封装后测试参数分析方法技术

一种封装后测试参数分析方法，用以分析多批分别具有批号的产品，经多个机台所制得，且每批产品中每片晶片经多道封装后检测以产生测试参数值，这些测试项目和参数值、及与其相关的封装工艺站别储存于一数据库中，本方法包括以下步骤：搜寻数据库以取得每批产品的封装后测试参数值；比较这些参数值，选出一具代表性参数值及项目；判断测试项目是否与封装工艺站别相关；当判断相关时，依据代表性的封装后测试项目将多批产品区分为至少一个第一合格产品组及第一不合格产品组；搜寻第一合格产品组于封装工艺站别所经过的机台；搜寻第一不合格产品组于封装工艺站别所经过的机台；及判断第一不合格产品组经过机率高于第一合格产品组经过机率的机台。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种工艺参数分析方法，特别涉及一种封装后测试参数的分析方法。
技术介绍
在半导体制造技术中，要完成一半导体产品通常要经过许多个工艺，例如光刻工艺、蚀刻工艺、离子注入工艺等；亦即在半导体制造过程中必须应用到庞大数量的机台，以及许多繁琐的程序。因此，本领域技术人员皆致力于确保机台运作正常、维持或提高产品合格率、侦测确认问题点以及机台维修等作业，以期使半导体产品的生产速度及品质能够合乎客户需求。一般而言，要探讨半导体工艺的问题可以从下列数项资料着手进行分析，包括工艺参数资料、线上品质测试(In-line QC)资料、缺陷检测(defect inspection)资料、样品测试(sample test)资料、晶片测试(wafer test)资料以及封装后测试(final test)资料。其中，封装后测试资料乃是当晶片切割并进行封装程序后，对所制得的半导体组件进行产品测试所得到的检测值。在现有技术中，请参照图1所示，首先进行步骤101，此时本领域技术人员会针对经过封装工艺之后的每一半导体组件进行各项封装后测试项目的测试，如半导体组件的接脚(pin)的电性测试。接着，在步骤102中，本领域技术人员会观察每一半导体组件的各项封装后测试项目的结果，以便找出封装后测试结果有偏差的产品。步骤103是由本领域技术人员根据经验，以及从步骤102中所选出的异常产品的封装后测试结果，来判断可能有问题的工艺站别，如封装工艺，或是其它测试资料的站别有问题，如线上品质检测站别、样品测试站别等。最后，在步骤104中，本领域技术人员检查步骤103所判断的工艺站别中的各机台，以便找出异常的机台，或是重新设定步骤103所判断的测试站别的各项测试设定值。举例而言，若本领域技术人员判断半导体组件的某一接脚有问题，可以搜索进行此封装工艺的工艺站别，并检查出异常的机台，如打线接合(wire bonding)机台、封胶(molding)机台等；另外，若本领域技术人员判断半导体组件的问题是与先前的制造过程有关，则可能是之前的某一线上检测站别有问题，导致无法有效地检出有问题的产品，所以本领域技术人员会修正此一线上检测站别的各项预设规格(spec)，以期在后续产品中避免相同问题发生。然而，由于在现有技术中是利用人为经验判断来决定分析结果(步骤103)及修正的数值(步骤104)，所以最后分析出来的结果的精确度及可信度将有待商榷；再加上半导体制造业的人士更迭频繁，导致前后期工程师之间的经验传承不易，且每一位工程师能力有限、无法兼顾厂区所有机台的操作状态，故当半导体产品的测试结果发生异常时，工程师不见得有足够的经验快速且正确地判断出是哪一个环节出问题，因而可能必须耗费许多时间来进行相关研究，甚至有可能做出错误的判断，如此一来，不但降低工艺的效率、增加生产成本，还无法及时改善线上生产情形以提高合格率。因此，如何提供一种能够在半导体产品的封装后测试资料发生异常时，快速且正确地判断出是哪一个环节出问题、以及正确地更正预设规格的分析方法，正是当前半导体制造技术的重要课题之一。
技术实现思路
