【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光电装置领域，尤其涉及高功率光电倍增装置。
技术介绍
光电技术是建立在外光电效应、二次电子发射和电子光学理论基础上，结合了高增益、低噪声、高频率响应和大信号接收区等特征，因此是具有极高灵敏度和超快时间响应的光敏器件，可以工作在紫外、可见和近红外区的光谱区，但是对日盲紫外区以外的可见光、近紫外等光谱辐射不灵敏，如果采用二次发射倍增系统，在探测紫外、可见和近红外区的辐射能量的光电探测器中，灵敏度将会降低，噪声会升高，因此有必要提高光电倍增装置的转换效率。
技术实现思路
为了克服现有装置的不足之处，本专利技术采用的技术方案如下：高功率光电倍增装置，其特征在于，主要包括：入射光源(1)，光阴极(2)，一次电子发射极(3)，二次电子发射极(4)，三次电子发射极(5)，四次电子发射极(6)，光电流输出装置(7)，接地保护装置(8)，电流一次衰减装置(9)，电流二次衰减装置(10)，电流三次衰减装置(11)，电流四次衰减装置(12)，其中，一次电子发射极(3)采用锑化铯镍合金电极材料，二次电子发射极(4)采用氧化镧合金电极材料，三次电子发射极(5)和四次电子发射极(6)采用氧化钴铜铍合金电极材料,光电流输出装置(7)含有厚度为2.98um的光束滤光膜，该滤光膜材料为十六偏铬酸碘铕纳米复合滤光膜。通过电子发射极将光阴极(2)由外光电效应产生的电子聚焦，放大后的电流通过光电流输出装置(7)输出，通过接地保...
【技术保护点】
高功率光电倍增装置 ，其特征在于，主要包括：入射光源（1），光阴极（2），一次电子发射极（3），二次电子发射极（4），三次电子发射极（5），四次电子发射极（6），光电流输出装置（7），接地保护装置（8），电流一次衰减装置（9），电流二次衰减装置（10），电流三次衰减装置（11），电流四次衰减装置（12），其中，一次电子发射极（3）采用锑化铯镍合金电极材料，二次电子发射极（4）采用氧化ð¨¨镧合金电极材料，三次电子发射极（5）和四次电子发射极（6）采用氧化钴铜铍合金电极料,光电流输出装置（7）含有厚度为2.98um的光束滤光膜，该滤光膜材料为十六偏铬酸碘铕纳米复合滤
【技术特征摘要】
1.高功率光电倍增装置 ，其特征在于，主要包括：
入射光源（1），光阴极（2），一次电子发射极（3），二次电子发射极（4），三次电子发射极（5），四次电子发射极（6），光电流输出装置（7），接地保护装置（8），电流一次衰减装置（9），电流二次衰减装置（10），电流三次衰减装置（11），电流四次衰减装置（12）...
【专利技术属性】
技术研发人员：储冬红，郭楚媛，郭睦庚，严方园，彭飞，其他发明人请求不公开姓名，
申请(专利权)人：成都中远千叶科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51
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