【技术实现步骤摘要】
本专利技术关于一种堆叠栅极闪存阵列的设计及制造方法，且特别是关于一种可避免由不稳定位产生漏电流的影响的堆叠栅极闪存阵列的设计及制造的方法。
技术介绍
现有的半导体存储器的种类，基本上可粗分为非易失性存储器，以及易失性随机存取存储器(RAM)两种。其中非易失性存储器是指在电源中断后仍可保存原有储存的数据，依其功能不同可分为只读存储器(ROM)、可编程只读存储器(PROM)、可擦除可编程只读存储器(EPROM)、可电擦除可编程只读存储器(EEPROM)、屏蔽式只读存储器(Mask ROM)以及闪存(Flash memory)等。而易失性存储器则是指所储存的数据会随电源的中断而消失，如静态随机存取存储器(SRAM)，以及动态随机存取存储器DRAM)。现有的只读存储器只能读不能写，在关闭电源后，存储器中的数据不会消失，可永久保存。对于可擦除可编程只读存储器，其中原有的数据或程序可利用紫外线照射来加以消除，使用者可以重复使用该存储器。对于可电擦除可编程只读存储器，其特性是需用一个电压来擦除数据，再加以程序化，其数据储存方式与可擦除可编程的只读存储器相似。对于屏蔽式只读存...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种堆叠栅极闪存阵列，其包括多个晶体管，这些晶体管以多行与多列的方式排列，其中，在所述每一列中的这些晶体管，每两个相邻的晶体管为一个晶体管对，其中在该晶体管对中的两个晶体管的一个源/漏极相互耦接，而该晶体管对中的一个晶体管的另一个源/漏极耦接至一第一位线，另外一个晶体管的另一个源/漏极耦接至一第二位线；以及多个行独立晶体管，其中每一行独立晶体管对应于由在同一所述列中的晶体管对中的一个，其中每一行独立晶体管的一个漏/源极耦接到对应于该行独立晶体管的该晶体管对的源/漏极相互耦接的一个接点，其中对应于该行独立晶体管的该晶体管对中的一个晶体管的一个栅极耦接到一字线，而对应于该行独立晶体管的该晶体管对中的另一个晶体管的栅极经由对应的该行独立晶体管的栅极耦接到该字线。2.一种堆叠栅极闪存阵列，其包括多个晶体管列，每一列中每两个相邻的晶体管为一个晶体管对，其中在该晶体管对中的两个晶体管的一个源/漏极相互耦接，而该晶体管对中的一个晶体管的另一个源/漏极耦接至一第一位线，另外一个晶体管的另一个源/漏极耦接至一第二位线；以及多个行独立晶体管，其中所有这些行独立晶体管的一源/漏极耦接到一个共源极线，每一个该行独立晶体管对应于由在同一所述列中的晶体管对中的一个，其中每一个行独立晶体管的一个漏/源极耦接到对应于该行独立晶体管的晶体管对的该源/漏极相互耦接的接点，其中对应于该行独立晶体管的晶体管对中的...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄仲盟，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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