【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及MOS型半导体器件，特别有关于绝缘栅型场效应晶体管(MOSFET)的栅极结构，适用于例如互补性的MOS半导体集成电路(CMOSLSI)。
技术介绍
随着CMOSLSI元件实现微细化，作为MOSFET的形成区域即有源区域(AA)也相应微细化，有源区域引起的寄生电阻的影响不能忽略。对此说明如下。图12所示为形成于LSI中的CMOS反相器的平面图形的已往例子。图12中，120为形成于半导体基板上的例如浅沟型的元件分离(STI)区域，121为利用STI区域包围的PMOSFET的有源区域，122为利用STI区域包围的NMOSFET的有源区域，123为在有源区域的沟道区域上隔着栅极绝缘膜形成的栅极，通过有源区域的中心部分上面。有源区域121、122的漏、源区域用的扩散层表面及栅极表面，往往形成金属硅化物。各有源区域121、122中，在1条对角线上的栅极123的两侧的金属硅化物上的转角附近，形成漏接触区域、源接触区域用的接触(转角接触)124。图13所示为构成图12所示的CMOS反相器的一个MOSFET结构例子的剖面图。图13中，130为半导体基板，131为...
【技术保护点】
一种半导体器件，其特征在于，具备在半导体基板上利用元件分离区域分离的ＭＯＳＦＥＴ的有源区域、设置于所述有源区域上的至少一条栅极、和至少在所述栅极的单侧与所述有源区域的表面接触而形成的至少１个源／漏接触，所述栅 极这样形成，它沿栅极随着离开所述源／漏接触位置，使栅长变短。
【技术特征摘要】
JP 2003-5-30 2003-1542461.一种半导体器件，其特征在于，具备在半导体基板上利用元件分离区域分离的MOSFET的有源区域、设置于所述有源区域上的至少一条栅极、和至少在所述栅极的单侧与所述有源区域的表面接触而形成的至少1个源/漏接触，所述栅极这样形成，它沿栅极随着离开所述源/漏接触位置，使栅长变短。2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述栅极在所述有源区域内只有一个，而且，所述源/漏接触配置于所述栅极的两侧的所述有源区域的对角位置上。3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述MOSFET是构成CMOS反相器的PMOSFET、NMOSFET中的一个MOSFET。4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述栅极在所述有源区域内只有一个，而且，所述源/漏接触配置于对于沟道宽度方向的同一端。5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述栅极具有栅长左右对称变化的平面图形。6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述栅极具有栅长左右不对称变化的平面图形。7.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，在所述栅极的两侧的所述有源区域的表面上形成硅化物层，所述源/漏接触与所述硅化物层接触。8.一种半导体器件...
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