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本发明的半导体器件，具备在半导体基板上利用元件分离区域分离的ＭＯＳＦＥＴ的有源区域、通过所述有源区域上而设置的至少一条栅极和在所述栅极的两侧与所述有源区域的表面接触而形成的源接触和源接触，所述栅极沿栅极随着离开所述接触和／或漏接触的位置，使...
该专利属于株式会社东芝所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社东芝授权不得商用。

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