一种NORMCP存储芯片制造技术

本实用新型专利技术提供了一种NOR MCP存储芯片，包括PCB基板，封装在所述PCB基板正面的SPI NOR FLASH和SPI PSRAM，以及设置在所述PCB基板背面的16个焊盘；所述SPI NOR FLASH和所述SPI PSRAM各设置有8个管脚，所述SPI NOR FLASH的8个管脚分别与其中8个所述焊盘电连接，所述SPI PSRAM的8个管脚分别与另外8个所述焊盘电连接；该NOR MCP存储芯片的SPI NOR Flash和SPI PSRAM之间的独立性好,可灵活搭配不同容量、不同电压的SPI NOR Flash和SPI PSRAM组合。PSRAM组合。PSRAM组合。

【技术实现步骤摘要】
一种NOR MCP存储芯片


[0001]本技术涉及芯片封装
，特别涉及一种NOR MCP存储芯片。

技术介绍

[0002]为了适应设备小型化的需要，现有的一些存储芯片采用NOR + PSRAM的MCP（Multi
‑
Chip Package）结构形式，用NOR Flash（非易失闪存）存储代码和数据，PSRAM（伪静态随机存储器）存储MCU和DSP运算的缓存数据。MCP的优点在于能将2至3种不同特性的芯片封装在一块，可因此减少占据的空间，还有利于缩小整机面积，且可降低了封装成本。
[0003]传统的NOR MCP存储芯片中，一般采用SPI NOR Flash（串行非易失闪存）和并口的PSRAM封装在一个PCB基板上，而且SPI NOR Flash和并口的 PSRAM采用管脚复用设计，对其中之一进行操作时会影响另一个芯片，独立性较差，且无法支持不同电压规格的NOR Flash和PSRAM组合使用，难以满足不同客户的需求。

