阳极化处理设备制造技术

一种阳极化处理设备，包括，在用于阳极化处理的基片的周边部分，有与基片的背面接触的第一电极和与第一电极相对的第二电极，在它们之间插入基片；第一电极具有与第二电极大体相同的形式。该设备可用于以小力分离薄膜半导体层，所述薄膜半导体层几乎无裂、断或损，可高效率地制造高性能的产品。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种分离沉积在一多孔层上的半导体薄膜的方法，一种用于生产半导体部件的方法，一种用于生产形成在一低成本基片上的单晶体层薄膜的太阳能电池，和用在它们中的一种阳极化处理设备。
技术介绍
薄膜半导体层被形成在位于表面部分或半导体基片层上的多孔层上，这样半导体层在多孔层的部分被分离，这种技术已被人熟知。作为一种分离方法，使用的是采用蚀刻的化学方法或是产生超声波或力比如作用在其上的拉力这样的物理方法。关于物理方法，日本第7-302889号专利申请公布显示了多孔层形成在硅片的表面，这样一外延生长层形成在其上，另一硅片被粘接到此外延生长层(硅层)上，压力、剪切力或超声波被作用到多孔层上以产生分离。日本第8-213645号专利申请公布也显示了多孔层被形成在单晶体基片的表面，然后一个p-n结层被形成在其上，单晶硅基片在背面通过一粘结剂固定到一定位架，另一个定位架被粘接到外延生长层，两个定位架相互拉引以造成多孔层破裂，得到薄膜外延生长层(太阳能电池)。日本第10-190032号专利申请公布显示在硅层和粘到硅层上的弹性基片的收缩差异，被用来将前者从后者分离，采用液氮气化来冷却。但是，当通过在多孔层部分来分离得到薄膜外延生长层时，由于当形成在第一基片表面的多孔层被分离力断开时产生的影响，薄膜半导体层可能在被分离区的周围破裂或断开(例如在分离区)，在此它因而破裂或断开，不仅薄膜难以处理，而且破裂或断开发展到中心区域，包括太阳能电池设备的产量和特性可能降低。
技术实现思路
本专利技术的目的之一是提供一种用于生产半导体部件和太阳能电池的方法，该方法可用较小的力来分离薄膜半导体层，在其中引起较少的破裂、断开或缺陷，能以良好的效率生产高性能半导体部件。为达到上述目的，本专利技术提供一种用于生产使用薄膜晶体半导体的半导体部件的方法，该方法的步骤包括(1)阳极化处理第一基片的表面以在基片的至少一侧形成多孔层；(2)在多孔层的至少一个表面形成半导体层；(3)在周边区域除去半导体层；(4)将另一基片粘到半导体层的表面；(5)通过外力作用到第一基片、多孔层和第二基片中的至少一个，在多孔层部分将半导体层与第一基片分开；(6)分离后处理第一基片的表面，重复上述步骤(1)到(5)。本专利技术也提供一种用于生产采用了薄膜晶体半导体层的半导体部件的方法，该方法的步骤包括(1)阳极化处理第一基片的表面以在基片的至少一侧形成多孔层；(2)在多孔层的至少一个表面形成半导体层；(3)将另一基片粘到半导体层；(4)除去半导体层上未被第二基片覆盖的区域；(5)通过外力作用到第一基片、多孔层和第二基片中的至少一个，在多孔层部分将半导体层与第一基片分开；(6)分离后处理第一基片的表面，重复上述步骤(1)到(5)。本专利技术还提供一种用于生产采用了薄膜晶体半导体层的太阳能电池的方法，该方法的步骤包括(1)阳极化处理第一基片的表面，以在基片的至少一侧形成多孔层；(2)在多孔层的至少一个表面形成半导体层；(3)除去半导体层的周边区域； (4)将另一基片粘到半导体层的表面；(5)通过外力作用到第一基片、多孔层和第二基片中的至少一个，将半导体层在多孔层部分与第一基片分开；(6)分离后处理第一基片的表面，重复上述步骤(1)到(5)。本专利技术进一步提供一种用于生产采用了薄膜晶体半导体层的太阳能电池的方法，该方法的步骤包括(1)阳极化处理第一基片的表面，以在基片的至少一侧形成多孔层；(2)在多孔层的至少一个表面形成半导体层；(3)将另一基片粘到半导体层；(4)除去半导体层上未被第二基片覆盖的区域；(5)通过外力作用到第一基片、多孔层和第二基片中的至少一个，在多孔层部分将半导体层与第一基片分开；(6)分离后处理第一基片的表面，重复上述步骤(1)到(5)。本专利技术还进一步提供一种用于生产半导体部件的方法，通过分离形成在第一基片上的薄膜晶体半导体层，并将前者转移到另一基片来获得，这里薄膜晶体半导体层在第一基片的周边部分通过蚀刻和电解抛光被除去。