高灵敏度离子晶格电位分析仪，主要包括：样品离子化装置，离子电位转化装置，电势传导装置，正离子电位分析装置，负离子电位分析装置，电位校正装置，电位转化装置，信号放大装置，信号稳定传导装置，信号显示记录装置；其中离子电位转化装置含有电位转化膜，该电位转化膜材料为三乙胺五苄基六钯碳四溴锝的纳米复合薄膜材料，正离子电位分析装置含有正离子电位电极，该电位电极材料为六苯腈二羰基三哌啶五氯锔的纳米复合电极材料，负离子电位分析装置含有负离子电位电极，该电位电极材料为三吡啶六吲哚五乙酮三磷铈的纳米复合电位电极材料。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】高灵敏度离子晶格电位分析仪，主要包括：样品离子化装置，离子电位转化装置，电势传导装置，正离子电位分析装置，负离子电位分析装置，电位校正装置，电位转化装置，信号放大装置，信号稳定传导装置，信号显示记录装置；其中离子电位转化装置含有电位转化膜，该电位转化膜材料为三乙胺五苄基六钯碳四溴锝的纳米复合薄膜材料，正离子电位分析装置含有正离子电位电极，该电位电极材料为六苯腈二羰基三哌啶五氯锔的纳米复合电极材料，负离子电位分析装置含有负离子电位电极，该电位电极材料为三吡啶六吲哚五乙酮三磷铈的纳米复合电位电极材料。【专利说明】高灵敏度离子晶格电位分析仪
本专利技术涉及电位分析领域，尤其涉及高灵敏度离子晶格电位分析仪。
技术介绍
离子电位分析技术，主要是通过实际离子晶体中形成原子的热运动形成，原子的排列不可能那样完整和规则，存在偏离了理想晶体结构的区域，与完整周期性点阵结构的偏离，破坏了晶体的对称性，缺陷对晶体的物理性质具有极其重要的影响，为面缺陷、线缺陷和点缺陷三种。其中晶粒间界、堆垛层错和孪晶间界属面缺陷，晶粒间界多晶体中晶粒之间的交界面。堆垛层错晶体中原子面的堆垛顺序出现反造成的缺陷，影响层错面附近晶体结构，不影响其他区域的原子层堆垛顺序，孪晶晶体中相毗邻两部分互为镜像，线缺陷主位错的存在对晶体的力学性质机翼各种物理性质有影响。但是由于离子晶格中的某些原子由于某种原因(如热振动的偶然偏差)脱离其晶格结点而转移到晶格间隙时会造成点缺陷，使得离子电位分析技术的精确程度受到影响，因此，有必要改进现有的离子电位分析技术，提高其分析精确度。
技术实现思路
为了克服现有装置的不足之处，本专利技术采用的技术方案如下:高灵敏度离子晶格电位分析仪，其特征在于，主要包括:I—样品离子化装置，2—离子电位转化装置，3—电势传导装置，4—正离子电位分析装置，5—负离子电位分析装置，6—电位校正装置，7—电位转化装置，8—信号放大装置，9一信号稳定传导装置，10-信号显示记录装置；其中，离子电位转化装置(2)含有电位转化膜，该电位转化膜材料为三乙胺五苄基六钯碳四溴锝的纳米复合薄膜材料，正离子电位分析装置(4)含有正离子电位电极，该电位电极材料为六苯腈二羰基三哌唳五氯锔的纳米复合电极材料，负离子电位分析装置(5)含有负离子电位电极，该电位电极材料为三吡啶六吲哚五乙酮三磷铈的纳米复合电位电极材料。样品离子化装置(I)主要用于样品的晶格破碎以及溶液离子转化，实现样品离子的溶液传导与正负离子形成，离子电位转化装置(2)主要用于样品离子的电势差位生成以及离子电位转化，电势传导装置(3)主要用于提供电位传导溶液介质以及离子电势的稳定形成，正离子电位分析装置(4)主要用于正离子电位分析以及正离子电势的标准溶液体系校正，消除正离子电势基线漂移以及电荷传递导致的空穴电位干扰，负离子电位分析装置(5)主要用于负离子电位分析以及负离子电势的标准溶液体系校正，消除负离子电势基线漂移以及离子扩散引起的电位干扰，电位校正装置(6)主要用于离子电位形成体系的稳定校正，控制离子电荷传递速率以及晶格空穴形成规模，防止离子电势不稳定波动；电位转化装置(7)主要用于离子电位的转化，有利于提高离子电层结构的稳定建立；信号放大装置(8)主要用于离子电位信号传导放大以及高质量输送，信号稳定传导装置(9)主要用于离子信号的电位稳定变换以及离子膜电位稳定，信号显示记录装置(10)主要用于离子电位信号显示以及分析结果记录。