强电介质膜、电容器及它们的制造方法及强电介质存储器技术

本发明专利技术提供一种具有良好特性的强电介质膜的制造方法和利用该制造方法来获得的强电介质膜。本发明专利技术的强电介质膜的制造方法是将含有复合氧化物的原材料体进行结晶化的工序包括在内的强电介质膜的制造方法；包括：（ａ）在所定压力和温度的第一状态中，进行热处理；（ｂ）在所述（ａ）工序之后，维持在低于或等于第一状态的压力和温度的第二状态的工序；并重复进行所述（ａ）和（ｂ）的方法进行结晶化。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及强电介质膜、强电介质膜的制造方法、强电介质电容器及强电介质电容器的制造方法，以及强电介质存储器。
技术介绍
现在，作为适用在半导体装置譬如强电介质存储器(FeRAM)的强电介质膜，提出了具有钙钛矿结构的强电介质膜(例如，PbZrTiO系)或具有层状钙钛矿结构的强电介质膜(例如，BiLaTiO系、BiTiO系SrBiTaO系)。含有在这些强电介质膜材料的Pb或Bi具有蒸汽压高、在低温中容易挥发的性质。并且，在强电介质膜的结晶化过程中，因为进行高温下的热处理，Pb或Bi等和强电介质结晶化所必要的气氛中的氧气结合而飞散，对结晶化的强电介质膜的特性给予不好的影响。另一方面，随着近几年的半导体装置的微细化和高度集成化，希望强电介质膜的薄膜化。可是，在现有的制造工序中，很难形成薄膜且具有良好特性的强电介质膜。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种具有良好特性的强电介质膜的制造方法和利用该制造方法获得的强电介质膜。本专利技术的另一个目的在于提供一种强电介质电容器的制造方法和利用该制造方法获得的强电介质电容器。本专利技术的另一个目的在于提供一种适用本专利技术的强电介质膜或强电介质本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种强电介质膜的制造方法，是将含有复合氧化物的原材料体进行结晶化的工序包括在内的强电介质膜的制造方法，其特征在于包括：（ａ）在所定压力和温度的第一状态中，进行热处理；（ｂ）在所述（ａ）工序之后，维持在低于或等于第一状态的压力和温度的第二状态的工序；并通过重复进行所述（ａ）和（ｂ）的方法来进行结晶化。

【技术特征摘要】
JP 2003-3-26 2003-0857841.一种强电介质膜的制造方法，是将含有复合氧化物的原材料体进行结晶化的工序包括在内的强电介质膜的制造方法，其特征在于包括(a)在所定压力和温度的第一状态中，进行热处理；(b)在所述(a)工序之后，维持在低于或等于第一状态的压力和温度的第二状态的工序；并通过重复进行所述(a)和(b)的方法来进行结晶化。2.根据权利要求1所述的强电介质膜的制造方法，其特征在于所述(a)是加压成大于或等于2大气压、且体积比小于或等于10％的含氧气氛。3.根据权利要求1所述的强电介质膜的制造方法，其特征在于所述(a)是在加压成大于或等于2大气压的状态下，利用快速热退火法来进行热处理。4.根据权利要求3所述的强电介质膜的制造方法，其特征在于所述(a)是在体积比小于或等于10％的含氧气氛中进行。5.根据权利要求1或2所述的强电介质膜的制造方法，其特征在于在所述(a)中，至少包括在升温之前，加压成大于或等于2大气压的工序。6.一种强电介质膜，其特征在于根据权利要求1或2的任意1项所述的强电介质膜的制造方法来形成的。7.一种强电介质存储器，其特征在于具有权利要求5所述的强电介质膜。8.一种强电介质电容器的制造方法，包括在基体上形成下部电极的工序；在所述下部电极上，通过含有复合氧化物的原材料体的结晶化而形成强电介质膜的工序；在所述强电介质膜上形成上部电极的工序；其特征在于所述结晶化包括(a)在所定压力和所定温度的第一状...

【专利技术属性】
技术研发人员：大桥幸司，木岛健，柄沢润一，滨田泰彰，名取荣治，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]