为了克服现有技术的不足之处，本专利技术的目的是提供一种能够在半导体产品的封装后测试资料发生异常时，快速且正确地判断出是哪一个环节出问题的。本专利技术的另一目的是提供一种能够依据封装后测试及线上品质检测或样品测试的结果来修正线上品质检测或样品测试的控制标准(control spec)的。本专利技术的特征为以较佳的产品为对照组，并以统计及共通性分析手法来分析较差的产品的各项测试资料及机台资料。于是，为达上述目的，依本专利技术的为用以分析多批分别具有一批号的产品，每批产品经过多个机台所制得，且每批产品中的每一片晶片系经过多道封装后测试项目的检测以产生多个封装后测试参数值，这些封装后测试项目、这些封装后测试参数值、及与这些封装后测试项目相关的一封装工艺站别系储存于一数据库中，本方法包括以下多个步骤搜寻数据库以取得每批产品的封装后测试参数值；比较这些封装后测试参数值以选出一具代表性的封装后测试参数值及相对应的一具代表性的封装后测试项目；判断具代表性的封装后测试项目是否与封装工艺站别相关；当判断相关时，分别比较多批产品的具代表性的封装后测试项目的参数值与一预设规格，以便将具代表性的封装后测试项目的参数值大于预设规格者区分为一个第一不合格产品，而将具代表性的封装后测试项目的参数值小于预设规格者区分为一个第一合格产品组；搜寻第一合格产品组的各批产品于封装工艺站别所经过的机台；搜寻第一不合格产品组的各批产品于封装工艺站别所经过的机台；以及判断第一不合格产品组经过机率高于第一合格产品组经过机率的机台。此外，每批产品中的每一片晶片都曾经经过与封装后测试项目相关的一线上品质检测项目及一样品测试项目的检测以产生一线上品质检测参数值及一样品测试参数值，而数据库中还储存有这些资料，而依本专利技术的更以统计分析手法来分析封装后测试及线上品质检测或样品测试的结果，以便修正线上品质检测或样品测试的控制标准。承上所述，因依本专利技术的是以较佳之数批产品为对照组，并以统计及共通性分析手法来分析较差的产品的各项测试资料及机台资料，所以能够在半导体产品的封装后测试资料发生异常时，快速且正确地判断出是哪一个环节出问题，以便能够正确地判断出有问题的工艺站别，进而找出异常的机台，并能够依据分析结果来修正线上品质检测或样品测试的控制标准，所以能够有效地减少人为判断的错误来提高工艺的效率、减少生产成本、并及时改善线上生产情形以提高合格率。附图说明图1为一流程图，显示现有晶片测试参数分析方法的流程；图2为一流程图，显示依本专利技术较佳实施例的的流程；以及图3为一流程图，显示延续图3所示的流程图的流程。具体实施例方式以下将参照相关图，说明依本专利技术较佳实施例的，其中相同的组件将以相同的参照符号加以说明。如图2所示，其显示本专利技术较佳实施例的的流程图。此实施例可分析并找出问题封装机台。如图2所示，首先，在步骤201中，依本专利技术较佳实施例的先搜寻多批产品的多个封装后测试参数值，然后步骤202比较这些封装后测试参数值，然后选出一具代表性的封装后测试参数值及相对应的一具代表性的封装后测试项目。举例而言，假设共有n批产品，而所分析的封装后测试项目有A项目、B项目及C项目三种，则所有的封装后测试参数值如下表所示 其中所显示的各项百分比为各批号在各封装后测试项目的不合格率；在本步骤中，所选出的具代表性的封装后测试项目为平均值最高者，即A项目。换言之，此具代表性的封装后测试项目为扼杀(killed)封装后测试项目，其为多批产品中不合格率的平均值最高的封装后测试项目。在本实施例中，每一批(lot)产品具有一批号(lot number)，且每批产品包括有25片晶片，而每批产品经过多道工艺的多个机台，最后经过多道封装后测试项目的检测以产生多个封装后测试参数值。接着，步骤203可判断具代表性的封装后测试项目是否与封装工艺站别相关。一般而言，每一道封装后测试项目会与某些特定的工艺机台相关，而本实施例可将此相关性储存于一数据库中，以避免人为的判断。