阳极化设备，阳极化系统，及基体处理设备和方法技术方案

本发明专利技术将降低阳极化反应产生的气体的影响。要处理的硅基体（１０１）被水平夹住。负电极（１２９）被布置在硅基体（１０１）的上方，并使正电极（１１４）与硅基体（１０１）的下表面接触。用ＨＦ溶液（１３２）充填负电极（１２９）和硅基体（１０１）之间的空间。负电极（１２９）具有许多排气孔（１３０），以防止阳极化反应产生的气体停留在负电极（１２９）的下方。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术专利申请是申请号00104669.1，申请日2000年3月24日，专利技术名称“”的分案申请。本专利技术涉及一种阳极化设备，阳极化系统，基体处理设备和方法，以及基体制造方法。多孔硅由A.Uhlir和D.R.Turner在研究氢氟酸中被施加正电位偏压的单晶硅的电解抛光时发现。稍后，为了利用多孔硅极好的反应性，检查了硅集成电路制造中，多孔硅对元素隔离工艺方法的作用，并开发了利用多孔氧化硅薄膜的全隔离技术(FIFOS借助多孔氧化硅的全隔离)(K.Imai，Solid StateElectron 24，159，1981)。最近，研究出一种直接结合应用技术，这种技术中，在多孔硅基体上生长一层硅晶体外延层，基体通过氧化膜和非晶态基体或单晶硅基体结合。(日本专利公开No.5-21338)。作为另一应用例子，作为独自发光的荧光或电荧光材料，多孔硅已受到极大的注意(日本专利公开No.6-338631)。下面将描述一种用于制造具有多孔硅层的基体的常规阳极化设备。图20表示了一种常规阳极化设备的构造(日本专利公开No.6094737)。在该阳极化设备中，由抗HF材料的Teflon(美国杜邦本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种对基体进行阳极化的阳极化设备，其特征在于包括：阳极化罐；负电极；正电极；　第一供给部分，使用所述阳极化罐，把电解液加入所述负电极和基体之间的空间，以便通过在所述负电极和所述正电极之间施加一个电压对所述基体 进行阳极化；和第二供给部分，使用所述阳极化罐向基体提供清洗液，以便冲洗阳极化后的基体。

【技术特征摘要】
JP 1999-3-25 082352/19991.一种对基体进行阳极化的阳极化设备，其特征在于包括阳极化罐；负电极；正电极；第一供给部分，使用所述阳极化罐，把电解液加入所述负电极和基体之间的空间，以便通过在所述负电极和所述正电极之间施加一个电压对所述基体进行阳极化；和第二供给部分，使用所述阳极化罐向基体提供清洗液，以便冲洗阳极化后的基体。2.按照权利要求1所述的设备，其特征在于还包括用于旋转所述阳极化罐中冲洗后的基体、以便干燥该基体的旋转驱动机构。3.一种基体处理设备，其特征在于包括处理罐；和对所述处理罐中的基体进行阳极化、冲洗和干燥中的至少两个连续步骤的处理装置。4.按照权利要求3所述的设备，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：松村聪，山方宪二，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]