阳极化处理设备制造技术

一种阳极化处理设备，包括，在用于阳极化处理的基片的周边部分，有与基片的背面接触的第一电极和与第一电极相对的第二电极，在它们之间插入基片；第一电极具有与第二电极大体相同的形式。该设备可用于以小力分离薄膜半导体层，所述薄膜半导体层几乎无裂、断或损，可高效率地制造高性能的产品。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种分离沉积在一多孔层上的半导体薄膜的方法，一种用于生产半导体部件的方法，一种用于生产形成在一低成本基片上的单晶体层薄膜的太阳能电池，和用在它们中的一种阳极化处理设备。
技术介绍
薄膜半导体层被形成在位于表面部分或半导体基片层上的多孔层上，这样半导体层在多孔层的部分被分离，这种技术已被人熟知。作为一种分离方法，使用的是采用蚀刻的化学方法或是产生超声波或力比如作用在其上的拉力这样的物理方法。关于物理方法，日本第7-302889号专利申请公布显示了多孔层形成在硅片的表面，这样一外延生长层形成在其上，另一硅片被粘接到此外延生长层(硅层)上，压力、剪切力或超声波被作用到多孔层上以产生分离。日本第8-213645号专利申请公布也显示了多孔层被形成在单晶体基片的表面，然后一个p-n结层被形成在其上，单晶硅基片在背面通过一粘结剂固定到一定位架，另一个定位架被粘接到外延生长层，两个定位架相互拉引以造成多孔层破裂，得到薄膜外延生长层(太阳能电池)。日本第10-190032号专利申请公布显示在硅层和粘到硅层上的弹性基片的收缩差异，被用来将前者从后者分离，采用液氮气化来冷却。但是，当通过本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阳极化处理设备，包括，在用于阳极化处理的基片的周边部分，有与基片的背面接触的第一电极和与第一电极相对的第二电极，在它们之间插入基片；第一电极具有与第二电极大体相同的形式。

【技术特征摘要】
JP 1999-6-8 161110/1999;JP 1999-6-8 161111/19991.一种阳极化处理设备，包括，在用于阳极化处理的基片的周边部分，有与基片的背面接触的第一电极和与第一电极相对的第二电极，在它们之间插入基片；第一电极具有与第二电极大体相同的形式。2.按照权利要求1的阳极化处理设备，其中第一和第二电极，每一个具有带形环或带形多边形的形式。3.按照权利要求1的阳极化处理设备，其中第二电极由铂构成。4.一种阳极化处理设备，包括，在用...

【专利技术属性】
技术研发人员：岩崎由希子，西田彰志，坂口清文，浮世典孝，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]