技术实现思路

[0004]鉴于上述现有技术的不足之处，本申请实施例的目的在于提供一种NOR MCP存储芯片，其SPI NOR Flash和SPI PSRAM之间的独立性好。
[0005]本申请实施例提供的一种NOR MCP存储芯片，包括PCB基板，封装在所述PCB基板正面的SPI NOR FLASH 和SPI PSRAM，以及设置在所述PCB基板背面的16个焊盘；所述SPI NOR FLASH 和所述SPI PSRAM各设置有8个管脚，所述SPI NOR FLASH的8个管脚分别与其中8个所述焊盘电连接，所述SPI PSRAM的8个管脚分别与另外8个所述焊盘电连接。
[0006]本申请实施例的NOR MCP存储芯片，在PCB基板背面设置数量与SPI NOR FLASH 和SPI PSRAM的管脚总数相同的焊盘，SPI NOR FLASH 和SPI PSRAM的各管脚分别与各焊盘连接，从而SPI NOR FLASH 和SPI PSRAM之间不复用管脚，SPI NOR FLASH 和SPI PSRAM之间的独立性好，从而允许把不同容量、不同电压规格的SPI NOR Flash和SPI PSRAM合封以满足不同客户需求。
[0007]优选地,所述SPI NOR FLASH 和所述SPI PSRAM并列封装。
[0008]优选地,所述焊盘依次通过印刷在所述PCB基板背面的第一走线、开设在所述PCB基板上的过孔、印刷在所述PCB基板正面的第二走线和连接线与所述SPI NOR FLASH 或所述SPI PSRAM的管脚连接。
[0009]优选地,所述NOR MCP存储芯片为LGA封装结构。
[0010]优选地,所述PCB基板为矩形，所述PCB基板的四侧边沿各设置有4个所述焊盘，每个边沿的4个所述焊盘等间隔排布，上、下两个边沿的焊盘对称设置，左、右两个边沿的焊盘对称设置。
[0011]优选地,左侧的4个焊盘分别与SPI NOR FLASH的NOR _CS#管脚、NOR _SO管脚、NOR _WP#管脚、NOR _VSS管脚连接；右侧的4个焊盘分别与SPI NOR FLASH的NOR _VCC管脚、NOR _HOLD#管脚、NOR _SCLK管脚、NOR _SI管脚连接；上侧的4个焊盘分别与SPI PSRAM的RAM_
CS#管脚、RAM_IO1管脚、RAM_IO2管脚、RAM_VSS管脚连接；下侧的4个焊盘分别与SPI PSRAM的RAM_VCC管脚、RAM_IO3管脚、RAM_SCLK管脚、RAM_IO0管脚连接。
[0012]优选地,所述PCB基板的正面包覆有塑封胶。
[0013]优选地,所述NOR MCP存储芯片的长度为6mm、宽度为5mm、厚度为0.75mm。
[0014]优选地,同一边沿上的4个焊盘的间隔为1.27mm。
[0015]有益效果：
[0016]本技术提供的一种NOR MCP存储芯片，在PCB基板背面设置数量与SPI NOR FLASH 和SPI PSRAM的管脚总数相同的焊盘，SPI NOR FLASH 和SPI PSRAM的各管脚分别与各焊盘连接，从而SPI NOR FLASH 和SPI PSRAM之间不复用管脚，SPI NOR FLASH 和SPI PSRAM之间的独立性好，从而允许把不同容量、不同电压规格的SPI NOR Flash和SPI PSRAM合封以满足不同客户需求。
附图说明
[0017]图1为本技术实施例提供的NOR MCP存储芯片的正视图。
[0018]图2为本技术实施例提供的NOR MCP存储芯片的后视图。
[0019]图3为本技术实施例提供的NOR MCP存储芯片中，焊盘的分布示意图。
[0020]图4为本技术实施例提供的NOR MCP存储芯片的侧视图。
[0021]标号说明：1、PCB基板；101、第一走线；102、过孔；103、第二走线；104、连接线；2、SPI NOR FLASH；3、SPI PSRAM；4、焊盘；5、塑封胶。
具体实施方式
[0022]下面详细描述本技术的实施方式，所述实施方式的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施方式是示例性的，仅用于解释本技术，而不能理解为对本技术的限制。
[0023]在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
[0024]下文的公开提供的实施方式或例子用来实现本技术的不同结构。为了简化本技术的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本技术。此外，本技术可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本技术提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术
人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
[0025]请参阅图1
‑
3，本技术提供的一种NOR MCP存储芯片本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种NOR MCP存储芯片，其特征在于，包括PCB基板（1），封装在所述PCB基板（1）正面的SPI NOR FLASH（2） 和SPI PSRAM（3），以及设置在所述PCB基板（1）背面的16个焊盘（4）；所述SPI NOR FLASH（2） 和所述SPI PSRAM（3）各设置有8个管脚，所述SPI NOR FLASH（2）的8个管脚分别与其中8个所述焊盘（4）电连接，所述SPI PSRAM（3）的8个管脚分别与另外8个所述焊盘（4）电连接。2.根据权利要求1所述的NOR MCP存储芯片，其特征在于,所述SPI NOR FLASH（2） 和所述SPI PSRAM（3）并列封装。3.根据权利要求1所述的NOR MCP存储芯片，其特征在于,所述焊盘（4）依次通过印刷在所述PCB基板（1）背面的第一走线（101）、开设在所述PCB基板（1）上的过孔（102）、印刷在所述PCB基板（1）正面的第二走线（103）和连接线（104）与所述SPI NOR FLASH（2） 或所述SPI PSRAM（3）的管脚连接。4.根据权利要求1所述的NOR MCP存储芯片，其特征在于,所述NOR MCP存储芯片为LGA封装结构。5.根据权利要求1所述的NOR MCP存储芯片，其特征在于,所述PCB基板（1）为矩形，所述PCB基板（1）的四侧边沿各...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭颖颖，艾康林，王骏卿，
申请(专利权)人：芯天下技术股份有限公司，
类型：新型
国别省市：