当步骤203判断此具代表性的封装后测试项目与封装工艺站别不相关时，本方法会从其它相关工艺着手进行分析(如图3所示)，如线本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种封装后测试参数分析方法，其特征在于：用以分析多批分别具有一批号的产品，该多批产品经过多个机台所制得，而每批产品中的每一片晶片经过多道封装后测试项目的检测以产生多个封装后测试参数值，这些封装后测试项目、这些封装后测试参数值、及与这些封装后测试项目相关的一封装工艺站别储存于一数据库中，该封装后测试参数分析方法包含：　　　　搜寻该数据库以取得该多批产品的封装后测试参数值；　　　　比较这些封装后测试参数值以选出一具代表性的封装后测试参数值及相对应的一具代表性的封装后测试项目；　　　　判断该具代表性的封装后测试项目是否与该封装工艺站别相关；　　　　当判断该具代表性的封装后测试项目与该封装工艺站别相关时，依据该具代表性的封装后测试项目将该多批产品区分为至少二个第一产品组，这些第一产品组包含一个第一合格产品组及一个第一不合格产品组；　　　　搜寻该第一合格产品组于该封装工艺站别所经过的机台；　　　　搜寻该第一不合格产品组于该封装工艺站别所经过的机台；以及　　　　判断该第一不合格产品组经过机率高于该第一合格产品组经过机率的机台。

【技术特征摘要】
1.一种封装后测试参数分析方法，其特征在于用以分析多批分别具有一批号的产品，该多批产品经过多个机台所制得，而每批产品中的每一片晶片经过多道封装后测试项目的检测以产生多个封装后测试参数值，这些封装后测试项目、这些封装后测试参数值、及与这些封装后测试项目相关的一封装工艺站别储存于一数据库中，该封装后测试参数分析方法包含搜寻该数据库以取得该多批产品的封装后测试参数值；比较这些封装后测试参数值以选出一具代表性的封装后测试参数值及相对应的一具代表性的封装后测试项目；判断该具代表性的封装后测试项目是否与该封装工艺站别相关；当判断该具代表性的封装后测试项目与该封装工艺站别相关时，依据该具代表性的封装后测试项目将该多批产品区分为至少二个第一产品组，这些第一产品组包含一个第一合格产品组及一个第一不合格产品组；搜寻该第一合格产品组于该封装工艺站别所经过的机台；搜寻该第一不合格产品组于该封装工艺站别所经过的机台；以及判断该第一不合格产品组经过机率高于该第一合格产品组经过机率的机台。2.如权利要求1所述的封装后测试参数分析方法，其特征在于该具代表性的封装后测试项目为一扼杀封装后测试项目。3.如权利要求1所述的封装后测试参数分析方法，其特征在于利用共通性分析手法来判断该第一不合格产品组经过机率高于该第一合格产品组经过机率的机台。4.如权利要求1所述的封装后测试参数分析方法，其特征在于每批产品中的每一片晶片经过与该封装后测试项目相关的一线上品质检测项目及一样品测试项目的检测以产生一线上品质检测参数值及一样品测试参数值，该数据库更储存有该线上品质检测项目、该样品测试项目、该线上品质检测参数值及该样品测试参数值，该封装后测试参数分析方法还包含当判断该具代表性的封装后测试项目与该封装工艺站别不相关时，依据该具代表性的封装后测试项目将该多批产品区分为至少二个第二产品组，这些第二产品组包含一个第二合格产品组及一个第二不合格产品组；自该数据库中分别搜寻该第二合格产品组及该第二不合格产品组中与该具代表性的封装后测试项目相关的该线上品质检测项目及该样品测试项目其中的至少一个、及相对应的该线上品质检测参数值及该样品测试参数值其中的至少一个；以统计方式分析该第二不合格产品组的搜寻结果与该第二合格产品组的搜寻结果是否有差异；当搜寻结果的分析结果为无差异时，停止分析动作；当搜寻结果的分析结果为有差异时，依据一预设规格以统计方式分析该第二不合格产品组的不合规格部分与该第二合格产品组的不合规格部分是否为明显差异；当依据该预设规格的分析结果为有明显差异时，判断造成该具代表性的封装后测试参数值过高的原因为所搜寻到的与该具代表性的封装后测试项目相关的该线上品质检测项目及该样品测试项目其中的至少一个的测试结果偏移；当依据该预设规格的分析结果为无明显差异时，依据一缩小规格以统计方式分析...

【专利技术属性】
技术研发人员：戴鸿恩，陈建中，
申请(专利权)人：力晶半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]