检测N型重掺硅单晶片或锭晶格缺陷的方法技术

一种关于检测掺杂浓度为≥１×１０↑［１５］ｃｍ↑［－３］的Ｎ型重掺（砷、锑、磷）或轻掺的硅单晶片或锭晶格缺陷的方法。该方法步骤是（１）去除表面的自然氧化层；（２）配制硝酸铜和氢氟酸腐蚀混合液及进行择优腐蚀；（３）用碱溶液除去沉积在表面的铜膜；（４）用肉眼或光学显微镜观察经腐蚀的硅单晶片或锭的表面，以检查硅单晶片或锭的晶格缺陷。该方法能清晰灵敏，可重复的显示出硅片的晶格缺陷，省时，提高工作效率，试剂用量少，应用极为经济与简便。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及检测制造半导体器件用的N型重掺硅单晶片或锭晶格缺陷的方法。
技术介绍
对于普通硅单晶片或锭，用传统的择优腐蚀方法显示它们的晶格缺陷非常简便有效，但是对N型重掺硅片来说，用传统的择优腐蚀方法就显示不出晶格缺陷或不能充分显示晶格缺陷，只能用X光貌相、透射电镜或者在生长完外延以后通过外延层的晶格缺陷来判断衬底的优劣。上述这些方法价格昂贵且费时。已有技术也有多种择优腐蚀方法的报道，采用的腐蚀液是由氢氟酸，硝酸，醋酸和水组成或者由氢氟酸，铬酸和水组成。例如ASTMF1809-1997(2001版)中推荐的不含铬的二种择优腐蚀液对N型重掺杂硅片的晶格缺陷的择优腐蚀效果为不可接受(Unacceptable)。另外含铬的二种择优腐蚀液对N型重掺杂硅片的晶格缺陷的择优腐蚀效果为可接受(Acceptable)，但效果不佳，且Cr对环境产生污染(美国材料试验学会标准推荐的择优腐蚀液的腐蚀效果分为四档优秀(Excellent)，良好(Good)，可接受(Acceptable)，不可接受(Unacceptable))。又如美国专利US5766976(1997年)及日本文献(Masaki Ma本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种检测Ｎ型重掺硅单晶片或锭晶格缺陷的方法，包括下列步骤：（１）去除硅单晶片或锭表面的自然氧化层采用２５－４９ｗｔ％氢氟酸，浸泡时间２－５分钟；（２）配制硝酸铜和氢氟酸腐蚀混合液及进行择优腐蚀腐蚀混合液是由０ ．００１－０．０５摩尔／升的硝酸铜水溶液与为硝酸铜水溶液１０－５０％体积的氢氟酸配制，腐蚀混合液中铜离子浓度为６４－３２００毫克／升，腐蚀温度为２５－３５℃，时间为２０－２５分钟；（３）、用碱溶液除去沉积在硅单晶片或锭表面的铜膜 采用碱液浓度１－２ｗｔ％，温度２５－３５℃，时间１－５分钟；（４）、用肉眼或...

【技术特征摘要】
1.一种检测N型重掺硅单晶片或锭晶格缺陷的方法，包括下列步骤(1)去除硅单晶片或锭表面的自然氧化层采用25-49wt％氢氟酸，浸泡时间2-5分钟；(2)配制硝酸铜和氢氟酸腐蚀混合液及进行择优腐蚀腐蚀混合液是由0.001-0.05摩尔/升的硝酸铜水溶液与为硝酸铜水溶液10-50％体积的氢氟酸配制，腐蚀混合液中铜离子浓度为64-3200毫克/升，腐蚀温度为25-35℃，时间为20-25分钟；(3)、用碱溶液除去沉积在硅单晶片或锭表面的铜膜采用碱液浓度1-2wt％，温度25...

【专利技术属性】
技术研发人员：邹子英，闵靖，郭瑾，吴晓虹，谢江华，宗龙章，叶祖超，
申请(专利权)人：上海市计量测试技术研究院，晶华电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]