成品率产品组中剩余批号的产品有缺陷时,取得具有缺陷的产品的批号;于具有缺陷的该批产品中取得缺陷所在的各圆片上的多个层别,其中各层别分别具有一缺陷分布图;计算该多个层别上的缺陷数目;分析具有缺陷的该批产品的各圆片的圆片测试参数值分布图;将该多个层别的缺陷分布图与该圆片测试参数值分布图进行叠图操作,以取得其重叠比率;分别计算各圆片的多个层别上的缺陷数目与圆片测试参数值不合乎规格的小片数的比值;判断该重叠比率是否大于或等于一第五标准值;当判断该重叠比率小于该第五标准值时,略过该层别;当判断该重叠比率大于或等于该第五标准值时,将该层别标示为一第一缺陷层;判断该比值是否大于或等于一第六标准值;当判断该比值小于该第六标准值时,略过该层别;当判断该比值大于或等于该第六标准值时,将该层别标示为一第二缺陷层;搜索包含有至少具有该第一缺陷层及该第二缺陷层的其中之一的圆片的该批产品及其批号;以及自该数据库中搜索至少与该第一缺陷层及该第二缺陷层的其中之一相关的该工艺流程站别。17.如权利要求16所述的圆片测试参数分析方法,其中当该数据库的搜索操作的结果显示该第一缺陷层及该第二缺陷层其中之至少一与该工艺流程站别相关时,所述圆片测试参数分析方法进一步包含搜索该高成品率产品组在该工艺流程站别所经过的机台;搜索包含有至少具有该第一缺陷层及该第二缺陷层的其中之一的圆片的该批产品在该工艺流...
【专利技术属性】
技术研发人员:戴鸿恩,乐庆莉,
申请(专利权)人:力晶半导体股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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