本专利技术与现有技术相比具有的有益效果是:(I)通过正离子电位分析装置实现正离子电位分析以及正离子电势的标准溶液体系校正，消除正离子电势基线漂移以及电荷传递导致的空穴电位干扰；(2)采用负离子电位分析装置用于负离子电位分析以及负离子电势的标准溶液体系校正，消除负离子电势基线漂移以及离子扩散引起的电位干扰；(3)结合电位校正装置进行离子电位形成体系的稳定校正，控制离子电荷传递速率以及晶格空穴形成规模，防止离子电势不稳定波动。【专利附图】【附图说明】图1是高灵敏度离子晶格电位分析仪的示意图如图1所示，本专利技术所述的高灵敏度离子晶格电位分析仪，主要包括:I—样品离子化装置，2—离子电位转化装置，3—电势传导装置，4—正离子电位分析装置，5—负离子电位分析装置，6—电位校正装置，7-电位转化装置，8—信号放大装置，9一信号稳定传导装置，10—信号显示记录装置；下面结合附图对本专利技术的【具体实施方式】作进一步详细的描述。【具体实施方式】首先，通过样品离子化装置(I)进行样品的晶格破碎以及溶液离子转化，实现样品离子的溶液传导与正负离子形成，结合离子电位转化装置(2)用于样品离子的电势差位生成以及离子电位转化，借助于电势传导装置(3)提供电位传导溶液介质以及离子电势的稳定形成，采用正离子电位分析装置(4)用于正离子电位分析以及正离子电势的标准溶液体系校正，消除正离子电势基线漂移以及电荷传递导致的空穴电位干扰，通过负离子电位分析装置(5)进行负离子电位分析以及负离子电势的标准溶液体系校正，消除负离子电势基线漂移以及离子扩散引起的电位干扰，结合电位校正装置(6)实现离子电位形成体系的稳定校正，控制离子电荷传递速率以及晶格空穴形成规模，防止离子电势不稳定波动；采用电位转化装置(7)进行离子电位的转化，有利于提高离子电层结构的稳定建立；借助于信号放大装置(8)用于离子电位信号传导放大以及高质量输送，通过信号稳定传导装置(9)进行离子信号的电位稳定变换以及离子膜电位稳定，最后，采用信号显示记录装置(10)实现离子电位信号显示以及分析结果记录。【权利要求】1.高灵敏度离子晶格电位分析仪，其特征在于，主要包括: I—样品离子化装置，2—离子电位转化装置，3—电势传导装置，4—正离子电位分析装置，5—负离子电位分析装置，6—电位校正装置，7-电位转化装置，8—信号放大装置，9一信号稳定传导装置，10-信号显示记录装置； 其中， 离子电位转化装置(2)含有电位转化膜，该电位转化膜材料为三乙胺五苄基六钯碳四溴锝的纳米复合薄膜材料， 正离子电位分析装置(4)含有正离子电位电极，该电位电极材料为六苯腈二羰基三哌唳五氯锔的纳米复合电极材料， 负离子电位分析装置(5)含有负离子电位电极，该电位电极材料为三吡啶六吲哚五乙酮三磷铈的纳米复 合电位电极材料。【文档编号】G01N27/60GK104020215SQ201410250118【公开日】2014年9月3日 申请日期:2014年6月8日 优先权日:2014年6月8日 【专利技术者】储冬红, 彭飞, 郭睦庚, 其他专利技术人请求不公开姓名 申请人:成都中远千叶科技有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
高灵敏度离子晶格电位分析仪，其特征在于，主要包括：1‑‑样品离子化装置，2‑‑离子电位转化装置，3‑‑电势传导装置， 4‑‑正离子电位分析装置，5‑‑负离子电位分析装置，6‑‑电位校正装置， 7‑‑电位转化装置，8‑‑信号放大装置，9‑‑信号稳定传导装置， 10‑‑信号显示记录装置；其中，离子电位转化装置（2）含有电位转化膜，该电位转化膜材料为三乙胺五苄基六钯碳四溴锝的纳米复合薄膜材料，正离子电位分析装置（4）含有正离子电位电极，该电位电极材料为六苯腈二羰基三哌啶五氯锔的纳米复合电极材料，负离子电位分析装置（5）含有负离子电位电极，该电位电极材料为三吡啶六吲哚五乙酮三磷铈的纳米复合电位电极材料。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：储冬红，彭飞，郭睦庚，其他发明人请求不公开姓名，
申请(专利权)人：成都中远千叶科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51
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