叠层型光电元件制造技术

在包括在支撑体１０２上顺序叠层了金属层１０３，下部透明导电层１０４，由非单晶硅构成的第１ｎ层１０５，由微晶硅构成的第１ｉ层１０６，由非单晶硅构成的第１ｐ层１０８，由非单晶硅构成的第２ｎ层１０９，由微晶硅构成的第２ｉ层１１０，由非单晶硅构成的第２ｐ层１１２的构造的叠层型光电元件中，使得在第１ｉ层１０６和第２ｉ层１１０中含有磷（Ｐ），当第１ｉ层１０６中磷对硅的含量比为Ｒ１，第２ｉ层１１０中磷对硅的含量比为Ｒ２时，调整为Ｒ２＜Ｒ１，由此能够以高成品率制造具有高变换效率的光电元件。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光电元件，特别涉及太阳能电池。特别是，本专利技术涉及在具有2个以上使用微晶硅(μc-Si:H)薄膜的i层构成pin结的叠层型太阳能电池中，对其变换效率以及制造成品率的改进。进而，本专利技术涉及在使用微晶硅薄膜的i层构成的叠层型太阳能电池中，各构成单元的电流平衡调整方法。
技术介绍
近年来，作为光电元件之一的使用硅基非单晶(以及非多晶)半导体的薄膜太阳能电池，与使用了单晶或多晶半导体的太阳能电池相比较，由于能够在玻璃或者金属板等比较廉价的基板上大面积地形成，以及膜厚可以减薄，因此具有低成本化以及能够大面积化的优点，从普及太阳能发电的观点出发正在引起注目。然而，由于与结晶硅太阳能电池相比较，薄膜太阳能电池的变换效率低，存在光劣化，因此至今为止并没有被大规模地使用。从而，正在进行改善薄膜太阳能电池性能的尝试。作为其一种方法，正在盛行研究将长波长的吸收系数比非晶硅大的材料用于太阳能电池的i层。例如，μc-Si:H几乎没有a-SiGe:H那样的非晶硅基薄膜特有的光劣化，而且还不需要使用锗气(GeH4)那样昂贵的原料气体。进而，虽然μc-Si:H薄膜不具有a-SiGe:H薄膜那本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种叠层型光电元件，包括在支撑体上顺序叠层了金属层、下部透明导电层、由非单晶硅构成的第１ｎ层、由微晶硅构成的第１ｉ层、由非单晶硅构成的第１ｐ层、由非单晶硅构成的第２ｎ层、由微晶硅构成的第２ｉ层和由非单晶硅构成的第２ｐ层的构造，其特征在于：　　第１ｉ层和第２ｉ层含有磷，当第１ｉ层中磷对硅的含量比为Ｒ１，第２ｉ层中磷对硅的含量比为Ｒ２时，满足Ｒ２＜Ｒ１。

【技术特征摘要】
JP 2003-3-26 085879/20031.一种叠层型光电元件，包括在支撑体上顺序叠层了金属层、下部透明导电层、由非单晶硅构成的第1n层、由微晶硅构成的第1i层、由非单晶硅构成的第1p层、由非单晶硅构成的第2n层、由微晶硅构成的第2i层和由非单晶硅构成的第2p层的构造，其特征在于第1i层和第2i层含有磷，当第1i层中磷对硅的含量比为R1，第2i层中磷对硅的含量比为R2时，满足R2＜R1。2.根据权利要求1所述的叠层型光电元件，其特征在于与上述第2p层相接顺序地叠层了由非单晶硅构成的第3n层、由非晶硅构成的第3i层、由非单晶硅构成的第3p层和...

【专利技术属性】
技术研发人员：狩谷俊光，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]