【技术实现步骤摘要】
技术介绍
1.专利
本专利技术涉及一种具有包括薄膜晶体管(以后就称为TFT)构成的电子线路的。例如,本专利技术涉及一种以液晶显示板为代表的电光器件和其上安装有这种电光器件作部件的电子设备。注意,半导体器件,如象在通篇本说明中所使用的那样,是表示利用半导体特性起作用的一般器件;而电光器件、半导体线路、及电子设备都是半导体器件。2.相关技术利用在一具有绝缘表面的基片上形成一半导体薄膜(具有大约几个到几百纳米的厚度)的方法来构造薄膜晶体管的技术,近些年来已成为关注的亮点。薄膜晶体管被广泛应用于如象IC或电光器件之类的电子器件,特别是,作为液晶显示器件的开关元件TFT的开发正迅速进行中。为了在液晶显示器件中获得高品质的图像,一种有源阵列液晶显示器件正引起极大的注意,该器件使用TFT作开关元件来与按阵列安置的相应的像素电极连接为了在该有源阵列液晶显示器件中实现高品质显示,必须在与TFT相连的每一像素电极中将图像信号的电位保持到下一次写入为止。一般来说,在每一像素中都提供有一存储电容(Cs)来保持该图像信号的电位。对于上述存储电容(Cs)的构造和形成方法已提出了各种各样的方 ...
【技术保护点】
一种制造半导体器件的方法, 包括下述步骤: 在基片上形成岛形半导体膜;在该岛形半导体膜上形成第一绝缘膜; 形成岛形栅电极和电容线; 形成覆盖上述栅电极和电容线的第二绝缘膜; 通过对上述第二绝缘膜进行选择性蚀刻,形成第一接触孔以到达栅电极; 在第二绝缘膜上形成与该栅电极相连的扫描线; 在该扫描线上形成第三绝缘膜; 通过对上述第三绝缘膜进行选择性蚀刻,形成第二接触孔以到达半导体膜; 形成与该半导体膜电连接的信号线。
【技术特征摘要】
JP 1999-9-27 272583/991.一种制造半导体器件的方法,包括下述步骤在基片上形成岛形半导体膜;在该岛形半导体膜上形成第一绝缘膜;形成岛形栅电极和电容线;形成覆盖上述栅电极和电容线的第二绝缘膜;通过对上述第二绝缘膜进行选择性蚀刻,形成第一接触孔以到达栅电极;在第二绝缘膜上形成与该栅电极相连的扫描线;在该扫描线上形成第三绝缘膜;通过对上述第三绝缘膜进行选择性蚀刻,形成第二接触孔以到达半导体膜;形成与该半导体膜电连接的信号线。2.按照权利要求1所述的方法,其中在半导体膜上形成第一绝缘膜后,与扫描线重叠的第二绝缘膜被局部减薄。3.按照权利要求1所述的方法,其中所述的第一绝缘膜是栅绝缘膜。4.一种制造半导体器件的方法,包括形成至少一个半导体岛;在半导体岛上形成第一绝缘膜;在第一绝缘膜上形成第一导电膜;将第一导电膜构图为栅电极,其中所述栅电极成形为岛形;将杂质引入半导体岛的选中区域中,以在其中形成至少一个源和漏区,其中沟道区形成在源和漏区之间;在栅电极之上形成第二绝缘膜;在第二绝缘膜中形成第一接触孔以到达栅电极;在第二绝缘膜上形成第二导电膜;以及构图第二导电膜以形成扫描线,其中扫描线通过第一接触孔电连接至栅电极;在扫描线上形成第三绝缘膜;在第三绝缘膜上形成第三绝缘膜;以及构图第三绝缘膜以形成信号线,其中信号线电连接至半导体岛,其中信号线通过插入其间的至少所述第三绝缘膜而与扫描线隔离。5.根据权利要求4的方法,其中所述第一导电膜包括选自包含掺杂的多晶硅、WSix(x=2.0~2.8)、Al、Ta、W、Cr和Mo的材料。6.根据权利要求4的方法,其中所述第二导电膜包括选自包含硅化钨、W、Cr和Al的材料。7.一种制造半导体器件的方法,包括形成至少一个半导体岛;在半导体岛上形成第一绝缘膜;在第一绝缘膜上形成第一导电膜;将第一导电膜构图为栅电极和电容线,其中所述栅电极成形为岛状;在栅电极和电容线之上形成第二绝缘膜;在第二绝缘膜中形成第一接触孔以到达栅电极;在第二绝缘膜上形成第二导电膜;以及构图第二导电膜以形成扫描线,其中扫描线通过第一接触孔电连接至栅电极;在扫描线上形成第三...
【专利技术属性】
技术研发人员:柴田宽,矶部敦生,
申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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