本专利技术还进一步提供一种用于生产采用了薄膜晶体半导体层的半导体部件的方法，该方法包括步骤(1)阳极化处理第一基片的表面，以至少在基片的主要表面形成多孔层；(2)在多孔层的表面形成半导体层；(3)通过电解抛光除去半导体层在第一基片的周边部分；(4)将另一基片粘到半导体层；(5)将半导体层在多孔部分从第一基片分离，使半导体层转移到另一基片；(6)处理分离后第一基片的表面，重复上述步骤(1)到(5)。本专利技术还进一步提供一种用于生产太阳能电池的方法，通过分离形成在第一基片上的薄膜晶体半导体层，并将前者转移到另一基片来获得，这里薄膜晶体半导体层在第一基片的周边部分通过蚀刻和电解抛光被除去。本专利技术还进一步提供一种用于生产采用了薄膜晶体半导体层的太阳能电池的方法，该方法包括步骤(1)阳极化处理第一基片的表面，以至少在基片的主要表面形成多孔层； (2)在多孔层的表面形成半导体层；(3)通过电解抛光除去半导体层和多孔层在第一基片的周边部分；(4)在半导体层的除其在第一基片的周边的部分外的部分上形成一表面抗反射层；(5)将另一基片粘到半导体层；(6)在多孔层部分将半导体层从第一基片分离，使半导体层转移到另一基片；(7)分离后处理第一基片的表面，重复上述步骤(1)到(6)。本专利技术还进一步提供一种阳极化设备，用于在基片的周边部分进行阳极化处理，其构成为一个与基片的背面接触的第一电极，一个插在它们之间的基片与第一电极相对的另一电极，第一电极具有和第二电极大体相同的形状。本专利技术还进一步提供一种用于在基片的周边部分进行阳极化处理的阳极化设备，其构成为一个与基片的背面接触的第一电极，一个插在它们之间的基片与第一电极相对的第二电极，以及在不包括周边部分的剩下的基片区域内，一个与基片的背面接触的第三电极，一个插在它们之间的基片与第一电极相对的第四电极，第一电极和第三电极分别具有和第二电极、第四电极大体相同的形状。附图说明图1A、1B、1C、1D、1E、1F、1G和1H说明了一个按照本专利技术的实施例1的薄膜半导体的生产方法。图2A、2B、2C、2D、2E、2F、2G和2H说明了另一个按照本专利技术的实施例2的薄膜半导体的生产方法。图3A和3B是说明外延层在分离时是如何断裂或断开的。图4是说明在例3中使用的分离定位架的横截面示意图。图5是说明例3中所用的周边蚀刻设备的固定部分的示意图。图6是说明例4中形成的背面连接汇集太阳能电池的横截面示意图。图7是说明例4中形成的太阳能电池的周边除去部分的平面示意图。图8是说明例5中形成的太阳能电池的绝缘区和周边除去部分的平面示意图。图9是说明例6中采用的除去晶片边缘的多孔层的方法。图10A、10B、10C、10D、10E、10F、10G和10H是说明按照本专利技术的半导体部件的生产方法。图11A、11B、11C、11D、11E、11F、11G、11H和11I是说明按照本专利技术的太阳能电池的生产方法。图12A、12B、12C、12D、12E、12F、12G、12H和12I是说明按照本专利技术的另一个太阳能电池的生产方法。图13是说明本专利技术的一个阳极化处理设备的结构。图14是说明本专利技术的另一个阳极化处理设备的结构。图15是说明本专利技术的又一个阳极化处理设备的结构。图16是本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阳极化处理设备，包括，在用于阳极化处理的基片的周边部分，有与基片的背面接触的第一电极和与第一电极相对的第二电极，在它们之间插入基片；第一电极具有与第二电极大体相同的形式。

【技术特征摘要】
JP 1999-6-8 161110/1999;JP 1999-6-8 161111/19991.一种阳极化处理设备，包括，在用于阳极化处理的基片的周边部分，有与基片的背面接触的第一电极和与第一电极相对的第二电极，在它们之间插入基片；第一电极具有与第二电极大体相同的形式。2.按照权利要求1的阳极化处理设备，其中第一和第二电极，每一个具有带形环或带形多边形的形式。3.按照权利要求1的阳极化处理设备，其中第二电极由铂构成。4.一种阳极化处理设备，包括，在用...

【专利技术属性】
技术研发人员：岩崎由希子，西田彰志，坂口清文，浮世典孝，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]