铸模半导体晶片的装置及工艺制造方法及图纸

用于在凸点化半导体晶片（１１８）的互连侧上铸模一层铸模化合物的铸模件（１０５和１１０）包括主要腔（１１７）和次要腔（１２０），从主要腔（１１７）流出的过量铸模化合物流进次要腔（１２０）中。次要腔（１２０）包括在铸模期间对铸模化合物维持与所需铸模化合物压力相等的预定反压力的活塞（１３０）。随着在主要腔（１１７）中的大多过量铸模化合物被强迫流到次要腔（１２０）中，这有利地在半导体晶片（１１８）上留有相对较薄层的铸模化合物，然后例如通过研磨在相对短的时间内去除该较薄层铸模化合物。铸模件（１０５）还包括可移动腔柱（１１５），该可移动腔柱（１１５）能够在铸模之后从铸模件（１０５）移开，然后进行冷却以分离与腔柱粘结的铸模基板。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及密封半导体晶片，尤其涉及在铸模化合物中密封凸点化半导体晶片。
技术介绍
众所周知，芯片级封装(CSP)是一种容纳半导体管芯的半导体封装，其中半导体封装的外部尺寸接近半导体管芯的尺寸。一些芯片级封装(CSP)容纳凸点半导体管芯，其中在管芯上的焊盘上形成互连端子(互连端)。形成互连端的工艺常常称为凸点化。一般在晶片级，在晶片的组成件管芯的焊盘上由焊料，例如共晶或高铅焊料，形成互连端。作为替换，可以由例如金、银、锡和铜的金属构成互连端。此外，金属互连端还可以具有焊料盖。形成CSP的一种方法是在铸模化合物中铸模凸点化半导体晶片的互连侧。在下铸模件铸模的成型铸模表面上放置凸点化半导体晶片，半导体晶片的互连侧朝上，即互连端向上延伸。接着，在晶片的互连侧上设置预定量的铸模化合物。接着把下铸模片和上铸模片结合到一起，由成型铸模表面和在上铸模片上的平铸模表面与基板形成一个腔，在腔内密封预定量的铸模化合物。随着在施加升高的温度下把下铸模片和上铸模片压到一起，预定量的铸模化合物被压缩对腔中的铸模化合物产生预定压力。铸模化合物熔化，在产生的铸模化合物压力之下熔融的铸模化合物流过半导体晶片的本文档来自技高网...

【技术保护点】
在基板的至少一个表面上模制铸模化合物层的装置，其中至少一个表面具有从其延伸的互连端，该装置包括：具有开口位置和铸模位置的多个铸模片，其中在铸模位置中多个铸模片形成用于在其中设置基板的主要腔，用于在基板的至少一个表面上设置预定 量的铸模化合物，和用于在基板的至少一个表面上模制铸模化合物层，和多个铸模片形成与主要腔连接的次要腔，该次要腔用于接收来自主要腔的过量铸模化合物，该次要腔具有用于对铸模化合物维持预定压力的压力维持元件。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】SG 2001-10-5 0106164-71.在基板的至少一个表面上模制铸模化合物层的装置，其中至少一个表面具有从其延伸的互连端，该装置包括具有开口位置和铸模位置的多个铸模片，其中在铸模位置中多个铸模片形成用于在其中设置基板的主要腔，用于在基板的至少一个表面上设置预定量的铸模化合物，和用于在基板的至少一个表面上模制铸模化合物层，和多个铸模片形成与主要腔连接的次要腔，该次要腔用于接收来自主要腔的过量铸模化合物，该次要腔具有用于对铸模化合物维持预定压力的压力维持元件。2.根据权利要求1的装置，其中多个铸模片包括具有基本上为平面的铸模表面的第一铸模片。3.根据权利要求2的装置，其中多个铸模片还包括具有基本上为平面的铸模表面的第二铸模片，该第二铸模片用于邻接第一铸模片以在第一和第二铸模片的基本上为平面的铸模表面之间形成主要腔、次要腔和连接主要腔与次要腔的通道。4.根据权利要求3的装置，其中压力维持元件包括次要腔的可移动部分。5.根据权利要求4的装置，其中可移动部分连接到一个偏置元件，以对可移动部分维持相应力。6.根据权利要求5的装置，其中可移动部分包括柱塞，偏置元件包括弹簧。7.根据权利要求5的装置，其中可移动部分包括柱塞，偏置元件包括气动激励器。8.根据权利要求5的装置，其中可移动部分包括柱塞，偏置元件包括液压激励器。9.根据权利要求2的装置，其中第一铸模片包括可移动铸模部分，基本上为平面的铸模表面位于可移动铸模部分上，为了在用于铸模的第一位置和铸模之后的第二位置之间移动，可移动的铸模部分为可移动的安装形式，其中在第二位置可移动的铸模部分从第一铸模片的剩余部分移开。10.根据权利要求9的装置，其中可移动铸模部分包括具有比铸模基板材料的热膨胀系数高的第一材料。11.根据权利要求10的装置，还包括至少一个温度降低部件，当可移动铸模部分位于第二位置时其调整到邻接第一铸模片的可移动铸模部分，其中该至少一个温度降低部件降低可移动铸模部分的温度，从而使在那粘结的铸模基板从其分离。12.根据权利要求3的装置，其中在基板上模制铸模化合物层之后，当多个铸模片从铸模位置移动到开口位置时，可移动表面作用在次要腔中已固化的铸模化合物上，以使固化了的铸模化合物离开主要腔。13.一种在基板的至少一个表面上模制铸模化合物层的方法，其中至少一个表面具有从其延伸的互连端，该方法包括如下步骤a)把多个铸模片移到开口位置；b)在多个铸模片的至少一个铸模片上设置基板；c)在基板的至少一个表面上设置预定量的铸模化合物；d)把多个铸模片从开口位置移到铸模位置，以形成主要腔、次要腔和在它们之间的沟道，在主要腔中具有基板和预定量的铸模化合物；e)压缩在主要腔中的预定量铸模化合物和基板；f)将过量的铸模化合物经由沟道从主要腔引导到次要腔；g)在次要腔中对过量的铸模化合物维持预定的压力；h)施加预定压力使铸模化合物凝固；i)把多个铸模片从铸模位置移到开口位置；和j)从主要腔移走已经铸模的基板。14.根据权利要求13的方法，还包括步骤(k)去除在基板上的铸模化合物...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉米周辉星，夏定伟，
申请(专利权)人：先进系统自动化有限公司，
类型：发明
国别省市：SG[新加坡]