半导体装置制造方法及图纸

一种半导体装置，其特征在于，　　　　具有根据存储装置选择信息及地址信息输出从存储单元读出的数据的读出专用存储装置和转换装置，　　　　所述转换装置具有　　　　存储所述读出专用存储装置的缺陷存储单元的所述地址信息的地址存储电路；　　　　存储所述缺陷存储单元的置换数据的数据存储电路；以及　　　　输入所述读出专用存储装置的输出数据与所述数据存储电路的输出数据，根据所述地址存储电路存储的地址信息，输出任一方的转换电路。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体装置中装载的读出专用存储装置，特别是涉及在制造阶段写入信息的掩膜ROM(只读存储器)。
技术介绍
近年来，掩膜ROM中随着制造工艺的微细化与存储容量的大容量化，提高成品率成为重要的课题。以提高掩膜ROM的成品率为目的，提出把缺陷存储单元与预备存储单元置换的方法。以下用附图具体说明之。图13为示出现有的半导体装置例的结构电路图。图13的半导体装置由下列电路构成控制电路3，地址输入电路4，行解码器5，存储器单元阵列6，列解码器7，读出放大电路8，输出电路9，地址存储电路10，数据存储电路11，输入存储单元阵列6的数据与数据存储电路11的数据并根据地址存储电路10的输出信息选择输出其中任一方的转换电路20。图2示出地址存储电路10的一结构例。地址存储电路10存储存储单元阵列6中置换的存储单元(缺陷存储单元)的地址。图2中地址存储电路10输入地址信号AD1～ADn。地址信号AD1～and连接于晶体管TRP1～TRPn的栅极端子与倒相器201～20n的输入端。倒相器201～20n的输出连接于晶体管TRN1～TRNn的栅极端子。各晶体管TRP1～TRPn、TRN1～TR本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，具有根据存储装置选择信息及地址信息输出从存储单元读出的数据的读出专用存储装置和转换装置，所述转换装置具有存储所述读出专用存储装置的缺陷存储单元的所述地址信息的地址存储电路；存储所述缺陷存储单元的置换数据的数据存储电路；以及输入所述读出专用存储装置的输出数据与所述数据存储电路的输出数据，根据所述地址存储电路存储的地址信息，输出任一方的转换电路。2.一种半导体装置，其特征在于，具有共用输出数据线，并根据存储装置选择信息及地址信息输出从存储单元读出的数据的多个读出专用存储装置和转换装置，所述转换装置具有存储多个所述读出专用存储装置的至少任一个缺陷存储单元的所述存储装置选择信息及所述地址信息的地址存储电路；存储所述缺陷存储单元的置换数据的数据存储电路；以及输入通过所述输出数据线输出的所述读出专用存储装置的输出数据与所述数据存储电路的输出数据，根据所述地址存储电路存储的所述存储装置选择信息及所述地址信息输出任一方的转换电路。3.一种半导体装置，其特征在于，具有另一输出数据线并根据存储装置选择信息及地址信息输出从存储单元读出的数据的多个读出专用存储装置和转换装置，所述转换装置具有存储多个所述读出专用存储装置的至少任一个缺陷存储单元的所述存储装置选择信息及所述地址信息的地址存储电路；存储所述缺陷存储单元的置换数据的数据存储电路；以及输入通过所述输出数据线输出的所述读出专用存储装置的输出数据与所述数据存储电路的输出数据，根据所述地址存储电路存储...

【专利技术属性】
技术研发人员：仲矢修治，林光昭，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：