由高纯度氧化钼形成的电子器件制造技术

本发明专利技术涉及在器件的至少一部分中包括高纯度氧化钼的电子器件。根据本发明专利技术的器件如双极性晶体管、场效应晶体管和闸流晶体管具有高耐压。本发明专利技术还涉及使用高纯度氧化钼形成的对环境惰性的电子器件。根据本发明专利技术的器件可以在相对较低的温度如７００℃下制造，此温度低于制造ＧａＮ或ＳｉＣ器件的温度，即高于１０００℃的温度。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

技术介绍
1.专利
本专利技术涉及具有高耐压的电子器件和对环境惰性的电子器件。更具体地，本专利技术涉及由新型半导体制成的、击穿电压高的场效应晶体管、双极性晶体管、闸流晶体管和对环境惰性的电子器件，该新型半导体可以解决由带隙大的已知半导体如氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)制成的这种器件具有的问题。2.相关
技术介绍
最近，所谓的功率器件如双极性晶体管、场效应晶体管和闸流晶体管在各种场合如家用电子制品、汽车、机床和照明中使用。随着应用的增加，需要功率器件以高效率和高速度转化并控制电能。尽管长时间以来使用硅(Si)制造功率器件，但是预计硅器件受到限制。这些限制源于硅的带隙很小，只有约1电子伏特(eV)。已经进行了广泛的研究以获得由带隙大的半导体即所谓的宽带隙半导体制成的功率器件，来克服这些限制。特别是对使用带隙为约3.43eV的氮化镓(GaN)或带隙为约3.2eV的碳化硅(SiC)的功率器件进行了深入的研究。另一方面，由于来自宇宙射线或汽车的噪音和热量导致的误差或故障已经成为严重的问题。已经阐明，不受具有噪音或热量的恶劣环境影响的、所谓对环境惰性的器件应该由带隙大的半导体制成。已经对使用G本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体电子器件，其中至少在主要部分中使用高纯度氧化钼。

【技术特征摘要】
JP 2003-6-10 164854/20031.一种半导体电子器件，其中至少在主要部分中使用高纯度氧化钼。2.根据权利要求1的半导体电子器件，其中所述器件是电阻器件、二极管、晶体管、霍耳效应器件、可变电阻、热敏电阻、闸流晶体管或存储器件。3.根据权利要求1的半导体电子器件，其中所述主要部分是通道层。4.根据权利要求1的半导体电子器件，其中所述高纯度氧化钼的带隙等于或大于3.45eV。5.根据权利要求1的半导体电子器件，其中所述高纯度氧化钼通过气相沉积形成。6.根据权利要求1的半导体电子器件，其中在钼衬底上形成器件层。7.一种双极性晶体管，其中至少在发射极、基极或集电极中使用高纯度氧化钼。8.一种闸流晶体管，所述闸流晶体管具有按以下顺序堆积的层构成的器件结构第一p型氧化钼层、第一n型氧化钼层、第二p型氧化钼层和第二n型氧化钼层。9.一种闸流晶体管，所述闸流晶体管具有按以下顺序堆积的层第一n型氧化钼层、第一p型氧化钼层、第二n型氧化钼层和第二p型氧化钼层。10.一种场效应晶体管，所述场效应晶体管包括由钼构成的衬底，其中使用氧化钼形成通道层。11.一种双极性晶体管，所述双极性晶体管包括由钼构成的衬底，其中在发射极、...

【专利技术属性】
技术研发人员：河东田隆，
申请(专利权)人：河东田隆，
类型：发明
国别省市：JP[日本]