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一种关于检测掺杂浓度为≥１×１０↑［１５］ｃｍ↑［－３］的Ｎ型重掺（砷、锑、磷）或轻掺的硅单晶片或锭晶格缺陷的方法。该方法步骤是（１）去除表面的自然氧化层；（２）配制硝酸铜和氢氟酸腐蚀混合液及进行择优腐蚀；（３）用碱溶液除去沉积在表面的铜膜...该专利属于上海市计量测试技术研究院;晶华电子材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海市计量测试技术研究院;晶华电子材料有限公司授权不得商用。