【技术实现步骤摘要】
技术介绍
本专利技术一般性涉及电子设备的生产领域。特别地，本专利技术涉及生产包含低介电常数材料的集成电路设备。由于电子设备变得较小，电子工业一直需要设法增加电子元件中的电路密度例如集成电路、电路板、多片组件、芯片试验设备等，而且不降低电学性能例如，串扰或电容耦合，并且还增加信号在这些元件中传播的速度。达到这些目标的一个方法是减少用于元件的中间层、或金属间、或绝缘材料的介电常数。本领域已知的多种有机和无机多孔介电材料可用于电子设备的生产，特别是集成电路。合适的无机介电材料包括二氧化硅和有机聚二氧化硅。合适的有机介电材料包括热固性材料例如聚酰亚胺、聚亚芳基醚、聚亚芳基、聚氰脲酸酯、聚吲哚、苯并环丁烯、氟化材料例如聚(氟代烷)等。在有机聚二氧化硅介电材料中，由于具有低介电常数，烷基硅倍半氧烷例如甲基硅倍半氧烷的重要性增加。一种减少中间层或金属间、绝缘材料的介电常数的方法是加入具有非常微小、均匀分布的微孔或孔穴的绝缘膜。通常，制备该多孔介电材料首先在B-级介电材料中加入可移去的成孔材料，将包含可移去成孔材料的B-级介电材料置于基底上，固化B-级介电材料然后除去成孔材料形成多孔...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种设备，包括含第一可移去材料的第一介电层，和含第二可移去材料的第二介电层。2.权利要求1的设备，进一步包括置于第一介电层和第二介电层之间的蚀刻差异层。3.权利要求2的设备，其中蚀刻差异层包含第三可移去材料。4.权利要求1-3中任何一项的设备，其中第一可移去材料和第二可移去材料至少之一包含交联聚合颗粒。5.权利要求1-4中任何一项的设备，进一步包括在第二层上的第三层，其中第三层是无机的。6.权利要求5的设备，其中第三层具有足够孔隙率以使得通过第三层可除去第一可移去材料和第二可移去材料。7.一种生产电子设备的方法，包括步骤a)提供权利要求1-6任何一项的设备；和b)使电子设备经受至少部分除去第二可移去材料的条件。8....
【专利技术属性】
技术研发人员：达纳·A·格朗贝克，迈克尔·K·加拉格尔，杰弗里·M·卡尔弗特，蒂莫西·G·亚当斯，
申请(专利权)人：希普雷公司，
类型：发明
国别省市：
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